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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
MWI100-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V
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MWI100-06A8IXYSMWI100-06A8 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI100-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI100-06A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
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MWI100-12A8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 640 W
Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
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MWI100-12A8IXYSMWI100-12A8 IGBT modules
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MWI100-12A8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640W 19-Pin
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MWI100-12A8IXYSIGBT Modules 100 Amps 1200V
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MWI100-12A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 640 W
Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI100-12E8IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
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MWI100-12E8IXYS165A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI100-12T8TIXYS11+ .
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI100-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 1200V
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MWI100-12T8TIXYSDescription: MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3
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MWI15-12A6KIXYSDescription: MOD IGBT RBSOA SIXPACK E1
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MWI15-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 30A 140000mW 17-Pin
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI15-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.66 EUR
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MWI15-12A7IXYSMWI15-12A7 IGBT modules
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MWI15-12A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MWI150-06A8IXYSDescription: TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP
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MWI150-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 600V
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MWI150-06A8TIXYSDescription: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK
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mwi150-12e9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI150-12T8
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI150-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 1200V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MWI150-12T8TIXYSDescription: MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3
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MWI150-12T8TIXYSMWI150-12T8T IGBT modules
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mwi150-17e9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI200-06A8IXYSMWI200-06A8 IGBT modules
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MWI200-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
Packaging: Bulk
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
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MWI200-06A8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 225A 675000mW 21-Pin E3
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MWI200-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules NPT IGBT 600V, 200A
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MWI200-06A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
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MWI225-12E9IXYS355A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI225-12E9IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK E+
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MWI225-12E9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI225-17E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1700V 335A 1400W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
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MWI225-17E9IXYS335A/1700V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI225-17E9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI25-12A7IXYSIGBT Modules 25 Amps 1200V
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MWI25-12A7
Produktcode: 152817
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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MWI25-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+167.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MWI25-12A7TIXYSMWI25-12A7T IGBT modules
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MWI25-12A7TIXYSIGBT Modules 25 Amps 1200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI25-12A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
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MWI25-12E7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
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MWI25-12E7IXYS52A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI30-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 30A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 140W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
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MWI30-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 45A 140W 18-Pin E2
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MWI30-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 30A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 140W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI30-06A7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
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MWI30-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 600V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MWI30-06A7TIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
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MWI30-06A7TIXYSIGBT Modules 30 Amps 600V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI30-06A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 30A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 140W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI30-06A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 30A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 140W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI30-12E6KIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI300-12E9IXYS530A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI300-12E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 530A 2100W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI300-12E9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI300-17E9IXYS500A/1700V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI300-17E9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI300-17E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1700V 500A 2200W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 33 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI35-12A7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI35-12A7IXYSMWI35-12A7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI35-12A7TIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI35-12A7TIXYS62A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI35-12E7IXYS52A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI45-12T6KIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI450-12E9IXYS640A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI450-12E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 640A 2200W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 640 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 33 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI450-12E9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI450-17E9IXYS540A/1700V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI450-17E9ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI451-17E9IXYSDescription: IGBT E9PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7IXYS75A/600V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 72A 225W 18-Pin E2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7TIXYS75A/600V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7TIXYSMODULE
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI50-06A7TIXYS
auf Bestellung 13 Stücke:
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MWI50-06A7TIXYSA3-2
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MWI50-06ATmodule
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MWI50-06AT7
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MWI50-12A7IXYSMWI50-12A7 IGBT modules
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MWI50-12A7
Produktcode: 112048
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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MWI50-12A7IXYSIGBT Modules 50 Amps 1200V
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MWI50-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
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MWI50-12A7TIXYSIGBT Modules 50 Amps 1200V
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MWI50-12A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
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MWI50-12A7TLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350W 18-Pin E2
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MWI50-12A7TIXYSMWI50-12A7T IGBT modules
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MWI50-12E6KIXYS51A/1200V/MOSFET
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MWI50-12E6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
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MWI50-12E7ABB07+;
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MWI50-12E7IXYSMODULE
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MWI50-12E7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.8 nF @ 25 V
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MWI50-12E7IXYS90A/1200V/MOSFET
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MWI50-12T7TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
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MWI50-12T7TIXYSIGBT Modules 50 Amps 1200V
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MWI50-12T7TIXYSMWI50-12T7T IGBT modules
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MWI60-06G6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 60A 180W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
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MWI60-12T6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 60 Amps 1200V
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MWI60-12T6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V
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MWI60-12T6KIXYSMWI60-12T6K IGBT modules
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MWI75-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 600V
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MWI75-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
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MWI75-06A7TIXYSMWI75-06A7T IGBT modules
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MWI75-06A7TIXYSIGBT Modules 75 Amps 600V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MWI75-06A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12AIXYS
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules IGBT MOD 1200V, 75A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12A8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3
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MWI75-12A8IXYSMWI75-12A8 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 125A 500W
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MWI75-12E8IXYSMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
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MWI75-12E8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12E8IXYS130A/1200V/MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MWI75-12E8ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12T7TIXYSMWI75-12T7T IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12T7TIXYSIGBT Modules 75 Amps 1200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI75-12T7TIXYSDescription: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
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MWI75-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V
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MWI75-12T8TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 360 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI80-12T6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI80-12T6KIXYSMWI80-12T6K IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWI80-12T6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 80 Amps 1200V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC915GMB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC915NR2
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930GNR1NXP USA Inc.Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930GNR1
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930GNR1NXP USA Inc.Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930GR1Freescale Semiconductor - NXPDescription: IC PWR AMP RF 30W TO272-16GW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930N
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930NR1NXP USA Inc.Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+134.36 EUR
10+125.27 EUR
25+116.20 EUR
100+108.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930NR1NXP USA Inc.Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930NR1,528NXP USA Inc.Description: WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930R1Freescale Semiconductor - NXPDescription: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930R1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930R1a
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930R5Freescale Semiconductor - NXPDescription: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930R5
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWIC930W
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MWINT840GA
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH