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NTR2101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 960mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
auf Bestellung 24272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 960mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
auf Bestellung 24272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3572 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6912A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDS4672A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDS4897C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDS4897C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDT86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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ADT7461ARMZ-R7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADT7461ARMZ-R7 - 1C TDM SRC EXT TMP RGE ICtariffCode: 0 euEccn: NLR Genauigkeit: ± 1°C rohsCompliant: YES Auflösung: - Gemessene Temperatur, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Gemessene Temperatur, min.: -55°C Qualifikation: - isCanonical: Y Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: MSOP SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Sensorausgang: Digital Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 120°C Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDC3512 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC74HCT04ADG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HCT04ADG - Inverter, 74HCT04, 1 Eingang, 4mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HCT Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 4mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HCT04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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LM2904VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2904VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC32725TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC32725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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LM293DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM293DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.3 µs, ± 1V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Ansprechzeit: 1.3µs euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage IC-Ausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL Komparatorausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL Versorgungsspannung: ± 1V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Komparatortyp: Präzisionskomparator SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs Anzahl der Komparatoren: 2 Komparatoren Betriebstemperatur, max.: 85°C Bauform - Komparator: SOIC |
auf Bestellung 17159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC557BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MM3Z6V2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z6V2T1G - Zener-Diode, Universal, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V |
auf Bestellung 13003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBPC3506W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC3506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 400A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD3P50TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0320MW2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 23V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NSR0320MW2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 23V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BC846BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mWtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NTMFS005P03P8ZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
auf Bestellung 1447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG1000N170M1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7LtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 51W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NTBG1000N170M1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7LtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 51W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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1SMB5917BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5917BT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SMB5913BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5913BT3G - Zener-Diode, 3.3 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR2H200SFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 940mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR2H productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 17224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS16HE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS16HE - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 680 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 25A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 680mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 26642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS16HE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS16HE - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 680 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 25A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 680mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 26642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 13213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5402G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5402 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 60029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSP10TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP10TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 1 W, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFWS2D3N04XM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 63W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm |
auf Bestellung 1591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 99868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 99868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2904DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 8637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SZMM3Z4V7ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7ST1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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SZMM3Z4V7ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7ST1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BZX84C4V7LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
auf Bestellung 19590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C4V7LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
auf Bestellung 19590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS16T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 510mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS16T productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74ACT244SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244 Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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74ACT244SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244 Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NVMFWS004N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMSZ6V2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V |
auf Bestellung 7566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 38092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 38092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL27WZ17DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL27WZ17DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: SC-88 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: NL27WZ17 Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8161BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 450mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 7020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD5731T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD5731T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ15VDLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ15VDLT1G - TVS-Diode, MMBZ1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 14.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 15.8V isCanonical: Y Sperrspannung: 12.8V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 21.2V |
auf Bestellung 8681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ15VDLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ15VDLT1G - TVS-Diode, MMBZ1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 14.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 15.8V isCanonical: N Sperrspannung: 12.8V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 21.2V |
auf Bestellung 8681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2931D-5.0R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V-40Vin, 160mV Dropout, 5V/100mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 14V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 6273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2931D-5.0R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V-40Vin, 160mV Dropout, 5V/100mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 14V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 6273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTR2101PT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 24272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 204+ | 1.23 EUR |
| 455+ | 0.51 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.27 EUR |
| NTR2101PT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 24272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 204+ | 1.23 EUR |
| 455+ | 0.51 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.27 EUR |
| FDS3572 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| FDS6912A |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDS4672A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDS4897C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDS4897C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDT86102LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ADT7461ARMZ-R7 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADT7461ARMZ-R7 - 1C TDM SRC EXT TMP RGE IC
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 120°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - ADT7461ARMZ-R7 - 1C TDM SRC EXT TMP RGE IC
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 120°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDC3512 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.84 EUR |
| MC74HCT04ADG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT04ADG - Inverter, 74HCT04, 1 Eingang, 4mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HCT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HCT04ADG - Inverter, 74HCT04, 1 Eingang, 4mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HCT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| LM2904VDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 412+ | 0.61 EUR |
| LM2904VDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 412+ | 0.61 EUR |
| BC32725TA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC32725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC32725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| LM293DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM293DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.3 µs, ± 1V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Komparatorausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Versorgungsspannung: ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 2 Komparatoren
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Bauform - Komparator: SOIC
Description: ONSEMI - LM293DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.3 µs, ± 1V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Komparatorausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Versorgungsspannung: ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 2 Komparatoren
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Bauform - Komparator: SOIC
auf Bestellung 17159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 547+ | 0.45 EUR |
| 788+ | 0.3 EUR |
| 1049+ | 0.2 EUR |
| 1207+ | 0.18 EUR |
| 1281+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.14 EUR |
| BC557BTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 349+ | 0.71 EUR |
| 569+ | 0.4 EUR |
| 901+ | 0.24 EUR |
| 1238+ | 0.18 EUR |
| 1397+ | 0.15 EUR |
| MM3Z6V2T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z6V2T1G - Zener-Diode, Universal, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
Description: ONSEMI - MM3Z6V2T1G - Zener-Diode, Universal, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
auf Bestellung 13003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 685+ | 0.37 EUR |
| 1537+ | 0.15 EUR |
| 1770+ | 0.12 EUR |
| 2445+ | 0.088 EUR |
| 2882+ | 0.074 EUR |
| GBPC3506W |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC3506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBPC3506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.99 EUR |
| 29+ | 8.08 EUR |
| FQD3P50TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5 EUR |
| 79+ | 2.98 EUR |
| 89+ | 2.42 EUR |
| 101+ | 2.14 EUR |
| 117+ | 1.84 EUR |
| 250+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| NSR0320MW2T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| NSR0320MW2T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC846BDW1T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS005P03P8ZT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 1447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.95 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| NTBG1000N170M1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTBG1000N170M1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1SMB5917BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5917BT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - 1SMB5917BT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.23 EUR |
| 1SMB5913BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5913BT3G - Zener-Diode, 3.3 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
Description: ONSEMI - 1SMB5913BT3G - Zener-Diode, 3.3 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.24 EUR |
| MBR2H200SFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 940mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR2H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 940mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR2H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 126+ | 1.99 EUR |
| 276+ | 0.84 EUR |
| 342+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1500+ | 0.46 EUR |
| SS16HE |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16HE - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 25A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 680mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS16HE - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 25A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 680mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 211+ | 1.19 EUR |
| 426+ | 0.55 EUR |
| 484+ | 0.44 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| SS16HE |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16HE - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 25A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 680mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS16HE - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 680 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 25A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 680mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 211+ | 1.19 EUR |
| 426+ | 0.55 EUR |
| 484+ | 0.44 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| RS1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.29 EUR |
| 437+ | 0.54 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 747+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| BC817-25LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.092 EUR |
| 9000+ | 0.079 EUR |
| BC817-40LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.092 EUR |
| 9000+ | 0.079 EUR |
| 1N5402G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5402
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5402
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 60029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 188+ | 1.33 EUR |
| 394+ | 0.6 EUR |
| 449+ | 0.48 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| KSP10TA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP10TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSP10TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 971+ | 0.26 EUR |
| 1195+ | 0.19 EUR |
| 1667+ | 0.13 EUR |
| NVMFWS2D3N04XM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.83 EUR |
| 123+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| ES1D |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 99868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.17 EUR |
| 481+ | 0.49 EUR |
| 559+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| ES1D |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 99868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.17 EUR |
| 481+ | 0.49 EUR |
| 559+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| LM2904DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 8637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 433+ | 0.58 EUR |
| 625+ | 0.37 EUR |
| 827+ | 0.26 EUR |
| 953+ | 0.23 EUR |
| 1004+ | 0.21 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |
| BAS21LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4348+ | 0.057 EUR |
| 9000+ | 0.048 EUR |
| SZMM3Z4V7ST1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7ST1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7ST1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SZMM3Z4V7ST1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7ST1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7ST1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BZX84C4V7LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 19590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 695+ | 0.36 EUR |
| 1598+ | 0.14 EUR |
| 2223+ | 0.096 EUR |
| 2794+ | 0.076 EUR |
| 15000+ | 0.051 EUR |
| BZX84C4V7LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 19590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 695+ | 0.36 EUR |
| 1598+ | 0.14 EUR |
| 2223+ | 0.096 EUR |
| 2794+ | 0.076 EUR |
| 15000+ | 0.051 EUR |
| SS16T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS16T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS16T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS16T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.24 EUR |
| 74ACT244SCX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 74ACT244SCX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NVMFWS004N04XMT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 4 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| MMSZ6V2T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
Description: ONSEMI - MMSZ6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
auf Bestellung 7566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 672+ | 0.37 EUR |
| 1231+ | 0.19 EUR |
| 1809+ | 0.12 EUR |
| 2476+ | 0.087 EUR |
| 2850+ | 0.075 EUR |
| BC849CLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 962+ | 0.26 EUR |
| 1920+ | 0.12 EUR |
| 2532+ | 0.084 EUR |
| 3449+ | 0.062 EUR |
| 3938+ | 0.055 EUR |
| BC849CLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 962+ | 0.26 EUR |
| 1920+ | 0.12 EUR |
| 2532+ | 0.084 EUR |
| 3449+ | 0.062 EUR |
| 3938+ | 0.055 EUR |
| NL27WZ17DFT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ17DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL27WZ17
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NL27WZ17DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL27WZ17
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 971+ | 0.26 EUR |
| NCV8161BSN330T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| 127+ | 1.84 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 155+ | 1.38 EUR |
| 250+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 2500+ | 1.19 EUR |
| MJD5731T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.55 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 274+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| MJD5731T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 99+ | 2.55 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 274+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| MMBZ15VDLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ15VDLT1G - TVS-Diode, MMBZ1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 14.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 15.8V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 12.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 21.2V
Description: ONSEMI - MMBZ15VDLT1G - TVS-Diode, MMBZ1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 14.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 15.8V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 12.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 21.2V
auf Bestellung 8681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 524+ | 0.48 EUR |
| 910+ | 0.25 EUR |
| 1495+ | 0.14 EUR |
| 1887+ | 0.11 EUR |
| 2258+ | 0.095 EUR |
| MMBZ15VDLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ15VDLT1G - TVS-Diode, MMBZ1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 14.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 15.8V
isCanonical: N
Sperrspannung: 12.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 21.2V
Description: ONSEMI - MMBZ15VDLT1G - TVS-Diode, MMBZ1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 14.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 15.8V
isCanonical: N
Sperrspannung: 12.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 21.2V
auf Bestellung 8681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 524+ | 0.48 EUR |
| 910+ | 0.25 EUR |
| 1495+ | 0.14 EUR |
| 1887+ | 0.11 EUR |
| 2258+ | 0.095 EUR |
| LM2931D-5.0R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V-40Vin, 160mV Dropout, 5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 14V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V-40Vin, 160mV Dropout, 5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 14V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 6273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 270+ | 0.86 EUR |
| 310+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| LM2931D-5.0R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V-40Vin, 160mV Dropout, 5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 14V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V-40Vin, 160mV Dropout, 5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 14V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 6273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 270+ | 0.86 EUR |
| 310+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.1 EUR |



































