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IAUCN08S7N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.88 EUR
58+	4.06 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.86 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.23 EUR
5000+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm

auf Bestellung 3865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.15 EUR
42+	5.59 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
10+	5.05 EUR
100+	3.53 EUR
500+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

auf Bestellung 5284 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.66 EUR
10+	5.05 EUR
100+	3.53 EUR
500+	2.98 EUR
2000+	2.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.52 EUR
4000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.62 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2615 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.28 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.43 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.89 EUR
5000+	1.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.59 EUR
54+	4.34 EUR
100+	3.19 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34

auf Bestellung 2829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.2 EUR
10+	4.02 EUR
50+	3.09 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

auf Bestellung 5387 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.76 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.51 EUR
2000+	2.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.87 EUR
10+	4.47 EUR
50+	3.45 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 157W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.07 EUR
48+	4.89 EUR
100+	3.24 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

auf Bestellung 1039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	6.7 EUR
58+	4.01 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.41 EUR
10+	2.81 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.49 EUR
5000+	1.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

auf Bestellung 1039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.55 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.69 EUR
10+	3.02 EUR
50+	2.3 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N036TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.71 EUR
10+	3.71 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.98 EUR
2000+	1.83 EUR
4000+	1.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N045TATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.62 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N045TATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.79 EUR
57+	4.08 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON

auf Bestellung 2464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.87 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	4.32 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.87 EUR
250+	2.64 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.05 EUR
2500+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.95 EUR
68+	3.44 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

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IAUCN10S5L094DATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.62 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUCN10S5L110TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	3.25 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.74 EUR
2000+	1.48 EUR
4000+	1.39 EUR

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IAUCN10S7L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 5210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.03 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.12 EUR
5000+	1.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.93 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.84 EUR
12+	1.8 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.67 EUR
33+	7.13 EUR
100+	4.69 EUR
500+	3.94 EUR
1000+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22574 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.06 EUR
10+	6.65 EUR
50+	5.2 EUR
100+	4.74 EUR
500+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.69 EUR
500+	3.94 EUR
1000+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.13 EUR
10+	5.43 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.17 EUR
2500+	3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7N040ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N040ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.25 EUR
54+	4.34 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7N040ATMA1

auf Bestellung 2834 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.97 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N040ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.94 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.37 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.29 EUR
5000+	1.11 EUR
10000+	1.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.65 EUR
69+	3.37 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.89 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.99 EUR
10+	4.51 EUR
25+	4.14 EUR
100+	3.72 EUR
250+	3.53 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 2698 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.33 EUR
10+	5.51 EUR
100+	4.32 EUR
500+	3.83 EUR
1000+	3.28 EUR
2000+	3.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N006GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.4 EUR
10+	5.49 EUR
100+	4.08 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.19 EUR
2000+	3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N009GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.99 EUR
10+	3.89 EUR
100+	3 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	1.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N011GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.24 EUR
10+	4.05 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.28 EUR
2000+	2.03 EUR

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IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUMN08S5N012GAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUMN08S5N012GAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.45 EUR
27+	8.7 EUR
100+	7.02 EUR
500+	6.45 EUR
1000+	5.94 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 1163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.46 EUR
10+	7.68 EUR
50+	6.05 EUR
100+	5.52 EUR
500+	5.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.29 EUR
10+	8.04 EUR
100+	5.93 EUR
500+	5.28 EUR
1000+	4.71 EUR

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IAUMN08S5N013GAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUMN08S5N013GAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	10.9 EUR
29+	8.28 EUR
100+	6.69 EUR
500+	6.15 EUR
1000+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1193 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.6 EUR
10+	7.75 EUR
50+	6.09 EUR
100+	5.56 EUR
500+	5.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.5 EUR
10+	6.87 EUR
100+	5.53 EUR
500+	4.96 EUR
1000+	4.65 EUR
2000+	4.44 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUMN10S5N016GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.25 EUR
10+	6.87 EUR
100+	5.78 EUR
500+	5.28 EUR
1000+	5.09 EUR
2000+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.1 EUR
10+	8.1 EUR
100+	5.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.52 EUR
28+	8.59 EUR
100+	6.96 EUR
500+	6.47 EUR
1000+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N017GAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1871 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	11.97 EUR
30+	7.82 EUR
100+	5.74 EUR
500+	5.12 EUR
1000+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N017GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N017GAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1871 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.74 EUR
500+	5.12 EUR
1000+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N017GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.19 EUR
10+	5.44 EUR
25+	5 EUR
100+	4.51 EUR
250+	4.28 EUR
500+	4.15 EUR
1000+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	6 EUR
30+	5.65 EUR
50+	5.32 EUR
100+	5.02 EUR
250+	4.8 EUR
500+	4.59 EUR
1000+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.28 EUR
10+	4.8 EUR
100+	3.37 EUR
500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.39 EUR
10+	4.86 EUR
100+	3.42 EUR
500+	3.09 EUR
1000+	2.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	3.22 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	3.55 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 182 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.62 EUR
10+	4.57 EUR
100+	3.58 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.19 EUR
1800+	2.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1237 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.12 EUR
500+	3.81 EUR
1000+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 332 Stücke:

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3+	7.83 EUR
10+	5.16 EUR
100+	3.65 EUR

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

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25+	6.99 EUR
34+	5.13 EUR
50+	3.97 EUR
1000+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke

verfügbar 20 Stücke:

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IAUS200N08S5N023ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1237 Stücke:

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29+	8.9 EUR
41+	5.71 EUR
100+	4.12 EUR
500+	3.81 EUR
1000+	3.64 EUR

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 482 Stücke:

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182+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 182 Stücke

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IAUS200N08S5N023ATMA1 Transistor
Produktcode: 197348

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IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IAUS240N08S5N019ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

auf Bestellung 1082 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	12.42 EUR
31+	7.54 EUR
100+	5.2 EUR
500+	4.01 EUR
1000+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

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1800+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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