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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
EM6HE16EWXD-10IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6HF16EBXB-12SHEtron Technology, Inc.Description: 8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.5 EUR
10+47.97 EUR
25+47.46 EUR
40+46.29 EUR
80+40.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RROHM SemiconductorMOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6
auf Bestellung 138010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RROHMDescription: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 14854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RROHMDescription: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6J1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1ROHMSOT563
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1ROHM SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1 T2RROHMSOT-563
auf Bestellung 11867 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.27 EUR
16000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RROHM SemiconductorMOSFETs 2N-CH 30V .1A
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 29490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.25 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.49 EUR
8000+0.48 EUR
16000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 19193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31GT2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 6310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31GT2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31GT2RROHM SemiconductorMOSFETs 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.18 EUR
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
auf Bestellung 20190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K31T2RROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
auf Bestellung 7392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.31 EUR
8000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K33T2RROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 9470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K33T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K33T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
432+0.54 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 7131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K34T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
432+0.54 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6ROHM09+
auf Bestellung 48018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6 T2CRROHMSOT26
auf Bestellung 7590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6 T2RROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 7946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 5051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5051 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.3 EUR
602+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHMDescription: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 4574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 470 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHM10+ EMT6
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.6 EUR
452+0.38 EUR
497+0.33 EUR
580+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHM SemiconductorMOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
auf Bestellung 11391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
8000+0.25 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHMDescription: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
152+0.56 EUR
202+0.42 EUR
211+0.4 EUR
244+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 470 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2RRohmMOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
auf Bestellung 20139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.26 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRRohm SemiconductorDescription: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
auf Bestellung 7962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
266+0.88 EUR
414+0.52 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
266+0.88 EUR
414+0.52 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2CRRohm SemiconductorDescription: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 40415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RRohm2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-563 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RROHM SemiconductorMOSFETs TRNSISTR DUAL MOSFET
auf Bestellung 9377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.26 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K7T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.24 EUR
16000+0.23 EUR
24000+0.21 EUR
40000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6L4631K019
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 7965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
25+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M1T2RROHM SemiconductorMOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2NROHMSOT753
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.8 EUR
144+0.6 EUR
228+0.37 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 58578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHMDescription: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 56500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.32 EUR
16000+0.3 EUR
24000+0.29 EUR
40000+0.27 EUR
56000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
auf Bestellung 23383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6M2T2RROHMDescription: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE08NW9A-07HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6OE08NW9A-07HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
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Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DigiKey Programmable: Not Verified
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Memory Interface: POD
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Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
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DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
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Memory Interface: POD
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Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
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