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TK1-1,5VPanasonic Electric WorksSignal Relay 1.5VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-1.5VNAIS07+
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TK1-1.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 1.5V
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TK1-12VPanasonic Electric WorksSignal Relay 12VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Approval Agency: CSA, UR
Load - Max Switching: 440VA
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TK1-12VNAIS07+
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TK1-12V JPanasonic Electric WorksTK1-12V J
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TK1-2Trompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Terminators Tool Kit BNC 734 & 735 CBL
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TK1-24VNAIS07+
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TK1-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 11.3 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 2.4 VDC
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Part Status: Obsolete
Approval Agency: CSA, UR
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TK1-3VNAIS07+
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TK1-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 3VDC
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TK1-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 31.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
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TK1-4.5VNAIS07+
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TK1-5VNAIS07+
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TK1-5VPanasonic Electric WorksSignal Relay 5VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Part Status: Obsolete
Approval Agency: CSA, UR
Load - Max Switching: 440VA
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TK1-5V
Produktcode: 108158
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Relais
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TK1-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 6V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 6VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 23.3 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.6 VDC
Must Operate Voltage: 4.5 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Approval Agency: CSA, UR
Load - Max Switching: 440VA
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TK1-6VNAIS07+
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TK1-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 9VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 9VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 15.5 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.9 VDC
Must Operate Voltage: 6.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Part Status: Obsolete
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TK1-9VNAIS07+
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TK1-L-1.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 1.5V
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TK1-L-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
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TK1-L-12VNAIS07+
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TK1-L-24VNAIS07+
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TK1-L-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24V
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TK1-L-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 3V
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TK1-L-3VNAIS07+
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TK1-L-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 4.5V
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TK1-L-4.5VNAIS07+
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TK1-L-5VNAIS07+
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TK1-L-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Approval Agency: CSA, UR
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 20 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Load - Max Switching: 440VA
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TK1-L-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 6V
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TK1-L-6VNAIS07+
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TK1-L-H-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 3V
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TK1-L2-1.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 1.5V
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TK1-L2-12VNAIS07+
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TK1-L2-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
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TK1-L2-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24V
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TK1-L2-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 3V
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TK1-L2-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 5VDC
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TK1-L2-5VNAIS07+
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TK1-L2-6VNAIS07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1-L2-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 6V
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TK1-L2-9VPanasonic Electric WorksSignal Relay 9VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1-L2-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 9VDC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1-L2-9VNAIS07+
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1-SOM-2GBColorado EngineeringAt only 2″ x 2.3″ and 2.89-3.52 ounces (without/with fan), the TK1-SOM gives you the freedom to use the NVIDIA Tegra K1 SoC for numerous applications, from deeply embedded applications or advanced security systems with facial recognition.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1-SOM-4GBColorado EngineeringAt only 2″ x 2.3″ and 2.89-3.52 ounces (without/with fan), the TK1-SOM gives you the freedom to use the NVIDIA Tegra K1 SoC for numerous applications, from deeply embedded applications or advanced security systems with facial recognition.
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TK100
auf Bestellung 23 Stücke:
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TK100ExtechEnvironmental Test Equipment TEMP TROUBLESHOOTING KIT W/IR THERMOMETER
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TK1005800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 10
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
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TK1005800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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TK100A06N1ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
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TK100A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.70 EUR
50+3.01 EUR
100+2.60 EUR
250+2.41 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK100A06N1,S4X(STOSHIBATK100A06N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100A06N1S4X(SToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1S4X(S-XToshibaMOSFET
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TK100A08N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+4.93 EUR
25+4.65 EUR
50+4.19 EUR
100+3.57 EUR
250+3.38 EUR
500+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.20 EUR
73+1.96 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A08N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A08N1S4X(SToshibaMOSFET
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TK100A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+7.13 EUR
25+6.44 EUR
50+4.49 EUR
100+3.77 EUR
250+3.66 EUR
500+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.12 EUR
50+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TK100A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK100A10N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 490 Stücke:
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TK100A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK100A10N1S4X(SToshibaMOSFET
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TK100E06N1ToshibaMOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
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TK100E06N1,S1XToshibaMOSFETs 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
auf Bestellung 200 Stücke:
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1+5.12 EUR
10+3.57 EUR
25+3.50 EUR
50+3.40 EUR
100+2.50 EUR
250+2.48 EUR
500+2.02 EUR
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TK100E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 50 Stücke:
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4+5.33 EUR
10+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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TK100E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 150 Stücke:
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TK100E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
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27+5.51 EUR
55+2.60 EUR
61+2.28 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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TK100E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
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TK100E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
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TK100E06N1,S1X(STOSHIBATK100E06N1 THT N channel transistors
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TK100E06N1S1X(SToshibaMOSFETs
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TK100E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
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TK100E08N1ToshibaMOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 80V
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TK100E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
auf Bestellung 96 Stücke:
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3+8.06 EUR
50+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TK100E08N1,S1X
Produktcode: 143972
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK100E08N1,S1XToshibaMOSFETs 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
auf Bestellung 42 Stücke:
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1+7.87 EUR
50+4.35 EUR
100+3.73 EUR
250+3.71 EUR
500+3.12 EUR
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TK100E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
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TK100E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 563 Stücke:
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TK100E08N1S1X(SToshibaMOSFETs
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TK100E08N1S1X(S-XToshibaMOSFETs
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TK100E10N1ToshibaMOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V
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TK100E10N1,S1XToshibaMOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.20 EUR
10+6.67 EUR
100+5.40 EUR
500+4.80 EUR
1000+4.12 EUR
2500+3.87 EUR
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TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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TK100E10N1,S1X
Produktcode: 175741
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 3 Stücke:
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TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 3230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.30 EUR
50+4.24 EUR
100+3.78 EUR
500+3.65 EUR
1000+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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TK100E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 720 Stücke:
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TK100E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 20864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK100E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
28+2.57 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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TK100E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK100E10N1,S1X(S
Produktcode: 199160
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK100E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.85 EUR
28+2.57 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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TK100E10N1S1X(SToshibaMOSFETs
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TK100E10N1S1X(S-XToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100E10NE,S1AQ(SToshibaToshiba
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TK100E10NE,S1BQ(SToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100E10NE,S1Q(ASToshibaToshiba
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TK100E10NE,S1Q(BSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100E10NE,S1Q(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F04K3ToshibaMOSFET Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F04K3(TE24L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F04K3(TE24L,QToshibaMOSFET N-ch 40V 100A TO-220SM(W)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F04K3(TE24L,QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F04K3LToshibaMOSFET Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F06K3ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F06K3(TE24L,QToshibaMOSFET N-ch 60V 100A TO-220SM(W)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100F06K3(TE24L,QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-220SM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100G08N1ToshibaLow-VDSS High-Qg MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100L60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100L60W,VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 100A Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100L60W,VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100L60W,VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 797W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.36 EUR
