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AOS 113 X 165 X 0,635

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AOS 127

Aluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9

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AOS 18

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.43 EUR
107+	1.31 EUR
110+	1.23 EUR
113+	1.14 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 101

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AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 3038 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.03 EUR
100+	1.73 EUR
700+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 72

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AOS 218 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 1162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 218 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Thickness: 3mm
Mounting hole diameter: 4mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
75+	0.96 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.36 EUR
110+	1.28 EUR
113+	1.19 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 107

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AOS 218 247

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
75+	0.96 EUR
79+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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AOS 218 247 1

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.11 EUR
46+	2.97 EUR
100+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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AOS 218 247 1

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Thickness: 1.5mm
Mounting hole diameter: 4mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.8 EUR
27+	2.75 EUR
28+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.1 EUR
46+	2.95 EUR
100+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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AOS 218 247 1

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.8 EUR
27+	2.75 EUR
28+	2.6 EUR
2000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

auf Bestellung 1279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.16 EUR
27+	5.36 EUR
100+	4.41 EUR
1000+	3.66 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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AOS 218/247-1

RICHONE

Dimensions: 25x21x1.5mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; (Fischer : AOS 218 247-1 Thickness 1.5mm) Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 TPTO218/247cer-1
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 8609 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

302+	0.48 EUR
310+	0.45 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 302

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 41687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 4651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.22 EUR
138+	1.01 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 119

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AOS 220

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 4651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	1.22 EUR
100+	0.72 EUR
123+	0.58 EUR
130+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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AOS 220

auf Bestellung 4651 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

59+	1.22 EUR
100+	0.72 EUR
123+	0.58 EUR
130+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 8609 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

288+	0.5 EUR
302+	0.46 EUR
303+	0.44 EUR
311+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 288

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AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 220 3

Aluminum Oxide Wafers

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

163+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 163

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AOS 220 3

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 19.30mm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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AOS 220 4

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 12.00mm x 18.00mm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 2061 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

234+	0.62 EUR
236+	0.59 EUR
239+	0.56 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 234

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AOS 220 4

auf Bestellung 6239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	1.39 EUR
61+	1.18 EUR
125+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 6269 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2 EUR
109+	1.29 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 73

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AOS 220 4

auf Bestellung 6239 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

52+	1.39 EUR
61+	1.18 EUR
125+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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AOS 220 4

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

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AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 2061 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

220+	0.66 EUR
235+	0.6 EUR
237+	0.57 EUR
239+	0.54 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 220

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AOS 220 SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

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AOS 220 SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 18.00mm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 220-3

Thickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOS 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

Produkt ist nicht verfügbar

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AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 4253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 209

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Application: TO247
Length: 20mm
Width: 23mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Thickness: 1mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2657 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

64+	1.13 EUR
106+	0.68 EUR
148+	0.49 EUR
152+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 64

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 247

auf Bestellung 2657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	1.13 EUR
106+	0.68 EUR
148+	0.49 EUR
152+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 64

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3; L: 26.3mm; W: 40mm; Thk: 2.9mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3
Length: 26.3mm
Width: 40mm
Thickness: 2.9mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4.2mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.65 EUR
31+	2.32 EUR
34+	2.12 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.59 EUR
100+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

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AOS 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.39 EUR
50+	2.91 EUR
100+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3

dimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Application: TO3P
Type of heat transfer pad: ceramic
Thickness: 1.5mm

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.79 EUR
66+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0394" (1.000mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TOP-3
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3 EUR
53+	2.64 EUR
100+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Mounting hole diameter: 3.6mm
Length: 20mm
Width: 23mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Application: TO3P
Type of heat transfer pad: ceramic
Thickness: 1mm

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.26 EUR
38+	1.89 EUR
39+	1.86 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P 2

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.26 EUR
38+	1.89 EUR
39+	1.86 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
64+	1.13 EUR
70+	1.03 EUR
81+	0.89 EUR
85+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.63 EUR
100+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 89

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
64+	1.13 EUR
70+	1.03 EUR
81+	0.89 EUR
85+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS 32

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 150

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AOS 32

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

51+	1.42 EUR
79+	0.91 EUR
92+	0.78 EUR
125+	0.58 EUR
132+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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AOS 32

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	1.42 EUR
79+	0.91 EUR
92+	0.78 EUR
125+	0.58 EUR
132+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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AOS 32

Aluminium Oxide Wafer

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AOS 3P2

dimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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AOS 5

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

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AOS 66

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm

Produkt ist nicht verfügbar

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AOS 66

Description: Aluminium oxide wafers AOS 66
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Round
Thickness: 0.0984" (2.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-66
Thermal Conductivity: 25W/m-K

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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AOS 93

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

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AOS SL (53X24X1,5MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (53X24X1MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SL (72,1X24X1MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS SPECIAL 33X29X1.27

Aluminium Oxide Wafer

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS-SPECIAL

AOS-SPECIAL

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AOS-SPECIAL W006836

44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm.

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AOS218/247 Dichtung keramische 3mm 25x21 TO218/247
Produktcode: 29478

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische, 3mm 25x21mm, für ТО-218, ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 21х25х3mm + Loch.4,0mm, fuer Gehause TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 381 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247/1 Dichtung keramische 1,5mm 25x21
Produktcode: 53560

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-218, ТО-247; 1,5mm, 25x21mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 1,5mm, 25x21mm, fuer Gehause ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 66 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	2.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS218/247 Прокладка керамическая 1мм 25x20 TO218/247
Produktcode: 131173

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Größe: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AOS220

Fischer Electronik

Прокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:2mm
Produktcode: 214305

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:2mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Größe: 12х18х2мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 300 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 keramische Dichtung TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Produktcode: 42354

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 12х18х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 12 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамическая прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm;
Produktcode: 165257

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Produktcode: 204993

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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Größe: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 25 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Produktcode: 112401

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Isoliermaterialien

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER (шт)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.16 EUR
74+	1.89 EUR
79+	1.71 EUR
81+	1.61 EUR
100+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 67

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.77 EUR
87+	1.61 EUR
89+	1.52 EUR
100+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS247 Dichtung keramische TO-247
Produktcode: 35986

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 20х23х1mm, fuer Gehause TO-247
Матеріал: Кераміка
білий

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS296A001

AOD296A_001

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32

FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KG

Dimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32

Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS32 Dichtung keramische
Produktcode: 75513

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Isoliermaterialien

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-B

Description: TWS
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-B

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-R

Description: (TWS)
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS322N-R

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

134+	1.08 EUR
144+	0.97 EUR
148+	0.91 EUR
153+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 134

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.01 EUR
148+	0.95 EUR
153+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P Dichtung keramische fur TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Produktcode: 41939

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Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische für ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 17,5х20,5х1,5mm + Loch.3,1mm, fuer Gehause TO-3P
Матеріал: Кераміка
білий

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1+	0.96 EUR
10+	0.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Produktcode: 112773

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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Zubehör für Gehäuse

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSB113552

07+

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

30V Dual P-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 6821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 49338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 7630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

177+	0.4 EUR
290+	0.25 EUR
379+	0.19 EUR
400+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 177

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

30V Complementary MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD26313C

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

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AOSD26313C

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	0.4 EUR
290+	0.25 EUR
379+	0.19 EUR
400+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 177

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AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.2 EUR
15000+	0.19 EUR
21000+	0.18 EUR
30000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 89721 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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AOSD32334C

30V Dual N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD32338C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

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AOSD62666E

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 6.5nC

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
182+	0.39 EUR
193+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 27231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.55 EUR
11+	1.63 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
182+	0.39 EUR
193+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.64 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSGL.SET.1

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	59.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.2

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	87.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSGL.SET.3

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET

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AOSN21319C

P-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 6699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSN32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 20A; 700mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSOP.SET

Description: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP1800

Description: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP1800-220V

Description: SP1800 MINI SOLDER POT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	174.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP2000+

Description: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V

auf Bestellung 1065 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	0.8 EUR
198+	0.36 EUR
224+	0.32 EUR
248+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 90

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

P-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21307

P-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21311C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 4538 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21313C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

auf Bestellung 13760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.32 EUR
288+	0.25 EUR
374+	0.19 EUR
394+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

221+	0.32 EUR
288+	0.25 EUR
374+	0.19 EUR
394+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

auf Bestellung 2109 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.64 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
148+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP21357

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
148+	0.49 EUR
153+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

auf Bestellung 761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
16+	1.1 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 22mΩ

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

30V N-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

auf Bestellung 8578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
191+	0.38 EUR
216+	0.33 EUR
249+	0.29 EUR
264+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
191+	0.38 EUR
216+	0.33 EUR
249+	0.29 EUR
264+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

auf Bestellung 3122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.3 EUR
22+	0.81 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3131 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

268+	0.27 EUR
365+	0.2 EUR
414+	0.17 EUR
477+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 268

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

auf Bestellung 3131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	0.27 EUR
365+	0.2 EUR
414+	0.17 EUR
477+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 268

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.22 EUR
15000+	0.21 EUR
21000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

auf Bestellung 25607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
27+	0.66 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP4000

Description: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP62530

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP62626E

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66406

AOSP66406 SMD N channel transistors

auf Bestellung 1904 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

74+	0.97 EUR
327+	0.22 EUR
345+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66919

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 18564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.76 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.2 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 12A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Technology: AlphaSGT™

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66925

Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSP66925

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 8406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
40+	0.45 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
42+	0.42 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 15822 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.38 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23

auf Bestellung 3304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

353+	0.2 EUR
575+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR
834+	0.086 EUR
878+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 353

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 5049 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
41+	0.44 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32136C

auf Bestellung 3304 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

353+	0.2 EUR
575+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR
834+	0.086 EUR
878+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 353

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 2815 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

300+	0.24 EUR
435+	0.17 EUR
480+	0.15 EUR
620+	0.12 EUR
650+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 300

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

auf Bestellung 2815 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

300+	0.24 EUR
435+	0.17 EUR
480+	0.15 EUR
620+	0.12 EUR
650+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 300

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 8984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

auf Bestellung 17661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
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100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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AOSS32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

315+	0.23 EUR
560+	0.13 EUR
590+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 315

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AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.12 EUR
6000+	0.1 EUR
9000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSS32338C

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

315+	0.23 EUR
560+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 315

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AOSS32338C

30V N-Channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

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3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR
15000+	0.1 EUR

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AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.12 EUR
6000+	0.1 EUR
9000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

auf Bestellung 267174 Stücke:

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20+	0.88 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

auf Bestellung 267000 Stücke:

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3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR
21000+	0.15 EUR
75000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AOSS62934

AOSS62934 SMD N channel transistors

auf Bestellung 1928 Stücke:

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525+	0.14 EUR
944+	0.076 EUR
999+	0.072 EUR

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AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AOSS62934 LK.

ALPHA&OMEGA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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100+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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AOSX21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

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AOSX32128