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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTBG020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.72 EUR
10+39.82 EUR
100+38.6 EUR
500+36.13 EUR
800+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+65.35 EUR
10+60.24 EUR
25+55.18 EUR
50+54.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+54.32 EUR
50+54.3 EUR
100+54.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+43.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.37 EUR
10+62.97 EUR
25+61.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.37 EUR
10+61.61 EUR
25+58.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+43.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.19 EUR
10+53.07 EUR
500+50.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.52 EUR
10+54.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+83.74 EUR
5+68.29 EUR
10+54.32 EUR
50+54.3 EUR
100+54.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+53.84 EUR
10+44.51 EUR
100+42.44 EUR
500+39.17 EUR
800+34.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+62.78 EUR
10+49.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+62.78 EUR
10+48.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+41.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+19.79 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+24.66 EUR
100+23.09 EUR
500+21.41 EUR
1000+19.77 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SONN
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.81 EUR
10+25.22 EUR
100+22.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.87 EUR
10+27.06 EUR
100+24.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.81 EUR
10+24.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.02 EUR
10+23.67 EUR
100+22.07 EUR
500+21.93 EUR
800+20.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG023N065M3SONN
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG023N065M3SON SemiconductorSiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.04 EUR
10+15.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
auf Bestellung 6433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.46 EUR
10+15.57 EUR
100+12.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
auf Bestellung 7035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.36 EUR
10+28.95 EUR
100+26.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.7 EUR
19+9.41 EUR
25+9.06 EUR
100+8.71 EUR
250+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.06 EUR
10+27.83 EUR
100+24.99 EUR
500+23.86 EUR
800+21.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+46.14 EUR
10+34.69 EUR
100+31.86 EUR
500+31.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+21.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.7 EUR
19+9.2 EUR
25+8.72 EUR
100+8.25 EUR
250+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+34.69 EUR
100+31.86 EUR
500+31.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG025N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+82.12 EUR
5+72.52 EUR
10+63.49 EUR
50+62.46 EUR
100+61.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 214W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 222nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1onsemiSiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
auf Bestellung 6139 Stücke:
Lieferzeit 220-224 Tag (e)
1+72.34 EUR
10+58.73 EUR
100+55.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG028N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+63.49 EUR
50+62.46 EUR
100+61.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.47 EUR
12+15.41 EUR
100+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.42 EUR
13+17.96 EUR
50+14.95 EUR
100+13.33 EUR
250+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.47 EUR
12+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.16 EUR
11+21.1 EUR
50+19.92 EUR
100+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.06 EUR
10+16.21 EUR
100+13.03 EUR
500+12.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.75 EUR
10+16.53 EUR
100+13.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.42 EUR
13+17.96 EUR
50+14.95 EUR
100+13.33 EUR
250+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.21 EUR
12+19.73 EUR
25+18.15 EUR
50+18.08 EUR
100+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.52 EUR
15+16.05 EUR
18+12.04 EUR
50+11.08 EUR
100+8.22 EUR
250+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.52 EUR
15+16.05 EUR
18+12.04 EUR
50+11.08 EUR
100+8.22 EUR
250+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
auf Bestellung 4312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.5 EUR
10+11.98 EUR
100+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SONN
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.17 EUR
10+11.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.87 EUR
19+12.32 EUR
50+10.41 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SONN
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+49.25 EUR
10+40.03 EUR
25+30.61 EUR
50+27.44 EUR
100+25.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.96 EUR
10+13.23 EUR
100+10.86 EUR
500+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.87 EUR
19+12.32 EUR
50+10.41 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.69 EUR
10+14.28 EUR
100+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.43 EUR
7+36.91 EUR
10+28.23 EUR
50+25.32 EUR
100+23.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.96 EUR
10+30.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.19 EUR
10+22.51 EUR
100+21.32 EUR
500+19.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+37.32 EUR
50+34.36 EUR
100+34.22 EUR
250+33.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.67 EUR
10+26.38 EUR
100+25.62 EUR
500+22.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+49.08 EUR
10+37.32 EUR
50+34.36 EUR
100+34.22 EUR
250+33.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.67 EUR
10+25.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 26400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+22.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.67 EUR
10+31.48 EUR
100+29.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.75 EUR
10+18.73 EUR
100+15.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
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