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AOS 113 X 165 X 0,635

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AOS 127

Aluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9

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AOS 18

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 218 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Mounting hole diameter: 4mm
Thickness: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
75+	0.96 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	1.25 EUR
125+	1.14 EUR
128+	1.07 EUR
130+	1.02 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 118

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AOS 218 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 1162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 218 247

RICHONE

dimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOS 218 247

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
75+	0.96 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 3446 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 92

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AOS 218 247

RICHONE

dimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.17 EUR
130+	1.10 EUR
132+	1.05 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 127

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AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3K/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.50 EUR
45+	3.17 EUR
47+	2.93 EUR
100+	2.70 EUR
500+	2.50 EUR

Mindestbestellmenge: 43

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AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3K/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 1993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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AOS 218 247 1

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 218 247 1

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Mounting hole diameter: 4mm
Thickness: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1154 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.80 EUR
26+	2.76 EUR
28+	2.60 EUR
2000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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AOS 218 247 1

auf Bestellung 1154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.80 EUR
26+	2.76 EUR
28+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3K/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.46 EUR
46+	3.13 EUR
48+	2.89 EUR
100+	2.66 EUR
500+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 43

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 3645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

335+	0.44 EUR
341+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 335

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AOS 220

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOS 220

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 41687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 220

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4604 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

59+	1.22 EUR
100+	0.72 EUR
124+	0.58 EUR
131+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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AOS 220

auf Bestellung 4604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	1.22 EUR
100+	0.72 EUR
124+	0.58 EUR
131+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 3668 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

309+	0.48 EUR
320+	0.45 EUR
323+	0.43 EUR
329+	0.40 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 309

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 4624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 139

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AOS 220 3

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOS 220 3

Aluminum Oxide Wafers

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

176+	0.84 EUR
250+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 176

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AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

170+	0.87 EUR
250+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 170

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AOS 220 4

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Width: 18mm
Length: 12mm
Application: TO220
Mounting hole diameter: 4mm
Thickness: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 4210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	1.39 EUR
61+	1.18 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 52

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220 4

auf Bestellung 4210 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

52+	1.39 EUR
61+	1.18 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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AOS 220 4

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOS 220 4

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

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AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 3160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 85

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AOS 220 SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOS 220 SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

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AOS 220-3

Thickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOS 220-3

Category: Semiconductors - accessories - Unclass.
Description: AOS 220-3

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 72

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AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 4253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 209

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AOS 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Application: TO247
Length: 20mm
Width: 23mm
Thickness: 1mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	1.13 EUR
106+	0.68 EUR
148+	0.49 EUR
152+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 64

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

64+	1.13 EUR
106+	0.68 EUR
148+	0.49 EUR
152+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 64

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

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AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 3

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3; L: 26.3mm; W: 40mm; Thk: 2.9mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3
Length: 26.3mm
Width: 40mm
Thickness: 2.9mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4.2mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

28+	2.65 EUR
31+	2.32 EUR
34+	2.12 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 3

dimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.65 EUR
31+	2.32 EUR
34+	2.12 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

59+	1.23 EUR
79+	0.91 EUR
85+	0.84 EUR
92+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 59

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	1.23 EUR
79+	0.91 EUR
85+	0.84 EUR
92+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 59

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 20mm
Width: 23mm
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.6mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 3227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.26 EUR
38+	1.89 EUR
39+	1.86 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.46 EUR
67+	2.16 EUR
100+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 61

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

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AOS 3 P 2

auf Bestellung 3227 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.26 EUR
38+	1.89 EUR
39+	1.86 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 2238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.57 EUR
100+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.29 EUR
120+	1.20 EUR
125+	1.10 EUR
127+	1.04 EUR
131+	0.97 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 115

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

auf Bestellung 2631 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
64+	1.13 EUR
70+	1.03 EUR
81+	0.89 EUR
87+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.25 EUR
124+	1.15 EUR
127+	1.09 EUR
130+	1.02 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 119

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

auf Bestellung 2631 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
64+	1.13 EUR
70+	1.03 EUR
81+	0.89 EUR
87+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 32

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	1.42 EUR
79+	0.91 EUR
92+	0.78 EUR
125+	0.58 EUR
132+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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AOS 32

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

51+	1.42 EUR
79+	0.91 EUR
92+	0.78 EUR
125+	0.58 EUR
132+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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AOS 32

FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KG

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 32 : ASO32

AOS32 Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 3P2

dimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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AOS 5

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

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AOS 66

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm

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AOS 93

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

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AOS SL (53X24X1,5MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (53X24X1MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (72,1X24X1MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

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AOS SPECIAL 33X29X1.27

Aluminium Oxide Wafer

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AOS-SPECIAL

AOS-SPECIAL

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AOS-SPECIAL W006836

44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm.

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AOS218/247

CHINA

Dimensions: 25x21x1.5mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; (Fischer : AOS 218 247-1 Thickness 1.5mm) Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 TPTO218/247cer-1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOS218/247 Dichtung keramische 3mm 25x21 TO218/247
Produktcode: 29478

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische, 3mm 25x21mm, für ТО-218, ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 21х25х3mm + Loch.4,0mm, fuer Gehause TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 491 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247/1 Dichtung keramische 1,5mm 25x21
Produktcode: 53560

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-218, ТО-247; 1,5mm, 25x21mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 1,5mm, 25x21mm, fuer Gehause ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
білий

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1+	2.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247 Прокладка керамическая 1мм 25x20 TO218/247
Produktcode: 131173

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Größe: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
білий

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247; (25х21х3,0мм); оксид алюминия; для TO218/TO247; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS220

Fischer Electronik

Прокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	0.72 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 keramische Dichtung TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Produktcode: 42354

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 12х18х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

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erwartet 200 Stück:

200 Stück - erwartet

1+	0.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Produktcode: 204993

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 25 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамическая прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm;
Produktcode: 165257

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Produktcode: 112401

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Isoliermaterialien

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.21 EUR
74+	1.93 EUR
79+	1.75 EUR
81+	1.65 EUR
100+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 67

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.81 EUR
87+	1.65 EUR
89+	1.55 EUR
100+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS247 Dichtung keramische TO-247
Produktcode: 35986

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 20х23х1mm, fuer Gehause TO-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 169 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS296A001

AOD296A_001

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32

Dimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32 Dichtung keramische
Produktcode: 75513

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Isoliermaterialien

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-B

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-B

Description: TWS
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-R

Description: (TWS)
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-R

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.19 EUR
133+	1.08 EUR
138+	1.00 EUR
143+	0.93 EUR
150+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.12 EUR
137+	1.04 EUR
142+	0.97 EUR
149+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 132

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.33 EUR
116+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P Dichtung keramische fur TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Produktcode: 41939

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 17,5х20,5х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-3P
Матеріал: Кераміка
білий

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1+	0.96 EUR
10+	0.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Produktcode: 112773

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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Zubehör für Gehäuse

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSB113552

07+

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 6931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

30V Dual P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 51745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.70 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -23A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 7712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.30 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

30V Complementary MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

AOSD26313C Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

AOSD32334C Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.21 EUR
15000+	0.20 EUR
21000+	0.19 EUR
75000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

30V Dual N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 107239 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
27+	0.66 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32338C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 3081 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
182+	0.39 EUR
193+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 28088 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.83 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

auf Bestellung 3081 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
182+	0.39 EUR
193+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.1

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	59.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.2

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	87.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.3

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

AOSN21319C SMD P channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 8660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 8350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN32338C

AOSN32338C SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSOP.SET

Description: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP1800

Description: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	187.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP1800-220V

Description: SP1800 MINI SOLDER POT
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Packaging: Box
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	194.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP2000+

Description: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1070 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
167+	0.43 EUR
188+	0.38 EUR
217+	0.33 EUR
230+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

auf Bestellung 1070 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
167+	0.43 EUR
188+	0.38 EUR
217+	0.33 EUR
230+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21311C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -28A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 7805 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.55 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

auf Bestellung 14155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.18 EUR
25+	0.73 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2771 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

221+	0.32 EUR
288+	0.25 EUR
376+	0.19 EUR
397+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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AOSP21321

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376+	0.19 EUR
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AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

auf Bestellung 2213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.91 EUR

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AOSP21357

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
179+	0.40 EUR
204+	0.35 EUR
235+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

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AOSP21357

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179+	0.40 EUR
204+	0.35 EUR
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AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

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AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

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AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

auf Bestellung 761 Stücke:

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10+	1.76 EUR
16+	1.10 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR

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AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

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AOSP32314

AOSP32314 SMD N channel transistors

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AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

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AOSP32320C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

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AOSP32320C

30V N-Channel MOSFET

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AOSP32320C

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

auf Bestellung 8613 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.30 EUR
22+	0.81 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.40 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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AOSP32368

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
191+	0.38 EUR
216+	0.33 EUR
249+	0.29 EUR
264+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

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AOSP32368

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
191+	0.38 EUR
216+	0.33 EUR
249+	0.29 EUR
264+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

auf Bestellung 573 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
20+	0.91 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

AOSP36326C SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP4000

Description: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP62530

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP62626E

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1991 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

77+	0.93 EUR
254+	0.28 EUR
286+	0.25 EUR
321+	0.22 EUR
341+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

auf Bestellung 1991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	0.93 EUR
254+	0.28 EUR
286+	0.25 EUR
321+	0.22 EUR
341+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66919

AOSP66919 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66919

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 3036 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.01 EUR
10+	1.91 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

AOSP66920 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

auf Bestellung 3892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
12+	1.52 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

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AOSP66923

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 12A; 3.1W; SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: AlphaSGT™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66925

AOSP66925 SMD N channel transistors

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AOSP66925

Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66925

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 4036 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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AOSS21115C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

325+	0.22 EUR
665+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AOSS21115C

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	0.22 EUR
665+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 3639 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.30 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Drain current: 2.8A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 30511 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
42+	0.43 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.20 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
15000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 177000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
21000+	0.13 EUR
75000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 38A

auf Bestellung 2832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

353+	0.20 EUR
575+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR
820+	0.09 EUR
863+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 353

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 179916 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.30 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

auf Bestellung 2832 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

353+	0.20 EUR
575+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR
820+	0.09 EUR
863+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 353

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 3692 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
40+	0.45 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

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AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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AOSS32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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315+	0.23 EUR
680+	0.11 EUR
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AOSS32338C

30V N-Channel MOSFET

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AOSS32338C

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AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

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AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

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19+	0.93 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR
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AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

auf Bestellung 330000 Stücke:

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3000+	0.21 EUR
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9000+	0.18 EUR
15000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR
75000+	0.15 EUR

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AOSS62934

AOSS62934 SMD N channel transistors

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AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

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AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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AOSS62934 LK.

ALPHA&OMEGA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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AOSX21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

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AOSX32128