| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBRS4201T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MM3Z3V0ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z3V0ST1G - Zener-Diode, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxST1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 13687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MM3Z6V8ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z6V8ST1G - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3Z6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCV4276CDTADJRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 2.5V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: -42V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 400mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCV4276CDTADJRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 2.5V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: -42V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 400mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MURS480ET3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MURS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
H11AG2300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11AG2300 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| HGT1S14N41G3VLT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MOC70P1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC70P1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MOC8100SR2M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC8100SR2M - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MUN2231T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 264000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 159000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FJP5555ATU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| NSS40500UW3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 36300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FMM7G20US60N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| KSC2785YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 338995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
MCT5211TVM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| KSB772YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1972 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VLS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 48196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
KSB1151YSTSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| MUN5131T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 721000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FJN3304RBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 54050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| BD535J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FQD4N50TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
MOC8111TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| CS951254DR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FJT44KTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| H11D2SR2VM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MUN2114T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 530511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FGD2N40L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 30317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FJP5555STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FJP5555TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FJZ733OTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 16455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFS4C02NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFS4C02NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MBR2H200SFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 940mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
CAT1640LI-45-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
CAT1641LI-42-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
CAT1640LI-25-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 0 rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
CAT1320LI-45-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FFPF10F150STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 170ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: FFPF1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCV7329MW0R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8tariffCode: 85423990 Bausteintyp: LIN-Transceiver euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Baudrate: 20Kbaud hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCV663SQ33T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMFS6H800NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMFS6H800NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMTS0D7N06CLTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMTS0D7N06CLTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMTS0D7N06CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294.6W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMTS0D7N06CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294.6W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NUP412VP5T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-953 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 187 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NUP412VP5T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-953 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 187 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
MBR5H100MFST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 730mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MBR5H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MBR5H100MFST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 730mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MBR5H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| MMBZ5240B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10VtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 89973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
MMBZ5240BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBZ5240BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| MBRS4201T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.34 EUR |
| 7500+ | 1.21 EUR |
| MM3Z3V0ST1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z3V0ST1G - Zener-Diode, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z3V0ST1G - Zener-Diode, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1024+ | 0.25 EUR |
| 2093+ | 0.11 EUR |
| 3522+ | 0.061 EUR |
| 3938+ | 0.055 EUR |
| 4256+ | 0.05 EUR |
| 6025+ | 0.036 EUR |
| MM3Z6V8ST1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z6V8ST1G - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z6V8ST1G - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1049+ | 0.24 EUR |
| 1690+ | 0.14 EUR |
| 3497+ | 0.061 EUR |
| 3611+ | 0.06 EUR |
| 3746+ | 0.057 EUR |
| NCV4276CDTADJRKG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 3.77 EUR |
| 86+ | 2.71 EUR |
