Produkte > AOS

AOS 113 X 165 X 0,635

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 127

Description: FISCHER ELEKTRONIK - AOS 127 - Wärmeisolator, TO 127, Aluminiumoxidkeramik, 25 W/m.K, 3 mm, 10000000 MOhm-m
tariffCode: 85479000
Spannungsfestigkeit: 10kV/mm
rohsCompliant: YES
Wärmewiderstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolatoraußenmaterial: Aluminiumoxidkeramik
Durchbruchspannung Vbr: -
euEccn: NLR
Spezifischer Durchgangswiderstand: 10000000MOhm-m
Dicke: 3mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wärmeleitfähigkeit: 25W/m.K
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 127

Aluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 18

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 7408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	1.27 EUR
62+	1.16 EUR
100+	1.02 EUR
800+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 57

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 7841 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.56 EUR
100+	1.41 EUR
103+	1.32 EUR
107+	1.22 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 7840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.47 EUR
103+	1.37 EUR
107+	1.27 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

import

dimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 7408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	1.9 EUR
100+	1.64 EUR
800+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

auf Bestellung 7408 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

57+	1.27 EUR
62+	1.16 EUR
100+	1.02 EUR
800+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 57

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 1162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.41 EUR
44+	3.1 EUR
100+	2.95 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 2085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.63 EUR
29+	4.89 EUR
100+	4.18 EUR
1000+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 2085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.4 EUR
24+	3.06 EUR
100+	2.72 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

Description: Aluminium oxide wafers AOS 218 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-218
Outline: 21.00mm x 25.00mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.41 EUR
44+	3.1 EUR
100+	2.95 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 218 247 1

auf Bestellung 2085 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.4 EUR
24+	3.06 EUR
100+	2.72 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 41687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 21068 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

179+	0.82 EUR
183+	0.77 EUR
190+	0.72 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 179

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 21068 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 3

Aluminum Oxide Wafers

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

163+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 163

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 3

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 19.30mm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.73 EUR
202+	0.7 EUR
204+	0.67 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

auf Bestellung 3428 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

58+	1.24 EUR
68+	1.06 EUR
102+	0.7 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 12.00mm x 18.00mm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

196+	0.75 EUR
205+	0.69 EUR
207+	0.66 EUR
210+	0.62 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 196

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

auf Bestellung 3428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	1.24 EUR
68+	1.06 EUR
102+	0.7 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 3428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.79 EUR
123+	1.15 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 18.00mm

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220-3

Thickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 4253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 209

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO247
Thickness: 1mm
Width: 23mm
Length: 20mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 13832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	1.09 EUR
109+	0.66 EUR
140+	0.51 EUR
200+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 66

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

auf Bestellung 13832 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

66+	1.09 EUR
109+	0.66 EUR
140+	0.51 EUR
200+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 66

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

AOS3 Heatsinks - equipment

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	3 EUR
40+	1.8 EUR
43+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.43 EUR
50+	2.95 EUR
100+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

dimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.03 EUR
53+	2.67 EUR
100+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0394" (1.000mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TOP-3
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

AOS3P2 Heatsinks - equipment

auf Bestellung 2222 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

28+	2.57 EUR
43+	1.69 EUR
45+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

AOS3PSL Heatsinks - equipment

auf Bestellung 3388 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

48+	1.5 EUR
74+	0.97 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.65 EUR
100+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 89

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 32

AOS32 Heatsinks - equipment

auf Bestellung 311 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

45+	1.6 EUR
115+	0.62 EUR
122+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 45

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 32

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 32

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 150

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3P2

dimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 5

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 66

Description: Aluminium oxide wafers AOS 66
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Round
Thickness: 0.0984" (2.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-66
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 66

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 93

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (53X24X1,5MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (53X24X1MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (72,1X24X1MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SPECIAL 33X29X1.27

Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS-NGG

Description: MICRO-SWITCH W/GOLD CONTACTS
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS-SPECIAL

AOS-SPECIAL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS-SPECIAL W006836

44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247 Dichtung keramische 3mm 25x21 TO218/247
Produktcode: 29478

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische, 3mm 25x21mm, für ТО-218, ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 21х25х3mm + Loch.4,0mm, fuer Gehause TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
білий

Produkt ist nicht verfügbar

erwartet 50 St.:

1+	0.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247/1 Dichtung keramische 1,5mm 25x21
Produktcode: 53560

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-218, ТО-247; 1,5mm, 25x21mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 1,5mm, 25x21mm, fuer Gehause ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 4 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	2.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247 Прокладка керамическая 1мм 25x20 TO218/247
Produktcode: 131173

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Größe: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
білий

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220

Fischer Electronik

Прокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:2mm
Produktcode: 214305

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:2mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Größe: 12х18х2мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 295 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 keramische Dichtung TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Produktcode: 42354

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 12х18х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 166 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 10 St.:

1+	0.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамическая прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm;
Produktcode: 165257

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Produktcode: 204993

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 10 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:1,6mm
Produktcode: 216162

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х1,6мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 39 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Produktcode: 112401

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER (шт)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.19 EUR
74+	1.91 EUR
79+	1.73 EUR
81+	1.63 EUR
100+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 67

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.79 EUR
87+	1.63 EUR
89+	1.53 EUR
100+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS247 Dichtung keramische TO-247
Produktcode: 35986

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 20х23х1mm, fuer Gehause TO-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 155 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS296A001

AOD296A_001

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32

FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KG

Dimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32

Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32 Dichtung keramische
Produktcode: 75513

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-B

Description: TWS
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-B

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-R

Description: (TWS)
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-R

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

134+	1.09 EUR
144+	0.98 EUR
148+	0.92 EUR
153+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 134

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.02 EUR
148+	0.96 EUR
153+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P Dichtung keramische fur TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Produktcode: 41939

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 17,5х20,5х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-3P
Матеріал: Кераміка
білий

Produkt ist nicht verfügbar

1+	0.96 EUR
10+	0.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Produktcode: 112773

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Zubehör für Gehäuse

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSB113552

07+

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

30V Dual P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.36 EUR
9000+	0.35 EUR
15000+	0.33 EUR
21000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 47195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 7396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

30V Complementary MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

AOSD26313C Multi channel transistors

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

168+	0.43 EUR
379+	0.19 EUR
400+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 168

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.2 EUR
15000+	0.19 EUR
21000+	0.18 EUR
30000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

30V Dual N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 86186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
29+	0.62 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32338C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 27231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.55 EUR
11+	1.63 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

AOSD62666E Multi channel transistors

auf Bestellung 724 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
168+	0.43 EUR
182+	0.39 EUR
193+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.64 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.1

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	59.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.2

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	87.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.3

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 6699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSOP.SET

Description: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP1800

Description: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	170.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP1800-220V

Description: SP1800 MINI SOLDER POT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	174.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP2000+

Description: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21311C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 6811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1904 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

239+	0.3 EUR
311+	0.23 EUR
350+	0.2 EUR
500+	0.18 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

auf Bestellung 2830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

auf Bestellung 1904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	0.3 EUR
311+	0.23 EUR
350+	0.2 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

auf Bestellung 2109 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.66 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

auf Bestellung 968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
18+	0.98 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

auf Bestellung 8566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 22mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

30V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

auf Bestellung 3122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.3 EUR
22+	0.81 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

AOSP32368 SMD N channel transistors

auf Bestellung 2998 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
250+	0.29 EUR
265+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.22 EUR
15000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

AOSP36326C SMD N channel transistors

auf Bestellung 2942 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

253+	0.28 EUR
472+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 253

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

auf Bestellung 30957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
27+	0.66 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP4000

Description: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP62530

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP62626E

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

AOSP66406 SMD N channel transistors

auf Bestellung 1884 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

74+	0.97 EUR
325+	0.22 EUR
345+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66919

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 18169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	1.79 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.2 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66925

Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66925

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

AOSS21115C SMD P channel transistors

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

307+	0.23 EUR
863+	0.083 EUR
926+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 8406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
40+	0.45 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
42+	0.42 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 15822 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.38 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2229 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

379+	0.19 EUR
618+	0.12 EUR
685+	0.1 EUR
770+	0.093 EUR
3000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 379

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 84010 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
41+	0.43 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

auf Bestellung 2229 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

379+	0.19 EUR
618+	0.12 EUR
685+	0.1 EUR
770+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 379

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
15000+	0.12 EUR
30000+	0.11 EUR
75000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23

auf Bestellung 2775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	0.22 EUR
470+	0.15 EUR
520+	0.14 EUR
590+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

auf Bestellung 2775 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

325+	0.22 EUR
470+	0.15 EUR
520+	0.14 EUR
590+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 4427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
45+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.1 EUR
9000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 555 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

340+	0.21 EUR
555+	0.13 EUR
3000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 340

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.11 EUR
15000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.1 EUR
9000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

30V N-Channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

auf Bestellung 17061 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
49+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

auf Bestellung 555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

340+	0.21 EUR
555+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 340

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

auf Bestellung 165778 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR
21000+	0.15 EUR
75000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934

AOSS62934 SMD N channel transistors

auf Bestellung 1399 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

526+	0.14 EUR
957+	0.075 EUR
1011+	0.071 EUR

Mindestbestellmenge: 526

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS62934 LK.

ALPHA&OMEGA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSX21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSX32128