10+33.66 EUR
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TK100L60W,VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100L60W,VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TK100L60W,VQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 797W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK100L60WVQ(OToshibaMOSFET
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TK100S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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TK100S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.60 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100S04N1L,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.40 EUR
10+3.66 EUR
100+2.59 EUR
250+2.53 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100S04N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 17681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+1.95 EUR
25+1.81 EUR
100+1.55 EUR
250+1.46 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.39 EUR
10+1.97 EUR
100+1.41 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.04 EUR
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TK100S04N1L,LXHQ(OToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
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71+2.09 EUR
100+1.93 EUR
250+1.78 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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TK100S04N1LLQ(OToshibaMOSFET
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TK1019/CLilliput Electronics (USA) Inc.Description: TK1019 10.1 Inch 1500 Nits NO-To
Packaging: Retail Package
Interface: HDMI, VGA
Dot Pixels: 1280 x 1200
Diagonal Screen Size: 10.10" (256.54mm)
Touchscreen: Capacitive
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1+485.41 EUR
5+469.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1019/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: TK1019 10.1 Inch 1500 Nits Touch
Packaging: Retail Package
Interface: HDMI, VGA
Dot Pixels: 1280 x 1200
Diagonal Screen Size: 10.10" (256.54mm)
Touchscreen: Capacitive
auf Bestellung 98 Stücke:
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1+540.04 EUR
5+524.56 EUR
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TK102-2
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TK10200MTLTOKO2001
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TK10200MTLTOKO01+ SOP8L
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TK10200MTLTOKO
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TK10201AMTL02+
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TK10201AMTL
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TK10202AM9-G
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TK10202AM9G0
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TK10203AM9-G
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TK10203AM9G0
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TK10203AM9GOB
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TK10205MTLTOKO2 SMD-8
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TK103-2
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TK10311
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TK10311-1
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TK10350
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TK10415MTL
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TK10416MTLTOKOSOP-6
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TK10416MTL(416)
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TK10417MTLTOKO
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TK10417MTLTOKO01+ SOP
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TK10417MTLTOKO00+
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TK10419MTLTOKO
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TK10420
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TK10420MTR
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TK10421RCL
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TK10469
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TK10469MTL
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TK10483Z
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TK10485
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TK10485MT1
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TK10485MTL
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TK10485MTR
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TK10487
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TK10487M-TOKO
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TK10487MTL
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TK10488MTLTOKO20
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK10488MTRTOKO05+
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TK10489M
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TK10489MTLTOKO
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TK10489MTRTOKO
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TK10492TOKO96
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TK10492DTOKO
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TK10492M
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TK10492M-1
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK10492M-1(10492-AOF08E16T
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TK104S01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 10.4" SVGA
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TK104V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT VGA TFT LCD 10.4"
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TK104V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 10.4" VGA
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TK105-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv UNDEFINED ELECTRICAL TERM
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TK10502MTLTOKO
auf Bestellung 780 Stücke:
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TK10581M
auf Bestellung 1795 Stücke:
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TK10586RCL2000+ SMD
auf Bestellung 600 Stücke:
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TK10610
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TK10650
auf Bestellung 500 Stücke:
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TK10650MT1TOKOSOP20
auf Bestellung 850 Stücke:
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TK10650MTLTOKO90
auf Bestellung 2690 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10650MTLTOKO
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10651toyo
auf Bestellung 2664 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10651DTKO
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10651L
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10651MTOKO2002
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10652
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10652LTRTOKO96
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10652MT1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10652MTLTOKOSOP20
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10652MTRTOKO0
auf Bestellung 1217 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10658D
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10659
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10659MRCL10659
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10659MTLTOKO2002
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10681
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10681MTR
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10682M-X
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10682MTL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10682MTR
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10690MTLTOKO2004
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10690MTL-GTOKO
