Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPA105N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA105N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA126N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA126N10N3G | Infineon Technologies | Description: 35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA126N10NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 33W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 28A TO220FP-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA180N10N3G | Infineon Technologies | Description: 28A, 100V, 0.018OHM, N-CHANNEL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA180N10N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 28A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA180N10N3GXKSA1 TIPA180n10n3g Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA320N20NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA320N20NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA320N20NM3SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA400H | ELECTROLUBE | Description: ELECTROLUBE - IPA400H - Reiniger, Elektronikreiniger, IPA, Lösungsmittel, Leiterplatten, universell, Sprühdose, 400ml Reiniger: Universal Behältertyp: Sprühdose Gewicht: - Anwendungen Reiniger: Elektronik, Leiterplatten Volumen: 400 Produktpalette: Electrolube - IPA SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon Technologies | Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA50R140CP Produktcode: 155814
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA50R140CP | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R140CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 23A Power dissipation: 34W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 9300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R140CPXKSA1 Produktcode: 191548
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 9300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R190CE | Infineon technologies | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R190CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R190CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220FP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 5510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R190CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24.8 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 24.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 13 Verlustleistung Pd: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CE Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 12460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.19Ω Drain current: 18.5A Power dissipation: 32W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 12460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R199CP | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 450mOhm; 17A; 139W; -55°C ~ 150°C; IPA50R199CPXKSA1 IPA50R199CP TIPA50r199cp Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA50R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 17A TO220FP-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 54500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 56530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R199CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA50R199CPXKSA1 - IPA50R199 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R250CP | Infineon Technologies | Description: IPA50R250 - 500V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R250CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550 Dauer-Drainstrom Id: 13 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | auf Bestellung 2539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 773 @ 100, Qg, нКл = 32,6 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4,2 A, 13 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 350 мкА, Р, Вт = 30,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 FP Од. вим: Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon technologies | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 121500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 7.5A Power dissipation: 30.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R280CFD7 | Infineon Technologies | Description: IPA50R280CFD - 500V CoolMOS Powe Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R280CFD7 | Infineon Technologies | IPA50R280CFD7 | auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280E6 | Infineon Technologies | Description: IPA50R280 - 500V, CoolMOS N-Chan Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA50R280E6 | Infineon Technologies | IPA50R280E6 | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R280E6 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA50R280E6 - IPA50R280 - 500V, COOLMOS N-CHANEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 285 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 12A TO220FP-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 19181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 5246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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