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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
EM6HE08EW9G-10HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE08EW9G-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.92 EUR
10+18.58 EUR
25+17.72 EUR
50+17.09 EUR
100+16.49 EUR
250+15.72 EUR
500+15.16 EUR
1000+14.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE08EW9G-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWAKG-10HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWAKG-10HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
10+17.22 EUR
25+16.42 EUR
50+15.84 EUR
100+15.28 EUR
250+14.58 EUR
500+14.05 EUR
1000+13.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWAKG-10IH---IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Мікропроцесори, мікроконтролери
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWAKG-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWAKG-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
auf Bestellung 10673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.92 EUR
10+18.58 EUR
25+17.72 EUR
50+17.09 EUR
100+16.49 EUR
250+15.72 EUR
500+15.16 EUR
1000+14.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWXD-10HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWXD-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HE16EWXD-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HF16EBXB-12SHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 8GBIT 96BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RROHMDescription: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 14854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RROHMDescription: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RROHM SemiconductorMOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6
auf Bestellung 138010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1ROHM SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1ROHMSOT563
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1 T2RROHMSOT-563
auf Bestellung 11867 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 19193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RROHM SemiconductorMOSFETs 2N-CH 30V .1A
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 29490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.24 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.48 EUR
8000+0.46 EUR
16000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.27 EUR
16000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31GT2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 6310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31GT2RROHM SemiconductorMOSFETs 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.18 EUR
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31GT2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31T2RROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
auf Bestellung 7392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.31 EUR
8000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K33T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 24440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
50+0.56 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K33T2RROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 9470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K33T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34ROHM SemiconductorMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
432+0.54 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 36500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.15 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
432+0.54 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 36979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
57+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6ROHM09+
auf Bestellung 48018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6 T2CRROHMSOT26
auf Bestellung 7590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6 T2RROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 7946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 470 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohmMOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.3 EUR
602+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHMDescription: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 9743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.75 EUR
50+0.55 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 4574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 470 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHM10+ EMT6
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.58 EUR
452+0.38 EUR
497+0.33 EUR
580+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHM SemiconductorMOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
auf Bestellung 11391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
8000+0.25 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHMDescription: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 7850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
152+0.56 EUR
202+0.42 EUR
211+0.4 EUR
244+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
266+0.88 EUR
414+0.52 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRRohm SemiconductorDescription: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
auf Bestellung 7962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
auf Bestellung 20139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.26 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
266+0.88 EUR
414+0.52 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRRohm SemiconductorDescription: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 21678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RRohm2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-563 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RROHM SemiconductorMOSFETs TRNSISTR DUAL MOSFET
auf Bestellung 9377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.26 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6L4631K019
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 7965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
25+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M1T2RROHM SemiconductorMOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2NROHMSOT753
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
auf Bestellung 23383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHMDescription: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 49771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
50+0.75 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.8 EUR
144+0.6 EUR
228+0.37 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.35 EUR
24000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHMDescription: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
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148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE08NW9A-07HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE08NW9A-07HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE08NW9A-07IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE08NW9A-07IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+14.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE16NWAKA-07IHEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+15.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE16NWAKA-07IHEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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