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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCB-405-BZ5TE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: FCB-405-BZ5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB-405-CW2TE ConnectivityIndustrial Relays
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB-405-CX2TE Connectivity / AMPIndustrial Relays FCB-405-CX2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB-405-CX4TE ConnectivityIndustrial Relays FCB-405-CX4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB-405-CY2TE ConnectivityGeneral Purpose Relays FCB-405-CY2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB-405-CY4TE ConnectivityGeneral Purpose Relays FCB-405-CY4
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB-EW9500HSONYВідеокамера (2160p/60), Uживл, В = 7...12, Р, Вт = 4,6, Розд. зд. = 2688x1512, Тексп, °C = -5 °C to +60 °C, Тип датчика = CMOS, Тип інтерф. = HDMI, Чутл. = 0.000005 lx, Оптичне збільшення 30x,... Датчики Корпус: Open frame Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.04 EUR
20+11.9 EUR
100+8.89 EUR
500+7.9 EUR
1000+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.31 EUR
25+6.95 EUR
100+6.39 EUR
250+5.89 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.69 EUR
21+8.29 EUR
100+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.04 EUR
20+11.9 EUR
100+8.89 EUR
500+7.9 EUR
1000+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.51 EUR
10+9.2 EUR
100+7 EUR
500+6.91 EUR
800+6.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.59 EUR
10+9.21 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
10+7.5 EUR
100+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+8.71 EUR
100+5.99 EUR
500+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US12XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US12 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 7.5A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US12XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 12V 80W
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.32 EUR
5+81.81 EUR
10+79.28 EUR
25+75.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US12XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.35 EUR
5+81.81 EUR
12+79.28 EUR
24+75.9 EUR
108+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US15XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 15V 80W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.76 EUR
5+82.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US15XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.35 EUR
5+81.81 EUR
12+79.28 EUR
24+75.9 EUR
108+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US15XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US15 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 6A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+95.01 EUR
5+85.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US19XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.35 EUR
5+81.81 EUR
12+79.28 EUR
24+75.9 EUR
108+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US19XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US19 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 19VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 4.7A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+102.08 EUR
5+91.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US19XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 19V 80W
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.36 EUR
5+81.82 EUR
10+79.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US24XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US24 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 24VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 4A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.24 EUR
5+84.88 EUR
10+75.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US24XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 24V 84W
Power (Watts): 84W (101W Forced Air)
Features: Universal Input
Packaging: Tray
Size / Dimension: 4.00" L x 2.00" W x 1.25" H (101.6mm x 50.8mm x 31.8mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 80 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Household Appliances, ITE (Commercial), Medical
Approval Agency: CB, CE, UKCA, UL
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60335-1; 60601-1; 60950-1; 62368-1
Current - Output 1: 4.2 A
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+89.2 EUR
5+86.52 EUR
10+83.86 EUR
25+80.29 EUR
100+74.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US24XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.35 EUR
5+81.81 EUR
12+79.28 EUR
24+75.9 EUR
108+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US36XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 36V 86W
Current - Output 1: 2.8 A
Standard Number: 60335-1; 60601-1; 60950-1; 62368-1
Voltage - Isolation: 4 kV
Number of Outputs: 1
Part Status: Active
Voltage - Output 1: 36V
Efficiency: 87%
Approval Agency: CB, CE, UKCA, UL
Applications: Household Appliances, ITE (Commercial), Medical
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Type: Open Frame
Voltage - Input: 80 ~ 264 VAC
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 4.00" L x 2.00" W x 1.25" H (101.6mm x 50.8mm x 31.8mm)
Features: Universal Input
Power (Watts): 86W (101W Forced Air)
Packaging: Tray
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.56 EUR
5+81.06 EUR
10+78.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US36XP PowerPower Supplies - Chassis Mount AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.78 EUR
5+90 EUR
10+87.22 EUR
25+83.5 EUR
96+77.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US36XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US36 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 36VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 2.6A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US48XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US48 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 48VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 2A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.24 EUR
5+84.88 EUR
10+75.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB100US48XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.35 EUR
5+81.81 EUR
12+79.28 EUR
24+75.9 EUR
108+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 105A
Gate charge: 98nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.27 EUR
10+10.38 EUR
100+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.25 EUR
22+7.83 EUR
30+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FONSEMIDescription: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.95 EUR
21+11.28 EUR
100+7.63 EUR
500+6.96 EUR
1000+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.93 EUR
10+11.22 EUR
100+9.07 EUR
500+8.07 EUR
800+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.25 EUR
22+8 EUR
30+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FONSEMIDescription: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.95 EUR
21+11.28 EUR
100+7.63 EUR
500+6.96 EUR
1000+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60onsemi / FairchildMOSFET SF1 600V 380MOHM E D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60Ffairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60FTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.21 EUR
1600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMonsemiMOSFETs 600V, 11A, 380mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+6.47 EUR
100+4.82 EUR
500+4.05 EUR
800+3.75 EUR
2400+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.29 EUR
10+6.15 EUR
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB11N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 286043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
57+4.08 EUR
100+3.59 EUR
250+3.37 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.05 EUR
2000+2.74 EUR
4000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3On SemiconductorMOSFET N-CH 650V 24A TO263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 181W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.45 EUR
500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 181W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
26+9.21 EUR
100+6.45 EUR
500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
10+7.95 EUR
100+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+7.79 EUR
100+5.62 EUR
500+5.09 EUR
800+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB1608C-121T03BULLWILL2005+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB1608K-100T03BULLWILL2005+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB1608K-900T050603B
auf Bestellung 7068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB199N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB199N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FCB199N65S3onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
auf Bestellung 7449 Stücke:
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1+6.59 EUR
10+5.15 EUR
100+3.94 EUR
500+3.61 EUR
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FCB199N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FCB199N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 650 Stücke:
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FCB199N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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FCB199N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+5.13 EUR
100+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FCB2012K-070T09FC04+ SMD
auf Bestellung 28000 Stücke:
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FCB2012K-150T060805BEAD
auf Bestellung 3922 Stücke:
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FCB2012K-170T060805BEAD
auf Bestellung 24000 Stücke:
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FCB2012K-190T06
auf Bestellung 56000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2012K-260T060805BEAD
auf Bestellung 15000 Stücke:
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FCB20N60onsemi / FairchildMOSFETs SF1 600V 190MOHM E D2PAK
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FCB20N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FCB20N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.15 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FCB20N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.52 EUR
25+9.58 EUR
50+8.01 EUR
100+7.15 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V, 20A, SUPERFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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FCB20N60FOn SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60Ffairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60F-F085 - FCB20N60F_F085 - N-CHANNEL MOSFET 600V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 640 Stücke
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FCB20N60F-F085onsemiMOSFETs 600V, 20A SuperFET
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.98 EUR
10+8.69 EUR
100+5.78 EUR
800+4.99 EUR
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FCB20N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60F-F085ONN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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