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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TK1-1,5VPanasonic Electric WorksSignal Relay 1.5VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-1.5VNAIS07+
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TK1-1.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 1.5V
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TK1-12VNAIS07+
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TK1-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
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TK1-12VPanasonic Electric WorksSignal Relay 12VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-24VNAIS07+
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TK1-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 11.3 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 2.4 VDC
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Part Status: Obsolete
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TK1-3VNAIS07+
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TK1-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 3VDC
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TK1-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 31.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
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TK1-4.5VNAIS07+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1-5V
Produktcode: 108158		Relais
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TK1-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Part Status: Obsolete
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TK1-5VPanasonic Electric WorksSignal Relay 5VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-5VNAIS07+
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TK1-6VNAIS07+
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TK1-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 6V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 6VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 23.3 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.6 VDC
Must Operate Voltage: 4.5 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
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TK1-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 9VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 9VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 15.5 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 220VDC - Max
Must Release Voltage: 0.9 VDC
Must Operate Voltage: 6.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 2 ms
Part Status: Obsolete
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TK1-9VNAIS07+
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TK1-L-1.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 1.5V
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TK1-L-1.5VNAIS07+
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TK1-L-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
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TK1-L-12VNAIS07+
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TK1-L-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24V
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TK1-L-24VNAIS07+
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TK1-L-3VNAIS07+
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TK1-L-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 3V
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TK1-L-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 4.5V
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TK1-L-4.5VNAIS07+
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TK1-L-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 5V
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TK1-L-5VNAIS07+
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TK1-L-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 6V
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TK1-L-6VNAIS07+
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TK1-L-9VNAIS07+
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TK1-L-H-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 3V
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TK1-L2-1.5VNAIS07+
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TK1-L2-1.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 1.5V
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TK1-L2-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
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TK1-L2-12VNAIS07+
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TK1-L2-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24V
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TK1-L2-24VNAIS07+
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TK1-L2-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 3V
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TK1-L2-3VNAIS07+
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TK1-L2-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 4.5V
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TK1-L2-4.5VNAIS07+
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TK1-L2-5VNAIS07+
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TK1-L2-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 5VDC
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TK1-L2-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 2A 6V
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TK1-L2-6VNAIS07+
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TK1-L2-9VPanasonic Electric WorksSignal Relay 9VDC 2A SPDT(10.6x9x4)mm THT
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TK1-L2-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 9VDC
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TK1-L2-9VNAIS07+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1-SOM-2GBColorado EngineeringAt only 2″ x 2.3″ and 2.89-3.52 ounces (without/with fan), the TK1-SOM gives you the freedom to use the NVIDIA Tegra K1 SoC for numerous applications, from deeply embedded applications or advanced security systems with facial recognition.
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TK1-SOM-4GBColorado EngineeringAt only 2″ x 2.3″ and 2.89-3.52 ounces (without/with fan), the TK1-SOM gives you the freedom to use the NVIDIA Tegra K1 SoC for numerous applications, from deeply embedded applications or advanced security systems with facial recognition.
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TK100ExtechEnvironmental Test Equipment TEMP TROUBLESHOOTING KIT W/IR THERMOMETER
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TK100
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1005800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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TK1005800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 10
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
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TK100A06N1ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
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TK100A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.37 EUR
11+ 5.12 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.51 EUR
1000+ 2.86 EUR
5000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK100A06N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TK100A06N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
35+ 2.04 EUR
38+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A06N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
35+ 2.04 EUR
38+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1S4X(SToshibaMOSFET
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TK100A06N1S4X(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A08N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.92 EUR
10+ 8.01 EUR
100+ 6.14 EUR
250+ 5.95 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.37 EUR
2500+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK100A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A08N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.32 EUR
73+ 2.07 EUR
100+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 68
TK100A08N1S4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.26 EUR
10+ 8.81 EUR
50+ 7.33 EUR
100+ 6.29 EUR
250+ 6.19 EUR
500+ 5.59 EUR
1000+ 4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK100A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.72 EUR
26+ 5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TK100A10N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100A10N1S4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E06N1ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100E06N1,S1XToshibaMOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 97-111 Tag (e)
9+6.4 EUR
11+ 5.04 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 4 EUR
500+ 3.56 EUR
1000+ 2.89 EUR
5000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK100E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E06N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
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27+5.82 EUR
55+ 2.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 27
TK100E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 38 Stücke:
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TK100E06N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E06N1S1X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E08N1ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 80V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
auf Bestellung 41 Stücke:
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6+9.26 EUR
10+ 8.45 EUR
50+ 7.18 EUR
100+ 6.27 EUR
250+ 6.08 EUR
500+ 5.59 EUR
1000+ 4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK100E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100E08N1,S1X
Produktcode: 143972		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK100E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
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49+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 49
TK100E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 238 Stücke:
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TK100E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E08N1S1X(SToshibaMOSFET
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TK100E08N1S1X(S-XToshibaMOSFET
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TK100E10N1ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.2 EUR
50+ 7.28 EUR
100+ 6.24 EUR
500+ 5.55 EUR
1000+ 4.75 EUR
2000+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 3 Stücke:
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TK100E10N1,S1X
Produktcode: 175741		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1XToshibaMOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
auf Bestellung 75 Stücke:
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7+8.45 EUR
50+ 7.33 EUR
100+ 6.27 EUR
250+ 6.24 EUR
500+ 5.62 EUR
1000+ 4.52 EUR
5000+ 4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK100E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
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29+5.47 EUR
45+ 3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TK100E10N1,S1X(S
Produktcode: 199160		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK100E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 32114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 32100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.59 EUR
1000+ 2.24 EUR
2000+ 2.13 EUR
2500+ 1.72 EUR
3000+ 1.64 EUR
5000+ 1.5 EUR
10000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TK100E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
37+ 1.97 EUR
39+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK100E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 32100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+2.59 EUR
1000+ 2.24 EUR
2000+ 2.13 EUR
2500+ 1.72 EUR
3000+ 1.63 EUR
5000+ 1.5 EUR
10000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 750
TK100E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
37+ 1.97 EUR
39+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK100E10N1S1X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10N1S1X(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10NE,S1AQ(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10NE,S1BQ(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10NE,S1Q(ASToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10NE,S1Q(BSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK100E10NE,S1Q(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F04K3ToshibaMOSFET Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F04K3(TE24L,QToshibaMOSFET N-ch 40V 100A TO-220SM(W)
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F04K3(TE24L,QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F04K3(TE24L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F04K3LToshibaMOSFET Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F06K3ToshibaMOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F06K3(TE24L,QToshibaMOSFET N-ch 60V 100A TO-220SM(W)
Produkt ist nicht verfügbar
TK100F06K3(TE24L,QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-220SM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK100G08N1ToshibaLow-VDSS High-Qg MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
TK100L60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK100L60W,VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+80.86 EUR
10+ 71.86 EUR
20+ 69.21 EUR
50+ 68.04 EUR
100+ 62.84 EUR
200+ 60.53 EUR
500+ 58.58 EUR
TK100L60W,VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 797W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+80.31 EUR
10+ 71.36 EUR
100+ 62.42 EUR
TK100L60W,VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 100A Tray
Produkt ist nicht verfügbar
TK100L60W,VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+53.51 EUR
5+ 42 EUR
10+ 37.72 EUR
50+ 31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100L60W,VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Produkt ist nicht verfügbar
TK100L60W,VQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 797W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100L60WVQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK100S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.42 EUR
10+ 5.33 EUR
100+ 4.24 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100S04N1L,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.53 EUR
10+ 5.43 EUR
100+ 4.32 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.12 EUR
2000+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK100S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK100S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK100S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK100S04N1L,LXHQToshibaMOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 17681 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
16+ 3.25 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.75 EUR
2000+ 1.65 EUR
4000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK100S04N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2703 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.21 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK100S04N1L,LXHQ(OToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.88 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 71
TK100S04N1LLQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK102-2
Produktcode: 41198
Produkt ist nicht verfügbar
TK10200MTLTOKO
auf Bestellung 7000 Stücke:
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TK10200MTLTOKO2001
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TK10200MTLTOKO01+ SOP8L
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TK10201AMTL02+
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TK10201AMTL
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TK10202AM9-G
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TK10202AM9G0
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TK10203AM9-G
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TK10203AM9G0
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TK10203AM9GOB
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TK10205MTLTOKO2 SMD-8
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TK103-2
Produktcode: 41199
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TK10311
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TK10311-1
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TK10350
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TK10415MTL
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TK10416MTLTOKOSOP-6
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TK10416MTL(416)
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TK10417MTLTOKO
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TK10417MTLTOKO01+ SOP
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TK10417MTLTOKO00+
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TK10419MTLTOKO
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TK10420
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TK10420MTR
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TK10421RCL
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TK10469
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TK10469MTL
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TK10483Z
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TK10485
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TK10485MT1
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TK10485MTL
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TK10485MTR
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TK10487
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TK10487M-TOKO
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TK10487MTL
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TK10488MTLTOKO20
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TK10488MTRTOKO05+
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TK10489M
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TK10489MTLTOKO
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TK10489MTRTOKO
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TK10492TOKO96
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TK10492DTOKO
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TK10492M
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TK10492M-1
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TK10492M-1(10492-AOF08E16T
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TK104S01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 10.4" SVGA
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TK104V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT VGA TFT LCD 10.4"
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TK104V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 10.4" VGA
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TK105-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv UNDEFINED ELECTRICAL TERM
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TK10502MTLTOKO
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TK10581M
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TK10586RCL2000+ SMD
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TK10610
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TK10650
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TK10650MT1TOKOSOP20
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TK10650MTLTOKO90
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TK10650MTLTOKO
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TK10651L
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TK10652LTRTOKO96
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TK10652MT1
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TK10652MTLTOKOSOP20
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TK10652MTRTOKO0
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TK10658D
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TK10659
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TK10659MTLTOKO2002
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TK10681
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TK10681MTR
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TK10682M-X
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TK10682MTL
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TK10682MTR
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TK10690MTLTOKO2004
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TK10690MTL-GTOKO
auf Bestellung 820 Stücke:
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TK10691MTL-GTOKO07+ QFP
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TK10691MTL-GTOKO
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TK10760TOKO
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TK10762
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TK10845MTLTOKO95 SOP
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TK10910LTOKO
auf Bestellung 20000 Stücke:
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TK10930VTLTOKO1998
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TK10930VTL
Produktcode: 185372		IC > IC andere
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TK10A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
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12+4.42 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 2.94 EUR
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TK10A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A50W,S5XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 138 Stücke:
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6+4.45 EUR
50+ 3.56 EUR
100+ 2.93 EUR
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TK10A50W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK10A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DToshibaToshiba
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TK10A60D (Q,M)ToshibaMOSFET
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TK10A60D(LS1CN,A,QToshibaToshiba
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TK10A60D(LS1SDI,QMToshibaToshiba
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TK10A60D(LS1SO,Q,MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(LS1SO6,AQToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(LS1SP6,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(MURATA,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(Q)ToshibaMOSFET
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TK10A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60D(Q,M)ToshibaMOSFET HVMOS SIS PLN,ACTIVE,
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
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TK10A60D(QM)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4LIT,XM)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4PI,Q,M)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4SA6,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4SAN6,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4SHR6,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4TET,X,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(S4TET6,XMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D,S5MU6Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D,S5Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D,S5SA6Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D,S5SAN6Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D,S5SANKQ(JToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D5ToshibaMOSFET
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TK10A60D5
auf Bestellung 336696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK10A60D5(Q)ToshibaSILICON N CHANNEL MOS TYPE (PAI-MOS)
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TK10A60D5(Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D5(Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60D5(S4PHI,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(S4TEV,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(S4TEV,XMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(S4TEV,XSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(S5TEV,AXToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(STA4,A,QToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(STA4,Q,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(STA4,XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(STA4,X,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR(STA4XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR,S4X(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DR,S5X(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60DSTA4,X,MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK10A60E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60E,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.98 EUR
10+ 5.33 EUR
50+ 5.3 EUR
100+ 4.32 EUR
250+ 4.19 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W,S4VX(MToshibaTK10A60W,S4VX(M
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60W5,S5VXToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.76 EUR
14+ 3.82 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 2.86 EUR
500+ 2.56 EUR
1000+ 2.14 EUR
5000+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TK10A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+ 2.23 EUR
42+ 1.72 EUR
45+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TK10A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100
TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+ 2.23 EUR
42+ 1.72 EUR
45+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A60W5S5VX(MToshibaMOSFET
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TK10A60WS4VX(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80EToshibaToshiba
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TK10A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.51 EUR
50+ 4.44 EUR
100+ 3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK10A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.62 EUR
11+ 4.86 EUR
100+ 3.85 EUR
250+ 3.51 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.56 EUR
2500+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK10A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A80ES4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80W,S4XToshibaMOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.6 EUR
10+ 5.56 EUR
50+ 5.36 EUR
100+ 4.6 EUR
250+ 4.29 EUR
500+ 3.93 EUR
1000+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK10A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10A80W,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.53 EUR
18+ 4.08 EUR
22+ 3.3 EUR
23+ 3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK10A80W,S4X(SToshibaTK10A80W,S4X(S
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.76 EUR
39+ 3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK10A80W,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
18+ 4.08 EUR
22+ 3.3 EUR
23+ 3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK10A80W,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK10E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10E60W,S1VXToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 110-124 Tag (e)
8+7.1 EUR
10+ 6.76 EUR
50+ 5.51 EUR
100+ 4.81 EUR
250+ 4.73 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK10E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK10E60W,S1VX(STOSHIBATK10E60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
TK10E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
TK10E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10E80W,S1XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.42 EUR
10+ 7.28 EUR
50+ 6.16 EUR
100+ 5.46 EUR
250+ 5.12 EUR
500+ 4.84 EUR
1000+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK10E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.32 EUR
50+ 6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK10E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10E80W,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK10E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10J80EToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10J80E,S1EToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.15 EUR
10+ 6.19 EUR
25+ 5.67 EUR
100+ 5.02 EUR
250+ 4.89 EUR
500+ 4.37 EUR
1000+ 3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK10J80E,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.52 EUR
68+ 2.22 EUR
100+ 1.99 EUR
150+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 63
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK10J80E,S1E(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 275
TK10J80E,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10J80ES1E(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P50WToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.03 EUR
10+ 3.35 EUR
100+ 2.66 EUR
500+ 2.25 EUR
1000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK10P50W,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
16+ 3.41 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.51 EUR
500+ 2.27 EUR
1000+ 1.95 EUR
2000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TK10P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10P50W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10P50WRQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.54 EUR
67+ 2.25 EUR
100+ 1.93 EUR
250+ 1.84 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.48 EUR
2000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 62
TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
10+ 5.82 EUR
100+ 4.63 EUR
500+ 3.92 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.54 EUR
67+ 2.25 EUR
100+ 1.93 EUR
250+ 1.84 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.48 EUR
2000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 62
TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK10P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.41 EUR
12+ 4.71 EUR
100+ 3.95 EUR
250+ 3.93 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 3.15 EUR
2000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK10P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.21 EUR
147+ 1.03 EUR
167+ 0.87 EUR
200+ 0.8 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 129
TK10P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P60WRVQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10Q60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
TK10Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.94 EUR
75+ 5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK10Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK10S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK10S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.028
Produkt ist nicht verfügbar
TK10S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK10V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK10V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
TK10V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK10V60W,LVQToshibaTK10V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
TK10V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
auf Bestellung 2109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK10V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
TK10V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
TK10V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.88 EUR
186+ 0.81 EUR
200+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 178
