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CM1293A-02SR | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - CM1293A-02SR - ESD-Schutzbaustein, 2 Kanäle, 9.9 V, SOT-143, 4 Pin(s), 3.3 V, CM1293AtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-143 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CM1293A productTraceability: No SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CM1293A-02SR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CM1293A-02SR - ESD-Schutzbaustein, 2 Kanäle, 9.9 V, SOT-143, 4 Pin(s), 3.3 V, CM1293A tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-143 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CM1293A productTraceability: No SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ176 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ176 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -25 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBPC3504 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC3504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74AC04SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FAN3224TMX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN3224TMX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 5Aout, 17ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MURA220T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURA2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 11398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVBC846BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS32100XMNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS32100XMNTXG - Induktiver Positionssensor, 20 Bit, 24 Bit, 2.75V bis 5.5Vin, QFN-40 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C Auflösung: 20 Bit, 24 Bit Versorgungsspannung: 2.75V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Eingangsschnittstelle: - Messbereich, Umdrehungen: 0° bis 360° Bauform - Sensor: QFN euEccn: NLR Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsschnittstelle: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS32100XMNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS32100XMNTXG - Induktiver Positionssensor, 20 Bit, 24 Bit, 2.75V bis 5.5Vin, QFN-40 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C Auflösung: 20 Bit, 24 Bit Versorgungsspannung: 2.75V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Eingangsschnittstelle: - Messbereich, Umdrehungen: 0° bis 360° Bauform - Sensor: QFN euEccn: NLR Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsschnittstelle: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMUN5314DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 23460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 43863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP190N65S3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7SZ374P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ374P6X - Flipflop, Tri-State, positive Taktflanke, NC7S374, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74374 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 IC-Ausgang: Tri-State hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 175MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S374 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MM74HC132MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM74HC132MTCX - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74HC132, 2 Eingänge, 25mA, 2V bis 6V, TSSOP-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 25mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HC132 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP511SN33T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP511SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 6V, 100mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 0V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC33151VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33151VDR2G - MOSFET-Treiber, invertierend, zweifach, 6.5V-18V Versorgung, 1.5Aout, 36ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMJS1D5N04CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMJS1D5N04CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NJVMJK45H11TWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NJVMJK45H11TWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSS40300CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSS40300CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NSS1C300CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRD1035CTLT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 560mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRD360T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD360T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRD1035CTLT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 560mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD660CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV214RSQT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C tariffCode: 85423390 CMRR: 125dB rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Verstärkung: 100V/V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Strommessverstärker: High-Side, Low-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV214RSQT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C tariffCode: 85423390 CMRR: 125dB rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Verstärkung: 100V/V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Strommessverstärker: High-Side, Low-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ270 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 64532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMSZ4688T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 35980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SZMMSZ5230BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMSZ4V7T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP163ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 250mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 24312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74AC14MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDLL4148 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: FDLL4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SMA5937BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC74VHC86DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 74VHC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74VHC86 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC74AC86DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC86 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SC431AVSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Referenzspannung, max.: 2.525V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.475V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SC431A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CM1213A-04SO | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-74 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CM1213 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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H11D1SR2M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 % tariffCode: 85414090 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 4.17kV Durchlassstrom If, max.: 80mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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H11D1SR2M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 % tariffCode: 85414090 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 4.17kV Durchlassstrom If, max.: 80mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXH020P120MNF1PTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXH010P120MNF1PTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXH040P120MNF1PTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NXH008T120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 371W Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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NXH004P120M3F2PTNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 338A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.098kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NXH011T120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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NXH003P120M3F2PTNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 435A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.48kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXH004P120M3F2PNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV Dauer-Drainstrom Id: 338A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.098kW Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NXH006P120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NXH007F120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 353W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NXH011F120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 244W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CM1293A-02SR |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CM1293A-02SR - ESD-Schutzbaustein, 2 Kanäle, 9.9 V, SOT-143, 4 Pin(s), 3.3 V, CM1293A
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CM1293A
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CM1293A-02SR - ESD-Schutzbaustein, 2 Kanäle, 9.9 V, SOT-143, 4 Pin(s), 3.3 V, CM1293A
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CM1293A
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CM1293A-02SR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CM1293A-02SR - ESD-Schutzbaustein, 2 Kanäle, 9.9 V, SOT-143, 4 Pin(s), 3.3 V, CM1293A
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CM1293A
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CM1293A-02SR - ESD-Schutzbaustein, 2 Kanäle, 9.9 V, SOT-143, 4 Pin(s), 3.3 V, CM1293A
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CM1293A
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBFJ176 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ176 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -25 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBFJ176 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -25 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GBPC3504 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC3504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBPC3504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74AC04SCX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FAN3224TMX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN3224TMX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 5Aout, 17ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - FAN3224TMX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 5Aout, 17ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MURA220T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S2B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - S2B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S2A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - S2A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S2K |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - S2K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S2B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - S2B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S2K |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - S2K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVBC846BM3T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS32100XMNTXG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS32100XMNTXG - Induktiver Positionssensor, 20 Bit, 24 Bit, 2.75V bis 5.5Vin, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Auflösung: 20 Bit, 24 Bit
Versorgungsspannung: 2.75V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Eingangsschnittstelle: -
Messbereich, Umdrehungen: 0° bis 360°
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS32100XMNTXG - Induktiver Positionssensor, 20 Bit, 24 Bit, 2.75V bis 5.5Vin, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Auflösung: 20 Bit, 24 Bit
Versorgungsspannung: 2.75V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Eingangsschnittstelle: -
Messbereich, Umdrehungen: 0° bis 360°
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS32100XMNTXG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS32100XMNTXG - Induktiver Positionssensor, 20 Bit, 24 Bit, 2.75V bis 5.5Vin, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Auflösung: 20 Bit, 24 Bit
Versorgungsspannung: 2.75V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Eingangsschnittstelle: -
Messbereich, Umdrehungen: 0° bis 360°
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS32100XMNTXG - Induktiver Positionssensor, 20 Bit, 24 Bit, 2.75V bis 5.5Vin, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Auflösung: 20 Bit, 24 Bit
Versorgungsspannung: 2.75V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Eingangsschnittstelle: -
Messbereich, Umdrehungen: 0° bis 360°
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SMUN5314DW1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 43863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCP190N65S3R0 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7SZ374P6X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ374P6X - Flipflop, Tri-State, positive Taktflanke, NC7S374, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74374
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 175MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S374
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ374P6X - Flipflop, Tri-State, positive Taktflanke, NC7S374, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74374
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 175MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S374
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MM74HC132MTCX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC132MTCX - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74HC132, 2 Eingänge, 25mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM74HC132MTCX - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74HC132, 2 Eingänge, 25mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP511SN33T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 6V, 100mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP511SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 6V, 100mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MC33151VDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33151VDR2G - MOSFET-Treiber, invertierend, zweifach, 6.5V-18V Versorgung, 1.5Aout, 36ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33151VDR2G - MOSFET-Treiber, invertierend, zweifach, 6.5V-18V Versorgung, 1.5Aout, 36ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMJS1D5N04CLTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMJS1D5N04CLTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NJVMJK45H11TWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NJVMJK45H11TWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSS40300CTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSS40300CTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSS1C300CTWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRD1035CTLT4G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRD360T4G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD360T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD360T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRD1035CTLT4G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRD660CTT4G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV214RSQT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV214RSQT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBFJ270 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 64532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMSZ4688T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SZMMSZ5230BT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMSZ4V7T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP163ASN330T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 24312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74AC14MTCX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDLL4148 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1SMA5937BT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MC74VHC86DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MC74AC86DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SC431AVSNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.525V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.475V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SC431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.525V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.475V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SC431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CM1213A-04SO |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CM1213
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CM1213
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| H11D1SR2M |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| H11D1SR2M |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH020P120MNF1PTG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH010P120MNF1PTG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH040P120MNF1PTG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 30A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
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Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH008T120M3F2PTHG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
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Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
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Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH004P120M3F2PTNG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
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Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH011T120M3F2PTHG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH003P120M3F2PTNG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 435A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH004P120M3F2PNG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH006P120M3F2PTHG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH007F120M3F2PTHG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NXH011F120M3F2PTHG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH