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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT2080KEHRC11RohmTransistor MOSFET N-CH 1200V 40A 3-Pin TO-247N Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.12 EUR
10+46.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2080KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 262
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 262
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+103.32 EUR
3+98.33 EUR
5+93.26 EUR
10+88.71 EUR
20+85.28 EUR
50+82.17 EUR
100+78.71 EUR
250+77.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.99 EUR
50+17.5 EUR
100+17.21 EUR
200+16.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.61 EUR
10+13.3 EUR
100+11.47 EUR
600+11.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.04 EUR
11+19.71 EUR
50+18.37 EUR
100+17.08 EUR
250+15.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.16 EUR
30+13.34 EUR
120+11.41 EUR
510+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.81 EUR
10+21.85 EUR
600+16.28 EUR
1200+14.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+20.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26 EUR
10+20.11 EUR
25+18.02 EUR
50+17.16 EUR
100+15.12 EUR
250+13.74 EUR
500+12.61 EUR
1000+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+9.56 EUR
100+9.48 EUR
1000+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26 EUR
10+20.55 EUR
25+18.72 EUR
50+18.11 EUR
100+16.39 EUR
250+15.3 EUR
500+14.34 EUR
1000+13.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N170STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ TJ = 25 C)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N170AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., Tj = 25 C) in an HiP247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2110CSS
Produktcode: 163823
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IC > IC LED-Treiber
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2110CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYCategory: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SSOP16; 5÷160mA; Ch: 8; 4.5÷5.5VDC
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 5...160mA
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 15ns
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP16
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 8
Impulse rise time: 15ns
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
83+1.04 EUR
105+0.83 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2120AFCROHM SemiconductorMOSFET MOSFET650V 29 -220A Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2120AFCRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KECROHM SemiconductorMOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.8 EUR
10+23.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.31 EUR
8+21.29 EUR
10+19.93 EUR
50+17.47 EUR
100+15.96 EUR
200+15.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.7 EUR
25+22.29 EUR
50+20.93 EUR
100+19.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 2nd Gen TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.42 EUR
9+28.14 EUR
10+23.32 EUR
50+23.16 EUR
100+23 EUR
250+22.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11ROHM SemiconductorMOSFET 1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
25+27.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2160KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.96 EUR
7+36.25 EUR
10+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.25 EUR
7+24.42 EUR
10+22.82 EUR
50+20.09 EUR
100+18.34 EUR
200+17.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.41 EUR
30+25.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.58 EUR
25+24.05 EUR
50+22.59 EUR
100+21.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSOG SCT2168CSOG STARCHIPS UISCT2168csog
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSOG SCT2168CSOG STARCHIPS UISCT2168csog
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSSG; SCT2110CSSG(B); SCT2110CSSG-B; SCT2168CSSG STARCHIPS UISCT2168cssg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2168CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSSG; SCT2110CSSG(B); SCT2110CSSG-B; SCT2168CSSG STARCHIPS UISCT2168cssg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2180ASOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5-100mA; 4,5V~5,5V; 8bit; 8MHz; 80ns; -40°C~85°C; SCT2180ASOG UISCT2180asog
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-010-S0R35A042JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 8.99mH 1A DCR=403.55mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-020-S0R5A033JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 5.54mH 2A DCR=159.13mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-030-S0R6A021JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 2.24mH 3A DCR=72.4mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-040-S0R65A014JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.99mH 4A DCR=41.92mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-050-S0R75A012JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.72mH 5A DCR=27.74mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT21X-070-S0R9A009JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.4mH 7A DCR=14.7mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+10.6 EUR
25+10.09 EUR
50+8.88 EUR
100+8.23 EUR
210+7.96 EUR
420+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2210CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5~90mA; 4.5~5.5V; 25MHz; 16bit; 1,49W; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSSG UISCT2210cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2210CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5~90mA; 4.5~5.5V; 25MHz; 16bit; 1,49W; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSSG UISCT2210cssg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2210CSTGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5-90mA; 4,5V~5,5V; 16bit; 1,49W; 50ns; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSTG UISCT2210cstg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213102ITACOILDescription: CM Choke 2x1mH 12A High Curr
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+8.21 EUR
160+8.07 EUR
240+7.93 EUR
320+7.78 EUR
400+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213103ITACOILDescription: CM Choke 2x10mH 3.0A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+6.87 EUR
160+6.74 EUR
240+6.63 EUR
320+6.51 EUR
400+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213393ITACOILDescription: CM Choke 2x39mH 1.75A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+8.16 EUR
160+8.02 EUR
240+7.88 EUR
320+7.74 EUR
400+7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2213472ITACOILDescription: CM Choke 2x4.7mH 4.5A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+8.21 EUR
160+8.07 EUR
240+7.93 EUR
320+7.78 EUR
400+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT224K162D3B31-1FCornell DubilierFILM CAPACITOR
auf Bestellung 7963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KECROHM SemiconductorMOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+16.9 EUR
25+15.33 EUR
100+14.08 EUR
250+13.26 EUR
360+12.4 EUR
1080+11.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.86 EUR
11+15.8 EUR
50+14.45 EUR
100+12.51 EUR
200+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.72 EUR
25+12.9 EUR
50+12.11 EUR
100+11.42 EUR
250+10.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.61 EUR
12+20.44 EUR
14+15.79 EUR
50+15.48 EUR
100+15.16 EUR
250+14.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.93 EUR
12+15.28 EUR
50+13.97 EUR
100+12.1 EUR
200+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.74 EUR
25+14.8 EUR
50+13.9 EUR
100+13.11 EUR
250+12.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2280KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.43 EUR
30+16.58 EUR
120+15.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.74 EUR
25+14.8 EUR
50+13.9 EUR
100+13.11 EUR
250+12.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2280KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 14A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.55 EUR
10+28.13 EUR
25+18.85 EUR
50+18.83 EUR
100+17.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2301AT4GSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; Single Channel; 80~720mA; 3V~5.5V; 5MHz; 200ns; 2,5W; 500kOhma; -40°C~85°C; SCT2301AT4G UISCT2301at4g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2320KECRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1200V TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-060-1R0A028VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 4.22mH 6A DCR=41.06Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.32 EUR
25+7.85 EUR
50+7.58 EUR
120+7.27 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-070-1R1A025VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 3.36mH 7A DCR=28.9Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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240+7.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-090-1R2A021VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 2.37mH 9A DCR=20.4Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+9.7 EUR
25+8.65 EUR
50+8.16 EUR
120+7.56 EUR
240+6.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-110-1R3A018JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.74mH 11A DCR=15.09Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
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1+13.3 EUR
10+10.77 EUR
25+9.59 EUR
50+9.04 EUR
120+8.38 EUR
240+8.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-110-1R3A018VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.74mH 11A DCR=15.09Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+9.7 EUR
25+8.65 EUR
50+8.16 EUR
120+7.56 EUR
240+6.5 EUR
600+6.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015JVKEMETDescription: KEMET - SCT23X-130-1R4A015JV - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 1.21mH, 13A, 500V, Baureihe SCT23X
tariffCode: 85480090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.21mH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0111ohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 13A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT23X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 130°C
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.97 EUR
20+12.02 EUR
50+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.21mH 13A DCR=11.18Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+10.77 EUR
25+9.59 EUR
50+9.04 EUR
120+8.38 EUR
240+8.25 EUR
600+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.21mH 13A DCR=11.18Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.82 EUR
25+8.16 EUR
50+7.69 EUR
120+7.14 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-130-1R4A015VKEMETDescription: KEMET - SCT23X-130-1R4A015V - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 1.21mH, 13A, 500V, Baureihe SCT23X
tariffCode: 85480090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.21mH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0111ohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 13A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT23X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 130°C
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
22+10.79 EUR
50+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-140-1R5A013VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 0.91mH 14A DCR=8.45Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.32 EUR
25+7.85 EUR
50+7.58 EUR
120+7.27 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-170-1R6A012VKEMETDescription: IND COMMON MODE 0.77MH 17A
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
10+8.96 EUR
25+8.29 EUR
50+7.82 EUR
120+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT23X-170-1R6A012VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 0.77mH 17A DCR=6.98Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+8.82 EUR
25+8.16 EUR
50+7.69 EUR
120+7.14 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400EVMCML MicrocircuitsDescription: 2 EVAL BOARDS FOR SCT2400HDA
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: SCT2400
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400EVMCML MicroRF Development Tools Evaluation Kit for SCT2400HDA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+339.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400HDACML MicroDescription: RF TXRX MODULE SURFACE MOUNT
DigiKey Programmable: Not Verified
Utilized IC / Part: SCT2400
Current - Transmitting: 24mA
Current - Receiving: 12.5mA
Data Rate: 3.6kbps
Power - Output: 12dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -119dBm
Package / Case: 144-LFBGA
Packaging: Tray
Part Status: Active
Serial Interfaces: I2C, I2S, UART, USB
Modulation: FSK, OOK
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.93 EUR
25+26.2 EUR
100+23.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2400HDACML MicroRF Transceiver Highly Integrated 2.4GHz Spread Spectrum Radio Transceiver, Including Modem and Optimised Vocoder
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
25+24.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECROHM SemiconductorMOSFET 1200V 10A 450mOhm Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 10A 85W 0,585R TO247 SCT2450KEC : Rohm SCT2450KEC TSCT2450kec
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 85W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2450KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+20.34 EUR
25+15.15 EUR
50+14.1 EUR
100+13.1 EUR
250+11.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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