| 96+ | 2.25 EUR |
| 108+ | 1.99 EUR |
| 250+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| NCV4276CDTADJRKG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.25 EUR |
| 108+ | 1.99 EUR |
| 250+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| MURS480ET3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.2 EUR |
| H11AG2300 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11AG2300 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - H11AG2300 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1069+ | 0.89 EUR |
| HGT1S14N41G3VLT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 5.09 EUR |
| MOC70P1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC70P1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MOC70P1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 517+ | 1.86 EUR |
| MOC8100SR2M |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC8100SR2M - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MOC8100SR2M - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.69 EUR |
| MUN2231T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.069 EUR |
| MUN5240T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.069 EUR |
| FJP5555ATU |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 916+ | 1.05 EUR |
| NSS40500UW3T2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 36300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.52 EUR |
| FMM7G20US60N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 68.13 EUR |
| KSC2785YTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 338995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13889+ | 0.069 EUR |
| MCT5211TVM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.59 EUR |
| KSB772YS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| HGT1S20N36G3VLS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 179+ | 5.38 EUR |
| KSB1151YSTSTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1233+ | 0.77 EUR |
| MUN5131T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 721000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.076 EUR |
| MUN5136DW1T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12000+ | 0.092 EUR |
| FJN3304RBU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 54050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13889+ | 0.069 EUR |
| BD535J |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1687+ | 0.57 EUR |
| FQD4N50TF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 822+ | 1.17 EUR |
| MOC8111TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1781+ | 0.54 EUR |
| CS951254DR8G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 517+ | 1.77 EUR |
| FJT44KTF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.43 EUR |
| H11D2SR2VM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 891+ | 1.08 EUR |
| MUN2114T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 530511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.069 EUR |
| FGD2N40L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1394+ | 0.69 EUR |
| FJP5555STU |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 891+ | 1.08 EUR |
| FJP5555TU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.24 EUR |
| FJZ733OTF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 501+ | 1.92 EUR |
| NVTFS5C453NLWFTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.95 EUR |
| 113+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| NVTFS4C02NTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.65 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 121+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| 2000+ | 1.5 EUR |
| NVTFS4C02NTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.65 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 121+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| 2000+ | 1.5 EUR |
| MBR2H200SFT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.4 EUR |
| CAT1640LI-45-G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 3.3 EUR |
| CAT1641LI-42-G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 3.3 EUR |
| CAT1640LI-25-G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 3.3 EUR |
| CAT1320LI-45-G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 2.43 EUR |
| FFPF10F150STU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 3.38 EUR |
| 94+ | 2.49 EUR |
| 101+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 5000+ | 1.49 EUR |
| NCV7329MW0R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 235+ | 0.99 EUR |
| 299+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.54 EUR |
| NCV663SQ33T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 191+ | 1.31 EUR |
| 225+ | 1.04 EUR |
| 328+ | 0.65 EUR |
| NCD57100 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.34 EUR |
| 250+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 3.21 EUR |
| 1000+ | 3.15 EUR |
| NCD57100 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.15 EUR |
| 50+ | 4.74 EUR |
| 54+ | 3.99 EUR |
| 63+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 250+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 3.21 EUR |
| 1000+ | 3.15 EUR |
| NVMFS6H800NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.87 EUR |
| 500+ | 5.78 EUR |
| 1000+ | 5.59 EUR |
| NVMFS6H800NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.2 EUR |
| 27+ | 8.84 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |
| 500+ | 5.78 EUR |
| 1000+ | 5.59 EUR |
| NVMTS0D7N06CLTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 26.56 EUR |
| 12+ | 20.96 EUR |
| 14+ | 15.9 EUR |
| 50+ | 14.83 EUR |
| 100+ | 13.76 EUR |
| 250+ | 13.47 EUR |
| NVMTS0D7N06CLTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 26.56 EUR |
| 12+ | 20.96 EUR |
| 14+ | 15.9 EUR |
| 50+ | 14.83 EUR |
| 100+ | 13.76 EUR |
| 250+ | 13.47 EUR |
| NVMTS0D7N06CTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 26.81 EUR |
| 12+ | 21.07 EUR |
| 14+ | 15.91 EUR |
| 50+ | 14.67 EUR |
| 100+ | 13.44 EUR |
| 250+ | 13.15 EUR |
| NVMTS0D7N06CTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 26.81 EUR |
| 12+ | 21.07 EUR |
| 14+ | 15.91 EUR |
| 50+ | 14.67 EUR |
| 100+ | 13.44 EUR |
| 250+ | 13.15 EUR |
| NUP412VP5T5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NUP412VP5T5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MBR5H100MFST1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 170+ | 1.48 EUR |
| 202+ | 1.15 EUR |
| 212+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| MBR5H100MFST1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 170+ | 1.48 EUR |
| 202+ | 1.15 EUR |
| 212+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| MMBZ5240B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 89973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13889+ | 0.069 EUR |
| MMBZ5240BLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1026+ | 0.24 EUR |
| 1509+ | 0.15 EUR |
| 3022+ | 0.071 EUR |
| 3534+ | 0.061 EUR |
| MMBZ5240BLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 944+ | 0.26 EUR |
| 1523+ | 0.15 EUR |
| 3040+ | 0.07 EUR |
| 3572+ | 0.06 EUR |





















