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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K2615RToshibaMOSFET Pb-F SOT-23F MOSFET (LF) TRANSISTOR Pd=1W F=1MHz V 20 V I 6A
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1 EUR
10+0.87 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 150 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 300 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.93 EUR
227+0.75 EUR
230+0.71 EUR
329+0.48 EUR
333+0.45 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 42552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.26 EUR
21000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.68 EUR
311+0.55 EUR
320+0.51 EUR
394+0.4 EUR
422+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
auf Bestellung 3249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
auf Bestellung 7415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K301T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 3.5A 20V 12VGSS
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K302T
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K302TT5LSONYF
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K310T
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K310T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 5.0A 20V 8VGSS
auf Bestellung 1677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K316T
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
auf Bestellung 18889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.54 EUR
577+0.3 EUR
599+0.29 EUR
604+0.27 EUR
1114+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.69 EUR
328+0.52 EUR
331+0.49 EUR
577+0.27 EUR
599+0.25 EUR
604+0.24 EUR
1114+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 496 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3K318R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
497+0.36 EUR
500+0.35 EUR
613+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 497 Stücke
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SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1299+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1299 Stücke
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SSM3K324R,LFToshibaMOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1299+0.13 EUR
3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
auf Bestellung 8618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 12160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.2 EUR
1028+0.17 EUR
1085+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324RLF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K329RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K329R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LFToshibaMOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS
auf Bestellung 92811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.55 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
45000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 289mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.126 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.126ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 5025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329RLF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333RToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 16330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.26 EUR
1044+0.17 EUR
1397+0.12 EUR
1415+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
auf Bestellung 79772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
12+0.29 EUR
100+0.19 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 16330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
406+0.43 EUR
662+0.26 EUR
669+0.25 EUR
1044+0.15 EUR
1052+0.14 EUR
1397+0.1 EUR
1415+0.098 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 406 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
480+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
auf Bestellung 15157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
734+0.24 EUR
893+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 734 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3K333R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.31 EUR
683+0.25 EUR
774+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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SSM3K333RLF(TToshibaMOSFETs
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SSM3K333RLXGF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
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SSM3K335RToshibaMOSFETs
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SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2014 Stücke:
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389+0.45 EUR
607+0.29 EUR
613+0.27 EUR
815+0.2 EUR
1417+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
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SSM3K335R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 438 Stücke:
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23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2014 Stücke:
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240+0.74 EUR
385+0.44 EUR
389+0.42 EUR
607+0.26 EUR
613+0.25 EUR
815+0.18 EUR
1417+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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SSM3K335R,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
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100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SSM3K335R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 4 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Очікується: 287 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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