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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSB92AWT1 ONSEMI ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB92AWT1 - MSB92AWT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1098000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB710-RT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB710-RT1G - MSB710-RT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB710-RT1 ONSEMI ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB710-RT1 - TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB92T1G ONSEMI ONSMS24917-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB92WT1 MSB92WT1 ONSEMI ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB92WT1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 235970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB709-RT1 ONSEMI ONSM-S-A0013307633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB709-RT1 - TRANS PNP 45V 0.1A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 131900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB709-RT2 ONSEMI ONSMS22292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB709-RT2 - MSB709-RT2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4847NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296068-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4847NT1G - NTMFS4847NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4847NAT1G ONSEMI ONSMS22425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4847NAT1G - NTMFS4847NAT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 164500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9654EDTR2G PCA9654EDTR2G ONSEMI ONSM-S-A0013274570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PCA9654EDTR2G - I/O-Erweiterung, 8 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 8bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O's
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.81 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z ONSEMI 3005758.pdf Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN4033A ONSEMI FAIRS02620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - TN4033A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3562+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI 4073642.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
24+9.7 EUR
100+6.69 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI 4073642.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
24+9.7 EUR
100+6.69 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4G MJB42CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
115+1.88 EUR
141+1.54 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD4001DR2G NUD4001DR2G ONSEMI ONSM-S-A0017011715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NUD4001DR2G - LED-Treiber, linear, 3.6V bis 30Vin, 4 Ausgänge, 28Vout / 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FXLH42245MPX FXLH42245MPX ONSEMI 2572394.pdf Description: ONSEMI - FXLH42245MPX - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 8 Eingänge, 1.1V-3.6V Versorgung, 3.9ns Verzögerung, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.9ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
140+1.67 EUR
218+0.99 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
141+1.65 EUR
220+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882 FDMC8882 ONSEMI fdmc8882-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
154+1.51 EUR
210+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ04L6X NC7WZ04L6X ONSEMI 2288035.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
319+0.73 EUR
572+0.38 EUR
633+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
141+1.65 EUR
220+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74HCT374ADWR2G MC74HCT374ADWR2G ONSEMI ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.06 EUR
291+0.8 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.06 EUR
291+0.8 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC14093BDR2G MC14093BDR2G ONSEMI MC14093B-D.PDF Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 6637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1 EUR
342+0.68 EUR
430+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7719DQAR2G NCV7719DQAR2G ONSEMI 2815762.pdf Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.81 EUR
250+6.13 EUR
500+5.89 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI 2619960.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.72 EUR
15+15.99 EUR
17+12.61 EUR
50+11.61 EUR
100+10.15 EUR
250+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.72 EUR
15+15.99 EUR
17+12.61 EUR
50+11.61 EUR
100+10.15 EUR
250+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d1n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.25 EUR
106+2.03 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
107+2 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
56+4.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
59+3.96 EUR
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
74+3.15 EUR
107+2 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG ONSEMI ntmts0d6n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2056 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
336+0.69 EUR
603+0.36 EUR
820+0.26 EUR
1298+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
603+0.36 EUR
820+0.26 EUR
1298+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5263BT1 ONSEMI ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI 2913017.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.94 EUR
16+15.07 EUR
19+11.57 EUR
50+10.22 EUR
100+8.25 EUR
250+8.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI 2913017.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.27 EUR
15+15.85 EUR
19+11.89 EUR
50+10.95 EUR
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250+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
140+1.65 EUR
192+1.12 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
140+1.65 EUR
192+1.12 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
66+3.52 EUR
100+2.33 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
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1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI 4018414.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
42+5.55 EUR
100+3.72 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
76+3.06 EUR
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI ntmfws1d5n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+3.45 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
80+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.77 EUR
17+14.29 EUR
20+11.14 EUR
50+10.54 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1G NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.77 EUR
17+14.29 EUR
20+11.14 EUR
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100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.31 EUR
129+1.81 EUR
206+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G ONSEMI 4164746.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
65+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.31 EUR
129+1.81 EUR
206+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP693HMN08TCG ONSEMI ONSM-S-A0013302643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP662SQ18T1G ONSEMI ONSM-S-A0013749978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB92AWT1 ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92AWT1 - MSB92AWT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1098000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB710-RT1G ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB710-RT1G - MSB710-RT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB710-RT1 ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB710-RT1 - TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB92T1G ONSMS24917-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB92WT1 ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MSB92WT1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92WT1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 235970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3847+0.065 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB709-RT1 ONSM-S-A0013307633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB709-RT1 - TRANS PNP 45V 0.1A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 131900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSB709-RT2 ONSMS22292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB709-RT2 - MSB709-RT2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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13889+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4847NT1G ONSM-S-A0013296068-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4847NT1G - NTMFS4847NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4847NAT1G ONSMS22425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4847NAT1G - NTMFS4847NAT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 164500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9654EDTR2G ONSM-S-A0013274570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PCA9654EDTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9654EDTR2G - I/O-Erweiterung, 8 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 8bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O's
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.81 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8Z 3005758.pdf
NTTFS008P03P8Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN4033A FAIRS02620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TN4033A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3562+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N10MCTXG 4073642.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.42 EUR
24+9.7 EUR
100+6.69 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBLS1D7N10MCTXG 4073642.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.42 EUR
24+9.7 EUR
100+6.69 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB42CT4G mjb41c-d.pdf
MJB42CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
115+1.88 EUR
141+1.54 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUD4001DR2G description ONSM-S-A0017011715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUD4001DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD4001DR2G - LED-Treiber, linear, 3.6V bis 30Vin, 4 Ausgänge, 28Vout / 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FXLH42245MPX 2572394.pdf
FXLH42245MPX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXLH42245MPX - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 8 Eingänge, 1.1V-3.6V Versorgung, 3.9ns Verzögerung, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.9ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
140+1.67 EUR
218+0.99 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
141+1.65 EUR
220+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
FDMC8882
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
154+1.51 EUR
210+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NC7WZ04L6X 2288035.pdf
NC7WZ04L6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.57 EUR
319+0.73 EUR
572+0.38 EUR
633+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
141+1.65 EUR
220+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74HCT374ADWR2G ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74HCT374ADWR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+1.06 EUR
291+0.8 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+1.06 EUR
291+0.8 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC14093BDR2G MC14093B-D.PDF
MC14093BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 6637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+1 EUR
342+0.68 EUR
430+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7719DQAR2G 2815762.pdf
NCV7719DQAR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.81 EUR
250+6.13 EUR
500+5.89 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F 2619960.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.72 EUR
15+15.99 EUR
17+12.61 EUR
50+11.61 EUR
100+10.15 EUR
250+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.72 EUR
15+15.99 EUR
17+12.61 EUR
50+11.61 EUR
100+10.15 EUR
250+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
NTTFD4D0N04HLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G ntmfs1d1n04xm-d.pdf
NTMFS1D1N04XMT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.25 EUR
106+2.03 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
107+2 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D7N04XLT1G 4164771.pdf
NTMFS0D7N04XLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.2 EUR
56+4.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.4 EUR
59+3.96 EUR
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.59 EUR
74+3.15 EUR
107+2 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMTS0D6N04CTXG ntmts0d6n04c-d.pdf
NTMTS0D6N04CTXG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2056 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
254+0.99 EUR
336+0.69 EUR
603+0.36 EUR
820+0.26 EUR
1298+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
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500+0.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5263BT1 ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MC 2913017.pdf
NTBLS1D5N08MC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.94 EUR
16+15.07 EUR
19+11.57 EUR
50+10.22 EUR
100+8.25 EUR
250+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MC 2913017.pdf
NTBLS1D5N08MC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 298A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+20.27 EUR
15+15.85 EUR
19+11.89 EUR
50+10.95 EUR
100+8.25 EUR
250+8.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.88 EUR
140+1.65 EUR
192+1.12 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.88 EUR
140+1.65 EUR
192+1.12 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.07 EUR
66+3.52 EUR
100+2.33 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 84A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.33 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1G 4018414.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.65 EUR
42+5.55 EUR
100+3.72 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 154A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.5 EUR
76+3.06 EUR
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1G ntmfws1d5n08x-d.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.67 EUR
500+3.45 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.27 EUR
80+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.77 EUR
17+14.29 EUR
20+11.14 EUR
50+10.54 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
NTMFS3D0N08XT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.77 EUR
17+14.29 EUR
20+11.14 EUR
50+10.54 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H858NLT1G ntmfs6h858nl-d.pdf
NTMFS6H858NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.31 EUR
129+1.81 EUR
206+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1G 4164746.pdf
NTMFS2D5N08XT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.57 EUR
65+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H858NLT1G ntmfs6h858nl-d.pdf
NTMFS6H858NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.31 EUR
129+1.81 EUR
206+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP662SQ18T1G ONSM-S-A0013749978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.51 EUR
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