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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 8.0K
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.1 EUR
24000+0.099 EUR
40000+0.093 EUR
56000+0.089 EUR
80000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
535+0.43 EUR
848+0.25 EUR
1151+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
535+0.43 EUR
848+0.25 EUR
1151+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004VK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 112000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 151248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7
Produktcode: 183759
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Idd, A: 0,54 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,7 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 150/
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1419+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1419+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
auf Bestellung 42970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 4578000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7-50Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WK-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 27661395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
414+0.56 EUR
654+0.33 EUR
901+0.24 EUR
1004+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 27660000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
75000+0.1 EUR
150000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27651000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 14937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
414+0.56 EUR
654+0.33 EUR
901+0.24 EUR
1004+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
auf Bestellung 18618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Power dissipation: 0.4W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
252+0.92 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
252+0.92 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005DLP4K-7-01DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.42 EUR
740+0.24 EUR
748+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
auf Bestellung 15440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+1.05 EUR
100+0.67 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.51 EUR
424+0.4 EUR
428+0.38 EUR
740+0.21 EUR
748+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 300mA
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+1.09 EUR
100+0.69 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Power dissipation: 0.4W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1006-3
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LP4K-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 300mA X2-DFN1006-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
691+0.25 EUR
710+0.24 EUR
762+0.21 EUR
1318+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
451+0.51 EUR
981+0.21 EUR
1067+0.2 EUR
1128+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.14 EUR
725+0.12 EUR
820+0.1 EUR
910+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 45849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
46+0.45 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
451+0.51 EUR
981+0.21 EUR
1067+0.2 EUR
1128+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.62 EUR
369+0.46 EUR
412+0.39 EUR
691+0.23 EUR
710+0.21 EUR
762+0.19 EUR
1318+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 200mA
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.24 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
285+0.82 EUR
391+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 527721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
27+0.79 EUR
100+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
285+0.82 EUR
391+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 522000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 525000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.43 EUR
4000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1104+0.15 EUR
1271+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
322+0.73 EUR
412+0.52 EUR
530+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
609+0.37 EUR
673+0.25 EUR
677+0.24 EUR
882+0.18 EUR
890+0.17 EUR
1104+0.13 EUR
1271+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
322+0.73 EUR
412+0.52 EUR
530+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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DMN2005UFG-7
Produktcode: 201744
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
9000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.77 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
auf Bestellung 7375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
16+1.33 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.5 EUR
100+1.07 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
162+1.44 EUR
218+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.62 EUR
299+0.57 EUR
327+0.5 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
162+1.44 EUR
218+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2008LFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4219 Stücke:
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