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10691MTL-GTOKO07+ QFP
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10691MTL-GTOKO
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10760TOKO
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10762
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10845MTLTOKO95 SOP
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10910LTOKO
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10930VTLTOKO1998
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK10930VTL
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TK10A50DToshibaArray
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TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 933-937 Tag (e)
1+3.52 EUR
50+1.90 EUR
100+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.53 EUR
2500+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50W,S5XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
50+2.06 EUR
100+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK10A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A50W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK10A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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TK10A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
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TK10A60DToshibaArray
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TK10A60D (Q,M)ToshibaMOSFETs
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TK10A60D(LS1CN,A,QToshibaToshiba
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TK10A60D(LS1SDI,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(LS1SO,Q,MToshibaMOSFET
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TK10A60D(LS1SO6,AQToshibaToshiba
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TK10A60D(LS1SP6,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(MURATA,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(Q)ToshibaMOSFETs
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TK10A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
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TK10A60D(Q,M)ToshibaMOSFETs HVMOS SIS PLN,ACTIVE,
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TK10A60D(QM)ToshibaMOSFETs
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TK10A60D(S4LIT,XM)ToshibaToshiba
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TK10A60D(S4PI,Q,M)ToshibaMOSFET
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TK10A60D(S4SA6,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(S4SAN6,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(S4SHR6,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(S4TET,X,MToshibaToshiba
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TK10A60D(S4TET6,XMToshibaToshiba
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TK10A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
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TK10A60D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK10A60D,S5MU6Q(JToshibaToshiba
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TK10A60D,S5Q(JToshibaToshiba
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TK10A60D,S5SA6Q(JToshibaToshiba
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TK10A60D,S5SAN6Q(JToshibaToshiba
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TK10A60D,S5SANKQ(JToshibaMOSFET
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TK10A60D5ToshibaMOSFET
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TK10A60D5
auf Bestellung 336696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK10A60D5(Q)ToshibaSILICON N CHANNEL MOS TYPE (PAI-MOS)
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TK10A60D5(Q)ToshibaMOSFET
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TK10A60D5(Q,M)ToshibaToshiba
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TK10A60D5(S4PHI,QMToshibaToshiba
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TK10A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
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TK10A60DR(S4TEV,QMToshibaToshiba
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TK10A60DR(S4TEV,XMToshibaToshiba
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TK10A60DR(S4TEV,XSToshibaToshiba
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TK10A60DR(S5TEV,AXToshibaToshiba
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TK10A60DR(STA4,A,QToshibaToshiba
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TK10A60DR(STA4,Q,MToshibaToshiba
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TK10A60DR(STA4,XToshibaMOSFET
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TK10A60DR(STA4,X,MToshibaToshiba
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TK10A60DR(STA4XToshibaMOSFET
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TK10A60DR,S4X(SToshibaToshiba
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TK10A60DR,S5X(JToshibaToshiba
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TK10A60DSTA4,X,MToshibaMOSFET
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TK10A60E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TK10A60E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK10A60E,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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TK10A60E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
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TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK10A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+3.96 EUR
50+3.17 EUR
100+2.41 EUR
500+2.18 EUR
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TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK10A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
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TK10A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK10A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10A60W,S4VX(MToshibaTK10A60W,S4VX(M
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TK10A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TK10A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+4.33 EUR
50+2.27 EUR
100+2.06 EUR
250+1.99 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK10A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+2.23 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+2.23 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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TK10A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
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TK10A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
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TK10A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
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TK10A80EToshibaArray
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TK10A80E,S4X
Produktcode: 203788
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK10A80E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
50+2.71 EUR
100+2.36 EUR
250+2.29 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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TK10A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A80ES4X(SToshibaMOSFETs
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TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.16 EUR
10+3.52 EUR
50+3.40 EUR
100+2.89 EUR
250+2.46 EUR
500+2.16 EUR
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TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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TK10A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10A80W,S4X(SToshibaTK10A80W,S4X(S
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.45 EUR
39+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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TK10A80W,S4X(STOSHIBATK10A80W THT N channel transistors
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
21+3.43 EUR
23+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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TK10A80W,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK10E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.76 EUR
50+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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TK10E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 55-59 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+5.32 EUR
50+3.33 EUR
100+3.03 EUR
500+2.97 EUR
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TK10E60W,S1VX(STOSHIBATK10E60W THT N channel transistors
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TK10E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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TK10E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.70 EUR
10+4.93 EUR
50+4.17 EUR
100+3.70 EUR
250+3.47 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
50+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK10J80EToshibaToshiba
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TK10J80E,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1EToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.25 EUR
10+5.98 EUR
25+3.96 EUR
50+3.82 EUR
100+3.13 EUR
250+2.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.38 EUR
68+2.10 EUR
100+1.88 EUR
150+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80E,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10J80ES1E(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50WToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+2.20 EUR
100+1.56 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
10+3.00 EUR
100+2.29 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P50WRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60WToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.56 EUR
100+3.70 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.83 EUR
2000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.89 EUR
100+1.62 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.04 EUR
10+3.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.00 EUR
164+0.87 EUR
182+0.76 EUR
200+0.70 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60WRVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10P60WRVQ(S-XToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.70 EUR
75+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.028
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshibaTK10V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.327ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.83 EUR
186+0.77 EUR
200+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11.7 -ASTEKOTK11.7 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.60 EUR
50+14.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11.9TEKOTK11.9 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
50+24.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110TIOO
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11041MTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11041M-1-TRBTOKO06+ SOT-153
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11042MTLTOKO
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11043MTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11043MTL-GTOKOSOT25/SOT353
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11050MTL
auf Bestellung 12780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1105800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1105800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 11P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 11
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.87 EUR
50+1.43 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 114-118 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+2.31 EUR
50+1.16 EUR
100+1.01 EUR
250+0.98 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.35 EUR
31+4.75 EUR
50+4.36 EUR
100+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+7.60 EUR
25+7.59 EUR
50+4.61 EUR
100+4.07 EUR
250+3.82 EUR
500+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.90 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1XToshibaMOSFETs TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
50+1.50 EUR
100+1.34 EUR
500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E10PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110N65Z,S1FToshibaMOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.09 EUR
10+9.05 EUR
30+7.46 EUR
120+6.69 EUR
270+6.64 EUR
510+6.18 EUR
1020+5.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.98 EUR
30+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.40 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110N65ZS1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PLToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
11+1.60 EUR
100+1.18 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQToshibaMOSFET DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 36818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.23 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.66 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
81+0.88 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
81+0.88 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
auf Bestellung 3798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+4.19 EUR
100+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.46 EUR
33+4.35 EUR
34+4.15 EUR
50+3.95 EUR
100+3.33 EUR
250+2.96 EUR
500+2.70 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.086 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.086 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110Z65Z,S1FToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+7.46 EUR
25+6.32 EUR
100+6.05 EUR
250+5.84 EUR
500+5.61 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.73 EUR
25+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.22 EUR
22+6.67 EUR
25+6.14 EUR
50+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11100CSB-GTOKO
auf Bestellung 11700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11100CSCBTOKO
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11100CSCB-G
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11100CSCB-GHTOKOSOT23-4
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11112CSCL-GTOKOSOT153-R12 PB-FR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11112CSCL-GSOT153-R12PB-FREETOKO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11115CSCL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11115CSCL-GTOKO09+
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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TK11125CSCL-GToko America Inc.Description: IC REG LDO 2.5V 0.2A SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
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Supplier Device Package: SOT-23-5
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TK11125CSCL-GTOKOSOT25/SOT353
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TK11129M
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TK11129SCLTOKO
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TK1112PSF-ATASKERTAS-TK1112PSF-A Audio - Video Cables
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TK1112PSF-BTASKERTAS-TK1112PSF-B Audio - Video Cables
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TK11130TOKO
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TK11130CSCL-GTOKO
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TK11130CSCL-GToko America Inc.Description: IC REG LDO 3V 0.2A SOT23-5
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TK11130CSCL-GASAHISOT25
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TK11130CSCL-GToko America IncDescription: IC REG LDO 3V 0.2A SOT23-5
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TK11130CSCL-GTOKOSOT23-5
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TK11130CSCLSOT153-R30TOKO
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TK11130CSILTOKO06+
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TK11130M
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TK11130M-TLTOKO2004
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Gehäuse: SOT23-5
Uin, V: 1,8...14 V
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TK11230BUIBTOKOSOP89-5
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TK11230BUIBTOKO
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TK11230CM
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TK11230CMCLTOKO
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TK11230CMCLTOKO2003.2
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TK11230CMCLTOKO04+ SOP6
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TK11230CMCL-GTOYO
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TK11230CMCL-GToko America IncDescription: IC REG LDO 3V 0.3A SOT23L-6
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TK11230CMCL-GTOKOSOT-163 02+
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TK11230CMCL-GHAsahi Kasei Microdevices/AKMDescription: IC REG LINEAR 3V 300MA SOT23L-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 14.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23L-6
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.37V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 3 mA
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TK11230CMIL-GTOKO09+
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TK11230CMIL-GTOKOSOT163
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TK11231AM
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TK11231BMCLTOKOINL2004 TO23-6
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TK11231BMCLTOKO
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TK11231CMCLTOKO3 SMD
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TK11231CMIL-GTOKO06+NOP
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TK11232TOKO03/04+ T8
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TK11232-AOF09H06TL
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TK11232/P3TOKO
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TK11232/P3TOKO09+
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TK11232AMTLTOKO04+
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TK11232AMTLTOKO
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TK11232B/32PTOKO09+
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TK11232BMCLTOKO02+ SOP-6
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TK11232CMCLTOKO
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TK11232CMIL-G
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TK11232CUIBTOKO
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TK11232CUIB-GTOKOSOT89/6
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TK11232M-TL
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TK11232MIL
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TK11232MTLTOKO
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TK11232MTLTOKO2004
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TK11232MTL(P3)
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TK11232\P3TOKO
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TK11233AMTOKO
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TK11233AMTLTOKO
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TK11233AMTL(P33)
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TK11233AUTB
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TK11233BMTOKO
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TK11233BMCLTOKOSOT89-6
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TK11233BMCLTOKO01+ SOP23
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TK11233BMCLTOKO1999+
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TK11233BMCLTOKOSOT-6
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TK11233BMCLTOKO
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TK11233BMCLTOKO09+
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TK11233BMCLTOKOSOP6
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TK11233BMCL-G
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TK11233BMCL/33PTOKO
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TK11233BU-TLTOKO1
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TK11233BUCG
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TK11233CMCLTOKO
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TK11233CMCLTOKOSOP6 04+
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TK11233CMCL-GTOKOINL2004 TO23-6
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TK11233CMCL-GTOKO
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TK11233CMCL-GTOKOSOT89-6
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TK11233CMCL-GTOKO09+
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TK11233CMCL/R33TOKO
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TK11233CMCL\R33TOKOSSOP8
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TK11233CUCB
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TK11233CUCB-GTOKO09+
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TK11233CUCB-GTOKO06+PB
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TK11233CUCB-GTOKO
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TK11233CUCG
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TK11233CUIBTOKO
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TK11233CUIBTOKOSOT89-6
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TK11234BM
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TK11234BMCLTOKO
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TK11234BMCLTOKO2004
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TK11234BMCLTOKOSOT-P6
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TK11234BMCLTOKOSOT23L-6-34P
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TK11234BMCL SOT23L-6-34PTOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11234BMCLSOT23L-6-34P
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11234BMCLSOT89-6-34PTOKO
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TK11235TOKO
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TK11235ATFK2000
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TK11235AMTLTOKO01+
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TK11235AMTL(P35)
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TK11235ATML
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TK11235AUTB
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TK11235BCML/35PTOKO09+
auf Bestellung 2618 Stücke:
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TK11235BCML/35PTOKO
auf Bestellung 2600 Stücke:
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TK11235BM
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TK11235BMCLTOKO04+
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TK11235BMIL
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TK11235BUI-PTOKO98+ SOT89-6
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TK11235CMCLTOKO
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TK11236BMCLTOKO
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TK11236CMCLTOKO
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TK11238
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TK11238AMTOKO
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TK11238AMTLTOKOSOT26/SOT363
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TK11238AUTB(38P)
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TK11238AUTBЈЁ38PЈ©
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TK11238B/38PTOKO
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TK11238B/38PTOKO09+
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TK11238BM/U
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TK11238BMC-TRB
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TK11238BMCLTOKO
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TK1123BMCLTOKOSOT-23 02+
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TK11240-CMCL
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TK11240AMTLTOKO
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TK11240AMTL(P40)
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TK11240AMTL-G
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TK11240AMTL/P40TOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240AUTBSOT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240AUTB
auf Bestellung 445 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240BM-TLTOKO02+ SOP6
auf Bestellung 13000 Stücke:
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TK11240BMCLTOKO06+ SOT23-6
auf Bestellung 1130 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240BMCLTOKO2002
auf Bestellung 5200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240BMCL(40P)
auf Bestellung 967 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240BUCBTOKO
auf Bestellung 8200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240CMCL
Produktcode: 1866
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TOKOIC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-6
Uin, V: 16
Uout,V: 4
Iout,A: 0.24
Udrop, V: 0.29
Bemerkung: ON/OFF SWITCH
auf Bestellung 1069 Stück:
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TK11240CMCLМ/с Стабилизаторы напряжения линейные
auf Bestellung 413 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240CMCL/R40
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK11240CMIL
auf Bestellung 700 Stücke:
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TK11240CMIL-GTOKO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11240MTOKO
auf Bestellung 581 Stücke:
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TK11240MTLTOKO
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TK11240MTL-G
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TK11240MTR(P4)
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TK11241
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11241BMCL
auf Bestellung 20800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11241BMCL(41P)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11241BMCL/41PTOKO
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11242
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11242AMTL(P42)
auf Bestellung 4152 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11242BMCL
auf Bestellung 1050 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11243CMTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
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TK11244CMTOKO
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TK11244CSTOKO
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TK11245
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245AMTOKO
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TK11245AMTLTOKO
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TK11245AMTL(P45)
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TK11245AUTBTOKO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245BTOKO00+ SOT-89-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245BTOKO
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TK11245BMCLTOKO
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TK11245BMCLTOKOSOP8
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TK11245BMIL
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TK11245BMTL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245CM-G
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245CMCLTOKO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245CMCL-G
auf Bestellung 3400 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245CMCL/R45
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245CMIL-G
auf Bestellung 236 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245MTLTOKO00+ SOP89
auf Bestellung 1300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245MTR
auf Bestellung 1225 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11245MTR(P4)
auf Bestellung 4377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247BMCL
auf Bestellung 1207 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247BMCL-G
auf Bestellung 1300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247CMTOKO
auf Bestellung 7700 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247CMCLTOKO2004
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247CMCL/R47TOKO00+ SOT-89-6
auf Bestellung 200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247CMCL/R47TOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11247CMCL/R47TOKO09+
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247CMCL\R47TOKO
auf Bestellung 1400 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11247MTLTOKO07+ SOT1812-6
auf Bestellung 3500 Stücke:
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TK11247MTL(P4)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248ATOKO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248ATOKOSOT-89-6
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248AMTL96
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248AMTL(P48)
auf Bestellung 7473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248AUTOKO
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248BMCL
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248BUCB
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248CMCTOKO
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11248CMCL-GTOKOINL2004 TO23-6
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11249AMT1TOKO02+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1124BMCL
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250TOKO
auf Bestellung 7334 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AM
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AM/P50TOREX
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AMTLTOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AMTLT
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AU
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AUTBTOKO
auf Bestellung 6792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250AUTLTOKO
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250BM/U
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250BMCL(50P)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250BMIL
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250BUCBTOKO00+ SOP89
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250BUIBTOKO2002
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMTOKOTO236
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMCLTOKO02+
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMCLTOKO2004 TO23-6
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMCL-GTOKO
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMCL-GTOKOSOT23-6 05+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMCL-GTOKO07NOPB
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CMCL-GHAsahi Kasei Microdevices/AKMDescription: IC REG LINEAR 5V 300MA SOT23L-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 14.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23L-6
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.37V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 3 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUCB-GAKMSOT89
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUCB-GTOKO
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUCB-GTOKO06+NOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUCB-GTKSOT89
auf Bestellung 8755 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUCB-GTOKO06+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUCB-GTOKO09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11250CUIBTOKO09+
auf Bestellung 18018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH