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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT2080KEHRC11RohmTransistor MOSFET N-CH 1200V 40A 3-Pin TO-247N Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.12 EUR
10+46.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2080KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 262
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 262
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+103.32 EUR
3+98.33 EUR
5+93.26 EUR
10+88.71 EUR
20+85.28 EUR
50+82.17 EUR
100+78.71 EUR
250+77.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.99 EUR
50+17.5 EUR
100+17.21 EUR
200+16.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.61 EUR
10+13.3 EUR
100+11.47 EUR
600+11.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.04 EUR
11+19.71 EUR
50+18.37 EUR
100+17.08 EUR
250+15.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.16 EUR
30+13.34 EUR
120+11.41 EUR
510+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+20.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.81 EUR
10+21.85 EUR
600+16.28 EUR
1200+14.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26 EUR
10+20.11 EUR
25+18.02 EUR
50+17.16 EUR
100+15.12 EUR
250+13.74 EUR
500+12.61 EUR
1000+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+9.56 EUR
100+9.48 EUR
1000+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26 EUR
10+20.55 EUR
25+18.72 EUR
50+18.11 EUR
100+16.39 EUR
250+15.3 EUR
500+14.34 EUR
1000+13.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N170STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ TJ = 25 C)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N170AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., Tj = 25 C) in an HiP247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2110CSS
Produktcode: 163823
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IC > IC LED-Treiber
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2110CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYCategory: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SSOP16; 5÷160mA; Ch: 8; 4.5÷5.5VDC
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 5...160mA
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 15ns
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP16
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 8
Impulse rise time: 15ns
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
83+1.04 EUR
105+0.83 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2120AFCROHM SemiconductorMOSFET MOSFET650V 29 -220A Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2120AFCRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KECROHM SemiconductorMOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.7 EUR
25+22.29 EUR
50+20.93 EUR
100+19.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 2nd Gen TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.42 EUR
9+28.14 EUR
10+23.32 EUR
50+23.16 EUR
100+23 EUR
250+22.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.31 EUR
8+21.29 EUR
10+19.93 EUR
50+17.47 EUR
100+15.96 EUR
200+15.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.8 EUR
10+23.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.58 EUR
25+24.05 EUR
50+22.59 EUR
100+21.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.41 EUR
30+25.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11ROHM SemiconductorMOSFET 1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
25+27.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2160KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.96 EUR
7+36.25 EUR
10+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.25 EUR
7+24.42 EUR
10+22.82 EUR
50+20.09 EUR
100+18.34 EUR
200+17.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSOG SCT2168CSOG STARCHIPS UISCT2168csog
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSOG SCT2168CSOG STARCHIPS UISCT2168csog
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSSG; SCT2110CSSG(B); SCT2110CSSG-B; SCT2168CSSG STARCHIPS UISCT2168cssg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSSG; SCT2110CSSG(B); SCT2110CSSG-B; SCT2168CSSG STARCHIPS UISCT2168cssg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2180ASOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5-100mA; 4,5V~5,5V; 8bit; 8MHz; 80ns; -40°C~85°C; SCT2180ASOG UISCT2180asog
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-010-S0R35A042JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 8.99mH 1A DCR=403.55mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-020-S0R5A033JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 5.54mH 2A DCR=159.13mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-030-S0R6A021JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 2.24mH 3A DCR=72.4mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-040-S0R65A014JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.99mH 4A DCR=41.92mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-050-S0R75A012JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.72mH 5A DCR=27.74mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-070-S0R9A009JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.4mH 7A DCR=14.7mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2210CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5~90mA; 4.5~5.5V; 25MHz; 16bit; 1,49W; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSSG UISCT2210cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2210CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5~90mA; 4.5~5.5V; 25MHz; 16bit; 1,49W; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSSG UISCT2210cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2210CSTGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5-90mA; 4,5V~5,5V; 16bit; 1,49W; 50ns; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSTG UISCT2210cstg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213102ITACOILDescription: CM Choke 2x1mH 12A High Curr
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+8.21 EUR
160+8.07 EUR
240+7.93 EUR
320+7.78 EUR
400+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213103ITACOILDescription: CM Choke 2x10mH 3.0A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+6.87 EUR
160+6.74 EUR
240+6.63 EUR
320+6.51 EUR
400+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213393ITACOILDescription: CM Choke 2x39mH 1.75A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+8.16 EUR
160+8.02 EUR
240+7.88 EUR
320+7.74 EUR
400+7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213472ITACOILDescription: CM Choke 2x4.7mH 4.5A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+8.21 EUR
160+8.07 EUR
240+7.93 EUR
320+7.78 EUR
400+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT224K162D3B31-1FCornell DubilierFILM CAPACITOR
auf Bestellung 7963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KECROHM SemiconductorMOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+16.9 EUR
25+15.33 EUR
100+14.08 EUR
250+13.26 EUR
360+12.4 EUR
1080+11.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.72 EUR
25+12.9 EUR
50+12.11 EUR
100+11.42 EUR
250+10.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.61 EUR
12+20.44 EUR
14+15.79 EUR
50+15.48 EUR
100+15.16 EUR
250+14.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.86 EUR
11+15.8 EUR
50+14.45 EUR
100+12.51 EUR
200+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.74 EUR
25+14.8 EUR
50+13.9 EUR
100+13.11 EUR
250+12.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2280KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.43 EUR
30+16.58 EUR
120+15.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.74 EUR
25+14.8 EUR
50+13.9 EUR
100+13.11 EUR
250+12.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 14A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.55 EUR
10+28.13 EUR
25+18.85 EUR
50+18.83 EUR
100+17.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.93 EUR
12+15.28 EUR
50+13.97 EUR
100+12.1 EUR
200+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2301AT4GSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; Single Channel; 80~720mA; 3V~5.5V; 5MHz; 200ns; 2,5W; 500kOhma; -40°C~85°C; SCT2301AT4G UISCT2301at4g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2320KECRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1200V TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-060-1R0A028VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 4.22mH 6A DCR=41.06Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.32 EUR
25+7.85 EUR
50+7.58 EUR
120+7.27 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-070-1R1A025VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 3.36mH 7A DCR=28.9Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+9.72 EUR
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50+8.15 EUR
120+7.54 EUR
240+7.41 EUR
600+6.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-090-1R2A021VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 2.37mH 9A DCR=20.4Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
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25+8.65 EUR
50+8.16 EUR
120+7.56 EUR
240+6.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-110-1R3A018JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.74mH 11A DCR=15.09Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+10.77 EUR
25+9.59 EUR
50+9.04 EUR
120+8.38 EUR
240+8.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-110-1R3A018VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.74mH 11A DCR=15.09Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
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10+9.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.21mH 13A DCR=11.18Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+10.77 EUR
25+9.59 EUR
50+9.04 EUR
120+8.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015JVKEMETDescription: KEMET - SCT23X-130-1R4A015JV - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 1.21mH, 13A, 500V, Baureihe SCT23X
tariffCode: 85480090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.21mH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0111ohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 13A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT23X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 130°C
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.97 EUR
20+12.02 EUR
50+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015VKEMETDescription: KEMET - SCT23X-130-1R4A015V - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 1.21mH, 13A, 500V, Baureihe SCT23X
tariffCode: 85480090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.21mH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0111ohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 13A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT23X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 130°C
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
22+10.79 EUR
50+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.21mH 13A DCR=11.18Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.82 EUR
25+8.16 EUR
50+7.69 EUR
120+7.14 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-140-1R5A013VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 0.91mH 14A DCR=8.45Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.32 EUR
25+7.85 EUR
50+7.58 EUR
120+7.27 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-170-1R6A012VKEMETDescription: IND COMMON MODE 0.77MH 17A
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
10+8.96 EUR
25+8.29 EUR
50+7.82 EUR
120+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-170-1R6A012VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 0.77mH 17A DCR=6.98Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.82 EUR
25+8.16 EUR
50+7.69 EUR
120+7.14 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400EVMCML MicrocircuitsDescription: 2 EVAL BOARDS FOR SCT2400HDA
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: SCT2400
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400EVMCML MicroRF Development Tools Evaluation Kit for SCT2400HDA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+339.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400HDACML MicroRF Transceiver Highly Integrated 2.4GHz Spread Spectrum Radio Transceiver, Including Modem and Optimised Vocoder
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
25+24.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400HDACML MicroDescription: RF TXRX MODULE SURFACE MOUNT
DigiKey Programmable: Not Verified
Utilized IC / Part: SCT2400
Current - Transmitting: 24mA
Current - Receiving: 12.5mA
Data Rate: 3.6kbps
Power - Output: 12dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -119dBm
Package / Case: 144-LFBGA
Packaging: Tray
Part Status: Active
Serial Interfaces: I2C, I2S, UART, USB
Modulation: FSK, OOK
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.93 EUR
25+26.2 EUR
100+23.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 10A 85W 0,585R TO247 SCT2450KEC : Rohm SCT2450KEC TSCT2450kec
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 85W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECROHM SemiconductorMOSFET 1200V 10A 450mOhm Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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