| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQD7P20TM | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS5H414NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 71990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5H600NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFSC004N08MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS034N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS10N3D2C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5H414NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 71990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS034N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFSC4D2N10MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 122W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS08N003C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 147A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS008N12MCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS022N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFSC004N08MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS015N10MCLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS008N12MCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 102W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFSC4D2N10MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 122W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS4C06NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFSC010N08M7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS7D8N10GTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS08N003C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 147A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS015N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 108.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 108.7W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFSC0D9N04CL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 313A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFSC0D9N04CL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 313A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS022N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80.6W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS5C426NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C426NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 128W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS006N12MCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 5000 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS7D8N10GTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 187W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFSC010N08M7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78.1W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS2D5N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 181A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D7N04XLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 349A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMFS1D1N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV7719DQAR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24 tariffCode: 85423990 IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 550mA Motortyp: DC-Bürstenmotor Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 40V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.15V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV7720DQAR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7720DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 28V/550mA/10 Ausgänge, SSOP-24 tariffCode: 85423990 IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 550mA Motortyp: DC-Bürstenmotor Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 28V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.15V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 10Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV7703CD2R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7703CD2R2G - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Motortyp: DC-Bürstenmotor Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MC74ACT299DWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT299DWG - MC74ACT299DWG, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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FODM8801AR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 20mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V Bauform - Optokoppler: SSOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FODM8801CR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 20mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V Bauform - Optokoppler: SSOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FODM8801AR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 20mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V Bauform - Optokoppler: SSOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FODM8801CR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 20mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V Bauform - Optokoppler: SSOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FODM8801CR2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FODM8801CR2V - OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 3.75KV, SOP-4 tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Channel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 20mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 130V Bauform - Optokoppler: SOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptoHiT FODM8801C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMBT6428LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 700MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MURS160T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS160T3G - DIODE, U.KURZE ERH.ZEIT 1A 600V DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 107177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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MURS160T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 107177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRM140T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRM140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRM140T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 143507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TCA0372DP1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TCA0372DP1G - IC, OP-AMP, DUAL, 8DIP tariffCode: 85423390 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NXH40B120MNQ0SNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NXH80B120MNQ0SNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SB05-03Q-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 71472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LV2134V-TLM-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV2134V-TLM-E - DATA COMMUNICATION ICS tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SN74LS32ML1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SN74LS32ML1 - SN74LS32ML1, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTR2101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MC10H107MELG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC10H107MELG - MC10H107MELG, LOGIC tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FQD7P20TM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5C604NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5H414NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 71990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5H600NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC004N08MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS034N15MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS10N3D2C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5C604NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS4C06NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5H414NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 71990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS015N10MCLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS034N15MC |
|
Hersteller: ONSEMI
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Produktpalette: PowerTrench
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC4D2N10MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS08N003C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PQFN
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Produktpalette: PowerTrench
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS008N12MCT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS022N15MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC004N08MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS015N10MCLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS008N12MCT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC4D2N10MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS4C06NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS6H801NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 157A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC010N08M7 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 61A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS7D8N10GTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS08N003C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS6H801NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS015N15MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC0D9N04CL |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC0D9N04CL |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS022N15MC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5C426NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS5C426NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS006N12MCT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 5000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 5000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS7D8N10GTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFSC010N08M7 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS2D5N08XT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS0D7N04XLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS1D1N04XMT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV7719DQAR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV7720DQAR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7720DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 28V/550mA/10 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 10Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV7720DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 28V/550mA/10 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 10Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV7703CD2R2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7703CD2R2G - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV7703CD2R2G - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MC74ACT299DWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT299DWG - MC74ACT299DWG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74ACT299DWG - MC74ACT299DWG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FODM8801AR2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FODM8801CR2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FODM8801AR2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FODM8801CR2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FODM8801CR2V |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801CR2V - OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 3.75KV, SOP-4
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 130V
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptoHiT FODM8801C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - FODM8801CR2V - OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 3.75KV, SOP-4
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 130V
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptoHiT FODM8801C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBT6428LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MURS160T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS160T3G - DIODE, U.KURZE ERH.ZEIT 1A 600V DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MURS160T3G - DIODE, U.KURZE ERH.ZEIT 1A 600V DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 107177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MURS160T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 107177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRM140T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRM140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRM140T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 143507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TCA0372DP1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCA0372DP1G - IC, OP-AMP, DUAL, 8DIP
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - TCA0372DP1G - IC, OP-AMP, DUAL, 8DIP
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH40B120MNQ0SNG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH80B120MNQ0SNG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SB05-03Q-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| LV2134V-TLM-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV2134V-TLM-E - DATA COMMUNICATION ICS
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LV2134V-TLM-E - DATA COMMUNICATION ICS
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SN74LS32ML1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SN74LS32ML1 - SN74LS32ML1, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SN74LS32ML1 - SN74LS32ML1, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTR2101PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MC10H107MELG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10H107MELG - MC10H107MELG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC10H107MELG - MC10H107MELG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH