Produkte > MWI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MWI100-06A8 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-06A8 | IXYS | MWI100-06A8 IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-06A8 | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3 Packaging: Box Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 410 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-06A8T | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3 Packaging: Tube Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 410 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12A8 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12A8 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12A8 | IXYS | MWI100-12A8 IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12A8T | IXYS | Description: IGBT SIXPACK 160A 1200V E3PACK | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12E8 | IXYS | 165A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI100-12E8 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12T8T | IXYS | 11+ . | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI100-12T8T | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI100-12T8T | IXYS | Description: MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI15-12A6K | IXYS | Description: MOD IGBT RBSOA SIXPACK E1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI15-12A7 | Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V 30A 140000mW 17-Pin | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI15-12A7 | IXYS | MWI15-12A7 IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI15-12A7 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 140 W Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
| ||||||||
| MWI15-12A7 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI150-06A8 | IXYS | Description: TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI150-06A8 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 150 Amps 600V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI150-06A8T | IXYS | Description: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| mwi150-12e9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI150-12T8 | auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWI150-12T8T | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 150 Amps 1200V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI150-12T8T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Application: motors; photovoltaics Power dissipation: 690W Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E3-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI150-12T8T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Application: motors; photovoltaics Power dissipation: 690W Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E3-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI150-12T8T | IXYS | Description: MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| mwi150-17e9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI200-06A8 | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3 Packaging: Bulk Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 675 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI200-06A8 | IXYS | MWI200-06A8 IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI200-06A8 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules NPT IGBT 600V, 200A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI200-06A8 | Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 675000mW 21-Pin E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI200-06A8T | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3 Packaging: Tube Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 675 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI225-12E9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI225-12E9 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK E+ | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI225-12E9 | IXYS | 355A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI225-17E9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI225-17E9 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1700V 335A 1400W E+ Packaging: Box Package / Case: E+ Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E+ IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 335 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI225-17E9 | IXYS | 335A/1700V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI25-12A7 | IXYS | IGBT Modules 25 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12A7 Produktcode: 152817 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||
| MWI25-12A7 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
| ||||||||
| MWI25-12A7 | IXYS | MWI25-12A7 IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12A7T | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12A7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors Case: E2-Pack Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 225W Technology: NPT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 70A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12A7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors Case: E2-Pack Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 225W Technology: NPT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 70A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12A7T | IXYS | IGBT Modules 25 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12E7 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI25-12E7 | IXYS | 52A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI30-06A7 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI30-06A7 | IXYS | MWI30-06A7 IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI30-06A7 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 30 Amps 600V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI30-06A7T | IXYS | IGBT Modules 30 Amps 600V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI30-06A7T | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI30-06A7T | IXYS | MWI30-06A7T IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI30-12E6K | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI300-12E9 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 530A 2100W E+ Packaging: Box Package / Case: E+ Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E+ IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 530 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2100 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI300-12E9 | IXYS | 530A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI300-12E9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI300-17E9 | IXYS | 500A/1700V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI300-17E9 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1700V 500A 2200W E+ Packaging: Box Package / Case: E+ Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E+ IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 33 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI300-17E9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI35-12A7 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI35-12A7 | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: NPT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 70A Application: motors Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 44A Topology: IGBT three-phase bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI35-12A7 | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: NPT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 70A Application: motors Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 44A Topology: IGBT three-phase bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI35-12A7T | IXYS | 62A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI35-12A7T | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI35-12E7 | IXYS | 52A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI45-12T6K | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI450-12E9 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 640A 2200W E+ Packaging: Box Package / Case: E+ Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E+ IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 640 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 33 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI450-12E9 | IXYS | 640A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI450-12E9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI450-17E9 | IXYS | 540A/1700V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI450-17E9 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI451-17E9 | IXYS | Description: IGBT E9PACK | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-06 | IXYS | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||
| MWI50-06A7 | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-06A7 | IXYS | 75A/600V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-06A7 | Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 600V 72A 225W 18-Pin E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-06A7 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-06A7 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-06A7T | IXYS | A3-2 | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-06A7T | IXYS | 75A/600V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-06A7T | IXYS | MODULE | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-06A7T | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-06A7T | IXYS | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||
| MWI50-06AT | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||
| MWI50-06AT7 | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWI50-12A7 Produktcode: 112048 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||
| MWI50-12A7 | IXYS | IGBT Modules 50 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7 | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: NPT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7 | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: NPT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7T | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7T | IXYS | IGBT Modules 50 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 350W Technology: NPT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7T | Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350W 18-Pin E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12A7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 350W Technology: NPT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12E6K | IXYS | 51A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-12E6K | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 210 W Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12E7 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-12E7 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.8 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12E7 | IXYS | MODULE | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-12E7 | IXYS | 90A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI50-12T7T | IXYS | IGBT Modules 50 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12T7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: E2-Pack Application: motors; photovoltaics Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 270W Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12T7T | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI50-12T7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: E2-Pack Application: motors; photovoltaics Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 270W Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI60-06G6K | IXYS | Description: IGBT MODULE 600V 60A 180W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 180 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI60-12T6K | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: E1-Pack Pulsed collector current: 70A Collector current: 41A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: NPT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Application: for UPS; motors Power dissipation: 200W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI60-12T6K | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: E1-Pack Pulsed collector current: 70A Collector current: 41A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: NPT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Application: for UPS; motors Power dissipation: 200W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI60-12T6K | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 58 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 200 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI60-12T6K | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 60 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-06A7 | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-06A7 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 600V | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI75-06A7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Technology: NPT Collector current: 60A Power dissipation: 280W Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-06A7T | IXYS | Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-06A7T | IXYS | IGBT Modules 75 Amps 600V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI75-06A7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Technology: NPT Collector current: 60A Power dissipation: 280W Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12A | IXYS | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||
| MWI75-12A8 | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: E3-Pack Mechanical mounting: screw Technology: NPT Semiconductor structure: transistor/transistor Application: motors Power dissipation: 500W Pulsed collector current: 150A Type of module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 85A Topology: IGBT three-phase bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12A8 | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: E3-Pack Mechanical mounting: screw Technology: NPT Semiconductor structure: transistor/transistor Application: motors Power dissipation: 500W Pulsed collector current: 150A Type of module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 85A Topology: IGBT three-phase bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12A8 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12A8 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules IGBT MOD 1200V, 75A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12A8T | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 125A 500W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12E8 | IXYS | MODULE | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI75-12E8 | IXYS | 130A/1200V/MOSFET | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI75-12E8 | ABB | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI75-12E8 | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T7T | IXYS | IGBT Modules 75 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T7T | IXYS | Description: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 355W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T7T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 355W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T8T | IXYS | Description: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T8T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E3-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 360W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T8T | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E3-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 360W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI75-12T8T | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI80-12T6K | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: E1-Pack Pulsed collector current: 100A Collector current: 56A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: HiPerFRED™ Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Application: for UPS; motors Power dissipation: 270W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI80-12T6K | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 80 Amps 1200V | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||
| MWI80-12T6K | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWI80-12T6K | IXYS | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: E1-Pack Pulsed collector current: 100A Collector current: 56A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: HiPerFRED™ Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Application: for UPS; motors Power dissipation: 270W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC915GMB | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC915NR2 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930GNR1 | auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930GNR1 | NXP USA Inc. | Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930GNR1 | NXP USA Inc. | Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930GR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC PWR AMP RF 30W TO272-16GW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930N | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930NR1 | NXP USA Inc. | Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 900MHz RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA Voltage - Supply: 26V Gain: 30dB Current - Supply: 90mA Supplier Device Package: TO-272 WB-16 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930NR1 | NXP USA Inc. | Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 900MHz RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA Voltage - Supply: 26V Gain: 30dB Current - Supply: 90mA Supplier Device Package: TO-272 WB-16 Part Status: Obsolete | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
| ||||||||
| MWIC930NR1,528 | NXP USA Inc. | Description: WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, Packaging: Bulk Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 900MHz RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA Voltage - Supply: 26V Gain: 30dB Current - Supply: 90mA Supplier Device Package: TO-272 WB-16 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930R1 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930R1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930R1a | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930R5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||
| MWIC930R5 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWIC930W | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||
| MWINT840GA | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |