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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTA64N10L2IXYSMOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.9 EUR
10+20.97 EUR
100+20.94 EUR
500+19.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.45 EUR
50+16.16 EUR
100+15.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2-TRLIXYSMOSFET IXTA64N10L2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 64A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
auf Bestellung 3646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.59 EUR
10+12.63 EUR
100+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.12 EUR
50+11.22 EUR
100+10.36 EUR
500+8.87 EUR
1000+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA6N100D2 TRL
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.87 EUR
10+14.47 EUR
100+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+15.95 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.68 EUR
10+27.39 EUR
100+22.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.74 EUR
10+12.63 EUR
100+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.76 EUR
10+15.8 EUR
50+12.82 EUR
100+11.86 EUR
500+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+14.02 EUR
10+11.79 EUR
25+9.9 EUR
50+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Produktcode: 84036
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2-TRLIXYSMOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 461-465 Tag (e)
1+18.02 EUR
10+12.92 EUR
100+12.46 EUR
800+12.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 6A; 300W; D2PAK,TO263; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.13 EUR
10+16.74 EUR
50+13.59 EUR
100+12.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.49 EUR
25+17.96 EUR
100+12.64 EUR
250+12.1 EUR
500+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2IXYSMOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA70N075T2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N085TТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+6.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
50+5.81 EUR
100+5.36 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA75N10P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 148ns
Gate charge: 92nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA76N25T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.87 EUR
13+18.03 EUR
16+13.66 EUR
50+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.63 EUR
19+9.22 EUR
25+8.92 EUR
50+8.04 EUR
100+6.33 EUR
1000+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.48 EUR
10+9.03 EUR
100+8.29 EUR
1000+7.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.5 EUR
12+7.52 EUR
13+6.93 EUR
14+6.13 EUR
25+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.63 EUR
19+9.02 EUR
25+8.59 EUR
50+7.62 EUR
100+5.84 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T
Produktcode: 198462
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
50+8.97 EUR
100+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.48 EUR
10+11.27 EUR
100+8.29 EUR
500+7.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.71 EUR
4000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 6277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.66 EUR
10+9.95 EUR
100+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.82 EUR
22+7.6 EUR
25+6.88 EUR
100+6.1 EUR
250+5.69 EUR
500+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 100V; 76A; 298W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.82 EUR
22+7.78 EUR
25+7.15 EUR
100+6.44 EUR
250+6.16 EUR
500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.89 EUR
1600+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.71 EUR
4000+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA76P10T. - DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE TO-263D2 TUBE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.61 EUR
21+11.48 EUR
25+8.68 EUR
50+6.99 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.02 EUR
10+24.82 EUR
50+20.48 EUR
100+19.09 EUR
500+17.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2IXYSMOSFETs MOSFET N CHANNEL
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.49 EUR
10+19.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.66 EUR
10+15.57 EUR
25+13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N075L2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 75V; 80A; Idm: 80A; 357W; D2PAK,TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA80N075L2. - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.96 EUR
8+30.36 EUR
10+24.36 EUR
25+20.72 EUR
100+18.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTA80N10TN-Ch, 100V, 80A, TO-263AA Транзистори
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IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTA80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
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IXTA80N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXTA80N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N10T TRL
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IXTA80N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 230W; D2PAK,TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Application: automotive industry
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXTA80N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTA80N12T2IXYSMOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
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IXTA80N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTA80N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO263
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
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IXTA86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTA86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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IXTA86N20T-TRLIXYSMOSFET IXTA86N20T TRL
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXTA86N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXTA86N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 16622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.11 EUR
50+13.78 EUR
100+12.78 EUR
500+12.11 EUR
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IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTA86N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.63 EUR
10+16.78 EUR
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IXTA86N20X4-TRLLittelfuseLittelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
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IXTA88N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTA88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
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IXTA88N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
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