TK10V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.327ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK10V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK11.7 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 39mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 39mm
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure series: TEKMAR
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+ 13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK11.7 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 39mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 39mm
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure series: TEKMAR
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+ 13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK11.9TEKOTK11.9 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+ 35.75 EUR
50+ 24.11 EUR
TK110TIOO
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11041MTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11041M-1-TRBTOKO06+ SOT-153
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11042MTLTOKO
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11043MTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11043MTL-GTOKOSOT25/SOT353
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11050MTL
auf Bestellung 12780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1105800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
TK1105800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 11P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 11
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK11058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
TK110A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
50+ 2.02 EUR
100+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TK110A10PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.54 EUR
26+ 2.08 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.12 EUR
2500+ 1.05 EUR
5000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 21
TK110A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK110A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK110A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110A10PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK110A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK110A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK110A65Z,S4XToshibaMOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.85 EUR
10+ 8.97 EUR
50+ 7.38 EUR
100+ 6.73 EUR
250+ 6.53 EUR
500+ 5.93 EUR
1000+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK110A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.65 EUR
31+ 5.02 EUR
50+ 4.61 EUR
100+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK110A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK110E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
50+ 2.49 EUR
100+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK110E10PL,S1XToshibaMOSFET TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.12 EUR
23+ 2.28 EUR
100+ 1.92 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.31 EUR
2500+ 1.29 EUR
5000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK110E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK110E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110E10PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK110E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.96 EUR
50+ 7.89 EUR
100+ 6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK110E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 34
TK110N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK110N65Z,S1FToshibaMOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.68 EUR
10+ 11.49 EUR
30+ 7.67 EUR
120+ 7.64 EUR
270+ 7.62 EUR
510+ 7.59 EUR
2520+ 7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK110N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK110N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110N65ZS1F(SToshibaToshiba
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TK110P10PLToshibaMOSFET
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TK110P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
15+ 1.81 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK110P10PL,RQToshibaMOSFET DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 36818 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.2 EUR
29+ 1.82 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.98 EUR
2500+ 0.92 EUR
5000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TK110P10PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK110P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK110P10PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
81+ 0.88 EUR
107+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
TK110P10PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK110P10PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
81+ 0.88 EUR
107+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
TK110U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK110U65Z,RQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.93 EUR
10+ 6.97 EUR
100+ 5.98 EUR
250+ 5.95 EUR
500+ 5.46 EUR
1000+ 5.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK110U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.77 EUR
33+ 4.6 EUR
34+ 4.39 EUR
50+ 4.18 EUR
100+ 3.51 EUR
250+ 3.13 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK110U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.48 EUR
10+ 8.79 EUR
100+ 7.11 EUR
500+ 6.32 EUR
1000+ 5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK110U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK110U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.086 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.086 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK110Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.69 EUR
22+ 7.04 EUR
25+ 6.49 EUR
50+ 6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TK110Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.64 EUR
10+ 14.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK110Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK110Z65Z,S1FToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.01 EUR
10+ 11.02 EUR
25+ 9.33 EUR
100+ 8.94 EUR
250+ 8.63 EUR
500+ 8.29 EUR
1000+ 7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK110Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK110Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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TK11100CSB-GTOKO
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TK11100CSCBTOKO
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TK11100CSCB-G
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TK11100CSCB-GHTOKOSOT23-4
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TK11112CSCL-GTOKOSOT153-R12 PB-FR
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TK11112CSCL-GSOT153-R12PB-FREETOKO
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TK11115CSCL
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TK11115CSCL-GTOKO
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TK11115CSCL-GTOKO09+
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TK11115CSCL-GTOKO07+PB
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TK11115CSCL-GTOKO2005+
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TK11116CSCL-GAKMSOT25/SOT353
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TK11118CSCLTOKO
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TK11118CSCLTOKOSOT-153
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TK11118CSCL-GTOKOSOT25/SOT353
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TK11118CSCL-GT
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TK11118CSCL-GTOKO2004
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TK11118CSCL-GTOKO09+
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TK11118CSCL/R81TOKO
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TK11118CSCL\R81TOKOSOT-153
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TK11118CSIL-G
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TK1112TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Insulation colour: black
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK1112TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Insulation colour: black
