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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUP85N06
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP85N06-05
auf Bestellung 2441 Stücke:
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SUP85N06-05Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUP90N06-6M0P-E3
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SUP85N06-05-E3Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUP90N06-5M0P-E3
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SUP85N08-08
auf Bestellung 4080 Stücke:
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sup85n10
auf Bestellung 50000 Stücke:
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SUP85N10-10VISHAY05+ QFP
auf Bestellung 50 Stücke:
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SUP85N10-10Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SUP85N10-10-E3
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SUP85N10-10-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 316 Stücke:
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22+8.15 EUR
25+6.96 EUR
50+6.74 EUR
100+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.9 EUR
50+5.8 EUR
100+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.52 EUR
50+3.39 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+4.69 EUR
100+4.27 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.59 EUR
50+4.33 EUR
100+3.88 EUR
500+3.18 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.59 EUR
50+4.24 EUR
100+3.74 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.52 EUR
50+3.46 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.84 EUR
10+7.46 EUR
100+6.85 EUR
500+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.03 EUR
50+6.99 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
35+6.77 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
50+5.74 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15VISHAY09+
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.34 EUR
26+6.64 EUR
50+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP85N15-21-E3 - N CH MOSFET
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3
Produktcode: 59017
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.01 EUR
24+7.14 EUR
100+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+7.16 EUR
100+5.7 EUR
500+5.28 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.01 EUR
24+6.99 EUR
100+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90100E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 150A N-CH MOSFET
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+5.87 EUR
100+4.16 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90100E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90100E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
10+5.96 EUR
100+4.22 EUR
500+3.49 EUR
1000+3.25 EUR
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90100E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90100E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
32+7.31 EUR
100+4.8 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 90A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4132 pF @ 100 V
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
50+4.34 EUR
100+3.94 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
43+5.47 EUR
100+3.92 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+4.27 EUR
100+3.88 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90142E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
47+3.68 EUR
51+3.33 EUR
100+3.08 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90142E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 37620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.71 EUR
10+4.19 EUR
100+3.81 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
47+3.61 EUR
51+3.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90142E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
50+4.27 EUR
100+3.88 EUR
500+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
67+2.52 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 64A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.66 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90330E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 35.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0312
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90330E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90330E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 35.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N03-03-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 28.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N04
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N04-3M3P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N04-3M3P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-05
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-05L
auf Bestellung 10006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-5M0P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Strip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V
auf Bestellung 4194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.07 EUR
10+7.91 EUR
100+6.5 EUR
500+5.76 EUR
1000+4.94 EUR
2500+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.92 EUR
95+1.82 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
92+1.84 EUR
95+1.71 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90N06-6M0P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
35+6.66 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08-06
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08-4M8P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08-6M8P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08-7M7P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08-7M7P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N08-8M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N10
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N10-09
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N10-8M8P
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N10-8M8P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N10-8M8P-E3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N15-18P
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N15-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90P06-09L
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90P06-09L-E3VISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -67A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90P06-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90P06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90P06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 9300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SUP90P06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
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SUP90P06-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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