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Produkt ist nicht verfügbar
TK11120CS
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TK11120CSCL-GTOKOSOT23-5
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TK11120CSCL-GTOKOSOT153
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TK11120SCLTOKO
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TK111233AUTBTOKO2000
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TK11123CSCLTOKO
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TK11125CSCLTOKO09+
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TK11125CSCLTOKOSOT23-5
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TK11125CSCLTOKO
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TK11125CSCLTOKO2003
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TK11125CSCL-GTOKO04+
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TK11125CSCL-GTOKOSOT25/SOT353
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TK11125CSCL-GTOKO
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TK11125CSCL-GTOKO08+
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TK11125CSCL-GToko America Inc.Description: IC REG LDO 2.5V 0.2A SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
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21+1.25 EUR
22+ 1.23 EUR
25+ 1.21 EUR
250+ 1.18 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 21
TK11125CSCL-GT
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TK11125CSCL/R25
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TK11125S
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TK11125SCLTOKO
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TK11125SCL(W25)
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TK11126CS-GGTOKO
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TK11126CSCLTOKO
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TK11126CSCL-GTOKO2006 SOT23-5
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TK11126CSCL-GTOKO
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TK11126CSIL
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TK11127CSTOKO
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TK11127CSCLTOKO2002
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TK11127CSCLTOKO
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TK11127CSCL-GTOKO2004
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TK11127CSILTOKO09+
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TK11127CSILTOKO
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TK11127CSILTOKO2002
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TK11127S
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TK11128
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TK11128ASILTOKO00+
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TK11128ASILTOKO
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TK11128CSCLTOKO08+
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TK11128CSCLTOKO
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TK11128CSCL-GTOKO
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TK11128CSCL-GTOKO2006 SOT23-5
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TK11128CSIL-G
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TK11128MCL
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TK11128MELTOKO03+ SOP8
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TK11128S
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TK11128SCLTOKO2003
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TK11128SCLTOKO
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TK11128SIL
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TK11129CSTOKO
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TK11129CSCLTOKOSOT25/SOT353
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TK11129CSCLTOKO06+
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TK11129CSCLTOKO
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TK11129CSCL-GTOKO06+PB
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TK11129CSCL-GTOKO
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TK11129CSCL-GTOKO09+
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TK11129CSIL-GTOKOSOT153
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11129CSIL-GTOKO09+
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TK11129M
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TK11129S
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TK11129SCLTOKO04+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11129SCLTOKO00+ SOP-5
auf Bestellung 300 Stücke:
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TK11129SCLTOKO
auf Bestellung 8461 Stücke:
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TK1112PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Version: mono
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TK1112PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Version: mono
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK1112PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Version: mono
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK1112PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Version: mono
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TK1112PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Insulation colour: yellow
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Produkt ist nicht verfügbar
TK1112PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Insulation colour: yellow
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK1112PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Insulation colour: brown
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK1112PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Insulation colour: brown
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Produkt ist nicht verfügbar
TK1112PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK1112PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Cable length: 12m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 1
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TK11130TOKO
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TK11130CSCL(R30)
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TK11130CSCL-GTOKO06+
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TK11130CSCL-GToko America Inc.Description: IC REG LDO 3V 0.2A SOT23-5
auf Bestellung 259 Stücke:
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TK11130CSCL-GTOKOSOT23-5
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TK11130CSCL-GTOKO
auf Bestellung 120000 Stücke:
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TK11130CSCL-GToko America IncDescription: IC REG LDO 3V 0.2A SOT23-5
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TK11130CSCL-Gtoko09+
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TK11130CSCL-GASAHISOT25
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11130CSCLSOT153-R30TOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11130CSILTOKO06+
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11130CSILTOKO09+
auf Bestellung 351 Stücke:
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TK11130CSILTOKO06+
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11130M
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11130M-TLTOKO2004
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TK11130MCLTOKO2004
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TK11130S
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TK11131CSCL
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TK11131CSCL-GTOKOSOT153-R31 PB-FR
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11131CSCL-GTOKOINC2005
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TK11131S
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TK11132TOKO
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TK11132C
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11132CSCLTOKO
auf Bestellung 19800 Stücke:
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TK11132CSCLTOKOSOT23-5
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TK11132CSCL-GTOKOSOT25/SOT353
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TK11132CSCL-GTOKOINC2004 TO23-5
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TK11132M-TL
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TK11132MC
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TK11132MCLTOKO2004
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TK11132MCLTOKO
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TK11132SCLTOKO
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TK11133CSTOKO
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TK11133CSCLTOKO
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TK11133CSCLTOKO09+
auf Bestellung 206 Stücke:
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TK11133CSCLTOKOSOT25
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSCLTOKO2004
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSCL-GTOKO2004
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSCL-GTOKOSOT25/SOT353
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSCL-GTOKO
auf Bestellung 8380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSCL-GTOKOSOT153
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSILTOKO2004
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSIL-GHAKUTOSOT25/SOT353
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSL-G/1233TOKO
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11133CSL.G
auf Bestellung 27000 Stücke:
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TK11133CSTL
auf Bestellung 551 Stücke:
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TK11133M-TL
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TK11133MCLTOKO05+
auf Bestellung 57 Stücke:
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TK11133SC-W
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11133SCL
auf Bestellung 500 Stücke:
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TK11134CSCL-GTOKOSOT153-R34 PB-FR
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11134CSCL-G SOT153-R34TOKO
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11134CSCL-GSOT153-R34PB-FREETOKO
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11135CSCLTOKO
auf Bestellung 9200 Stücke:
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TK11135CSCL-GTOKO09+
auf Bestellung 81018 Stücke:
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TK11135CSCL-GTOKO
auf Bestellung 90200 Stücke:
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TK11138CSCLTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
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TK11140TOKO
auf Bestellung 2500 Stücke:
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TK11140CSCLTOKO
auf Bestellung 7166 Stücke:
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TK11140CSCL-GTOKO05+ TO23-5
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11140MCL
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TK11140SCL
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TK11142CSCL-GTOKO07+
auf Bestellung 2153 Stücke:
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TK11142CSCL-GTOKO09+
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TK11144CSTOKO
auf Bestellung 6700 Stücke:
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TK11146CSCL-GTOKO04+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK11147CSCL
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11147CSCL-GTOKO
auf Bestellung 15200 Stücke:
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TK11147CSCL-GTOKOSOT26/SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11147SCLTOKO
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11148CSCL-GTOKO
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11150CS
Produktcode: 162215		TOKOIC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT23-5
Uin, V: 1,8...14 V
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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auf Bestellung 10000 Stücke:
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TK11230CMCL-GToko America IncDescription: IC REG LDO 3V 0.3A SOT23L-6
Produkt ist nicht verfügbar
TK11230CMCL-GTOKOSOP6
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auf Bestellung 1870 Stücke:
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TK11230CMCL-GHHAKUTOSOT26/SOT363
auf Bestellung 528 Stücke:
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TK11230CMCL-GHAsahi Kasei Microdevices/AKMDescription: IC REG LINEAR 3V 300MA SOT23L-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 14.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23L-6
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.37V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 3 mA
Produkt ist nicht verfügbar
TK11230CMIL-GTOKOSOT163
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK11233BMCLTOKO
auf Bestellung 204 Stücke:
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TK11233BMCLTOKO09+
auf Bestellung 1318 Stücke:
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TK11233BMCLTOKOSOP6
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11233BMCLTOKOSOT89-6
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11233BMCLTOKO01+ SOP23
auf Bestellung 1051 Stücke:
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TK11233BMCLTOKO1999+
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11233BMCL-G
auf Bestellung 5128 Stücke:
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TK11233BMCL/33PTOKO
auf Bestellung 6625 Stücke:
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TK11233BU-TLTOKO1
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK11233BUCG
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CMCLTOKOSOP6 04+
auf Bestellung 2600 Stücke:
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TK11233CMCLTOKO
auf Bestellung 9800 Stücke:
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TK11233CMCL-GTOKOSOT89-6
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11233CMCL-GTOKO09+
auf Bestellung 1318 Stücke:
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TK11233CMCL-GTOKOINL2004 TO23-6
auf Bestellung 946 Stücke:
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TK11233CMCL-GTOKO
auf Bestellung 200 Stücke:
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TK11233CMCL/R33TOKO
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CMCL\R33TOKOSSOP8
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUCBSOP
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUCB
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUCB-GTOKO06+PB
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUCB-GTOKO
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUCB-GTOKO09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUCG
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUIBTOKOSOT89-6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11233CUIBTOKO
auf Bestellung 8000 Stücke:
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TK11234BM
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11234BMCLTOKOSOT-P6
auf Bestellung 2600 Stücke:
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TK11234BMCLTOKOSOT23L-6-34P
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11234BMCLTOKO
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11234BMCLTOKO2004
auf Bestellung 1374 Stücke:
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TK11234BMCL SOT23L-6-34PTOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
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TK11234BMCLSOT23L-6-34P
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11234BMCLSOT89-6-34PTOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235TOKO
auf Bestellung 6678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235ATFK2000
auf Bestellung 14300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235AMTLTOKO01+
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235AMTL(P35)
auf Bestellung 10874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235ATML
auf Bestellung 4478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235AUTB
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235BCML/35PTOKO09+
auf Bestellung 2618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235BCML/35PTOKO
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235BM
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235BMCLTOKO04+
auf Bestellung 54297 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235BMIL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235BUI-PTOKO98+ SOT89-6
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235CMCLTOKO
auf Bestellung 6650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235MTL
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11235MTL(P3)
auf Bestellung 17530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236AM
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236AMTL
auf Bestellung 57999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236AMTL(P36)
auf Bestellung 72756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236BM
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236BMCLTOKO
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236CMCLTOKO
auf Bestellung 6304 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11236CMCLTOKO04+ SOT23-6L
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11237BMCL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11237BMTL
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238AMTOKO
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238AMTLTOKOSOT26/SOT363
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238AUTB(38P)
auf Bestellung 193834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238AUTBЈЁ38PЈ©
auf Bestellung 204465 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238B/38PTOKO09+
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238B/38PTOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238BM/U
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238BMC-TRB
auf Bestellung 6480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238BMCLTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238B\38PTOKO
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11238CMCL/R38
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1123BMCLTOKOSOT-23 02+
auf Bestellung 6135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1123BMCLTOKO
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1123CMCL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240-CMCL
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240AMTLTOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240AMTL(P40)
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240AMTL-G
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240AMTL/P40TOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240AUTB
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240AUTBSOT
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240BM-TLTOKO02+ SOP6
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240BMCLTOKO06+ SOT23-6
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240BMCLTOKO2002
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240BMCL(40P)
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240BUCBTOKO
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240CMCL
Produktcode: 1866		TOKOIC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-6
Uin, V: 16
Uout,V: 4
Iout,A: 0.24
Udrop, V: 0.29
Bemerkung: ON/OFF SWITCH
verfügbar 1071 Stück:
20 Stück - stock Köln
1051 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.7 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.49 EUR
1000+ 0.47 EUR
TK11240CMCLМ/с Стабилизаторы напряжения линейные
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
TK11240CMCL/R40
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240CMIL
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240CMIL-GTOKO
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240MTOKO
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240MTLTOKO
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240MTL-G
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11240MTR(P4)
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11241
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11241BMCL
auf Bestellung 20800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11241BMCL(41P)
auf Bestellung 49520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11241BMCL/41PTOKO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11242
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11242AMTL(P42)
auf Bestellung 4152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11242BMCL
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11243CMTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11244CMTOKO
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11244CSTOKO
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245AMTOKO
auf Bestellung 8345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245AMTLTOKO
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245AMTL(P45)
auf Bestellung 9486 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245AUTBTOKO
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245BTOKO00+ SOT-89-6
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245BTOKO
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245BMCLTOKOSOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245BMCLTOKO
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245BMIL
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245BMTL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245CM-G
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245CMCLTOKO
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245CMCL-G
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245CMCL/R45
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245CMIL-G
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245MTLTOKO00+ SOP89
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245MTR
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11245MTR(P4)
auf Bestellung 4377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247BMCL
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247BMCL-G
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247CMTOKO
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247CMCLTOKO2004
auf Bestellung 8557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247CMCL/R47TOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247CMCL/R47TOKO09+
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247CMCL/R47TOKO00+ SOT-89-6
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247CMCL\R47TOKO
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247MTLTOKO07+ SOT1812-6
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11247MTL(P4)
auf Bestellung 11700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248ATOKOSOT-89-6
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248ATOKO
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248AMTL96
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248AMTL(P48)
auf Bestellung 7473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248AUTOKO
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248BMCL
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248BUCB
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248CMCTOKO
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11248CMCL-GTOKOINL2004 TO23-6
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11249AMT1TOKO02+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK1124BMCL
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250TOKO
auf Bestellung 7334 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AM/P50TOREX
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AMTLT
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AMTLTOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AU
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AUTBTOKO
auf Bestellung 6792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250AUTLTOKO
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250BM/U
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250BMCL(50P)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250BMIL
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250BUCBTOKO00+ SOP89
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250BUIBTOKO2002
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMTOKOTO236
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMCLTOKO2004 TO23-6
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMCLTOKO02+
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMCL-GTOKOSOT23-6 05+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMCL-GTOKO07NOPB
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMCL-GTOKO
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK11250CMCL-GHAsahi Kasei Microdevices/AKMDescription: IC REG LINEAR 5V 300MA SOT23L-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 14.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23L-6
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.37V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 3 mA
Produkt ist nicht verfügbar