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MUR220RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 35A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MUR22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 477W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC7805BD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7805 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 3421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC7805ABD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7805ABD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7805 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 4184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL27WZ86USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL27WZ86USG - XOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 27WZ Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: VSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 27WZ86 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBD1404A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBD1404A - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NTBG030N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7LtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V Verlustleistung: 348W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG040N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7LtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 329W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG032N065M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 242W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NTBG060N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HVtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 211W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG080N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HVtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 179W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NTBG040N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-tariffCode: 0 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 329W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG030N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7LtariffCode: 0 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 348W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAV199LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP730ASNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 24V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 38V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 16381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMTS0D7N04CLTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Single N-Channel Power MOSFET 40V, 433A, 0.63m / REEL 73AC4930tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMYS014N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Power MOSFET 60 V, 14.5m , 42 A, Single N-Channel LFPAK4(Pb Free)/ REEL 38AH7312tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| J176-D74Z. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J176-D74Z. - P-Channel Switch/ FNFLD 48AC1235 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SMA5928BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5928BT3G - Zener-Diode, 13 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5928BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UC2844BD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UC2844BD1R2G - PWM-Controller, 25V-12V Versorgungsspannung, 250kHz, 13.4V/12mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: 50% productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Betriebstemperatur, min.: -25°C Schaltfrequenz, max.: - Ausgangsstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, min.: - hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage Tastverhältnis, min.: 0% Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Versorgungsspannung, min.: 12V Ausgangsspannung: 13.4V Qualifikation: - Frequenz: 250kHz Topologie: Boost, Flyback, invertierend Bauform - Controller-IC: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsspannung: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
auf Bestellung 4740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMT045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:-tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 31274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT3055L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 61655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT3055L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT3055L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 61655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 33539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UC3844BD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UC3844BD1R2G - PWM-Controller, 14V bis 36V Versorgungsspannung, 52kHz, 5V/1Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 36V Betriebstemperatur, max.: 70°C Tastverhältnis, max.: 50% productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Betriebstemperatur, min.: 0°C Schaltfrequenz, max.: - Ausgangsstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, min.: - hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage Tastverhältnis, min.: 0% Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Versorgungsspannung, min.: 14V Ausgangsspannung: 5V Qualifikation: - Frequenz: 52kHz Topologie: Boost, Flyback, invertierend Bauform - Controller-IC: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsspannung: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
auf Bestellung 5906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NST846MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 570mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVNJWS200N031LTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 4.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NST846MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 570mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVNJWS200N031LTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TL494BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL494BDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 42 V/500mAout, SOIC-16tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 50% productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 16Pin(s) Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig) Betriebstemperatur, min.: -40°C Schaltfrequenz, max.: 200kHz Ausgangsstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, min.: 1kHz hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage Tastverhältnis, min.: - Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 40kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Versorgungsspannung, min.: 7V Ausgangsspannung: - Qualifikation: - Frequenz: 40kHz Topologie: Push-Pull Bauform - Controller-IC: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsspannung: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
auf Bestellung 24570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP330MUTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.026ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Nein hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Strombegrenzung: 3A IC-Gehäuse / Bauform: UDFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 5650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC7915CD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7915CD2TR4G - LDO-Festspannungsregler, 7915, -35Vin, 1.3V Dropout, -15V/1Aout, TO-263-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: -15V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: -35V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 1A Polarität: Negativer Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -15V 1A LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: -15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.3V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.3V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2575D2T-5R4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2575D2T-5R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 5V/1Aout, 52kHz, TO-263-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Wirkungsgrad: 77% Schaltfrequenz: 52kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Fest Ausgangsstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz rohsCompliant: Y-EX SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 4.75V IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Ausgangsspannung, max.: - Ausgangsspannung, min.: - Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 5V Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: 5V Topologie: Buck (Abwärts) Ausgangsstrom, max.: 1A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4934RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 100V AXIALtariffCode: 0 Bauform - Diode: Axial Leaded Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AX-SFUS-API-1-01-TB05 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX-SFUS-API-1-01-TB05 - HF-TXRX MIT API, 902.2-905.2MHZ, QFN-40tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 230mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 24dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke USA, Uplink und Downlink IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt HF-Primärfunktion: Transceiver Frequenz, min.: 902.2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 34mA Empfindlichkeit (dBm): -128dBm HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK Anzahl der Pins: 40Pin(s) Übertragungsrate: 600bps Frequenzgang HF, max.: 905.2MHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Frequenzgang HF, min.: 902.2MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 905.2MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSM4002MR6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500µW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4401LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 39370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC14049UBDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14049UBDR2G - Logik, Puffer, MC14049, 3V bis 18V, SOIC-16tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 4049 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: MC140 Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V Logikfamilie / Sockelnummer: MC14049 Logikbaustein: Puffer, invertierend SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 19861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 29272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 15427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2112LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C2V7LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V |
auf Bestellung 23440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS34 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS34 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 109062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS34 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS34 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 109062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MOC3021SR2VM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC3021SR2VM - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5.3 kV, Momentwert, 400 VtariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Triac-Betriebsart: Momentwert isCanonical: N Isolationsspannung: 5.3kV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS32 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC33269DR2-3.3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33269DR2-3.3G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.1V Dropout-Spannung, 3.3V/800mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 800mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V 800mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 800mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC547BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 52267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 86282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1M productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRM140T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 850mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF5103 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF5103 - JFET-Transistor, 40 V, 40 mA, -2.7 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: Schalttransistor Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.7V |
auf Bestellung 93329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ310LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V |
auf Bestellung 11539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TF412ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V |
auf Bestellung 5675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUR220RLG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.29 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 65.35 EUR |
| 10+ | 60.24 EUR |
| 25+ | 55.18 EUR |
| 50+ | 54.75 EUR |
| MC7805BD2TR4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 3421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.52 EUR |
| 231+ | 1.01 EUR |
| 294+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2500+ | 0.65 EUR |
| MC7805ABD2TR4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805ABD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC7805ABD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 4184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 161+ | 1.56 EUR |
| 227+ | 1.02 EUR |
| 288+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| NL27WZ86USG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ86USG - XOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 27WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 27WZ86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NL27WZ86USG - XOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 27WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 27WZ86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 622+ | 0.4 EUR |
| 893+ | 0.26 EUR |
| 1180+ | 0.18 EUR |
| 1354+ | 0.15 EUR |
| MMBD1404A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1404A - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBD1404A - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTBG030N120M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 24.16 EUR |
| 11+ | 21.1 EUR |
| 50+ | 19.92 EUR |
| 100+ | 18.72 EUR |
| NTBG040N120M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 45.43 EUR |
| 7+ | 36.91 EUR |
| 10+ | 28.23 EUR |
| 50+ | 25.32 EUR |
| 100+ | 23.37 EUR |
| NTBG032N065M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.52 EUR |
| 15+ | 16.05 EUR |
| 18+ | 12.04 EUR |
| 50+ | 11.08 EUR |
| 100+ | 8.22 EUR |
| 250+ | 8.06 EUR |
| NTBG045N065SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 31.11 EUR |
| 10+ | 27.55 EUR |
| 25+ | 24.16 EUR |
| 50+ | 22.87 EUR |
| NTBG015N065SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTBG060N090SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 26.92 EUR |
| 12+ | 20.47 EUR |
| 25+ | 18.44 EUR |
| 50+ | 17.99 EUR |
| NTBG080N120SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTBG040N120M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 49.25 EUR |
| 10+ | 40.03 EUR |
| 25+ | 30.61 EUR |
| 50+ | 27.44 EUR |
| 100+ | 25.32 EUR |
| NTBG030N120M3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 30.21 EUR |
| 12+ | 19.73 EUR |
| 25+ | 18.15 EUR |
| 50+ | 18.08 EUR |
| 100+ | 17.99 EUR |
| BAV199LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCP730ASNADJT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 16381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.93 EUR |
| 183+ | 1.27 EUR |
| 230+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 2500+ | 0.8 EUR |
| 5000+ | 0.79 EUR |
| NVMTS0D7N04CLTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Single N-Channel Power MOSFET 40V, 433A, 0.63m / REEL 73AC4930
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Single N-Channel Power MOSFET 40V, 433A, 0.63m / REEL 73AC4930
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.61 EUR |
| NVMYS014N06CLTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Power MOSFET 60 V, 14.5m , 42 A, Single N-Channel LFPAK4(Pb Free)/ REEL 38AH7312
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Power MOSFET 60 V, 14.5m , 42 A, Single N-Channel LFPAK4(Pb Free)/ REEL 38AH7312
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.65 EUR |
| 109+ | 2.14 EUR |
| J176-D74Z. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J176-D74Z. - P-Channel Switch/ FNFLD 48AC1235
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - J176-D74Z. - P-Channel Switch/ FNFLD 48AC1235
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.42 EUR |
| 1SMA5928BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5928BT3G - Zener-Diode, 13 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5928BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
Description: ONSEMI - 1SMA5928BT3G - Zener-Diode, 13 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5928BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.2 EUR |
| 15000+ | 0.18 EUR |
| UC2844BD1R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC2844BD1R2G - PWM-Controller, 25V-12V Versorgungsspannung, 250kHz, 13.4V/12mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 12mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: 0%
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 12V
Ausgangsspannung: 13.4V
Qualifikation: -
Frequenz: 250kHz
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - UC2844BD1R2G - PWM-Controller, 25V-12V Versorgungsspannung, 250kHz, 13.4V/12mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 12mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: 0%
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 12V
Ausgangsspannung: 13.4V
Qualifikation: -
Frequenz: 250kHz
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 187+ | 1.34 EUR |
| 264+ | 0.88 EUR |
| 337+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| NTMT045N065SC1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 31.04 EUR |
| 25+ | 27.77 EUR |
| 50+ | 24.68 EUR |
| 100+ | 23.67 EUR |
| 250+ | 22.68 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 31274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.55 EUR |
| 115+ | 2.02 EUR |
| 250+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 2000+ | 0.92 EUR |
| NDT3055L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 61655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 3.02 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 250+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.88 EUR |
| NDT3055L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.99 EUR |
| 12000+ | 0.9 EUR |
| NDT3055L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 61655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.02 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 250+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.88 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 33539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.55 EUR |
| 115+ | 2.02 EUR |
| 250+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 2000+ | 0.92 EUR |
| UC3844BD1R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3844BD1R2G - PWM-Controller, 14V bis 36V Versorgungsspannung, 52kHz, 5V/1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 36V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Tastverhältnis, max.: 50%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: 0%
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 14V
Ausgangsspannung: 5V
Qualifikation: -
Frequenz: 52kHz
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - UC3844BD1R2G - PWM-Controller, 14V bis 36V Versorgungsspannung, 52kHz, 5V/1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 36V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Tastverhältnis, max.: 50%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: 0%
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 14V
Ausgangsspannung: 5V
Qualifikation: -
Frequenz: 52kHz
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 187+ | 1.34 EUR |
| 260+ | 0.89 EUR |
| 326+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2500+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| NST846MTWFTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 365+ | 0.63 EUR |
| 572+ | 0.38 EUR |
| 827+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| NVNJWS200N031LTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 365+ | 0.63 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 516+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| NST846MTWFTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 365+ | 0.63 EUR |
| 572+ | 0.38 EUR |
| 827+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| NVNJWS200N031LTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 365+ | 0.63 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 516+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| TL494BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL494BDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 42 V/500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 50%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: 200kHz
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 40kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 7V
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 40kHz
Topologie: Push-Pull
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - TL494BDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 42 V/500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 50%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: 200kHz
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 40kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 7V
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 40kHz
Topologie: Push-Pull
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 24570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 2.44 EUR |
| 143+ | 1.62 EUR |
| 159+ | 1.36 EUR |
| 180+ | 1.19 EUR |
| 250+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 2500+ | 0.96 EUR |
| NCP330MUTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 187+ | 1.34 EUR |
| 267+ | 0.87 EUR |
| 342+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
| MC7915CD2TR4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7915CD2TR4G - LDO-Festspannungsregler, 7915, -35Vin, 1.3V Dropout, -15V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: -15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -35V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -15V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.3V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.3V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC7915CD2TR4G - LDO-Festspannungsregler, 7915, -35Vin, 1.3V Dropout, -15V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: -15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -35V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -15V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.3V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.3V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.15 EUR |
| 130+ | 1.78 EUR |
| 205+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| LM2575D2T-5R4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2575D2T-5R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 5V/1Aout, 52kHz, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Wirkungsgrad: 77%
Schaltfrequenz: 52kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
rohsCompliant: Y-EX
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.75V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - LM2575D2T-5R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 5V/1Aout, 52kHz, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Wirkungsgrad: 77%
Schaltfrequenz: 52kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
rohsCompliant: Y-EX
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.75V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.7 EUR |
| 250+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1N4934RLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 100V AXIAL
tariffCode: 0
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 100V AXIAL
tariffCode: 0
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 527+ | 0.48 EUR |
| AX-SFUS-API-1-01-TB05 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX-SFUS-API-1-01-TB05 - HF-TXRX MIT API, 902.2-905.2MHZ, QFN-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 230mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 24dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke USA, Uplink und Downlink
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 902.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 34mA
Empfindlichkeit (dBm): -128dBm
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Frequenzgang HF, max.: 905.2MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Frequenzgang HF, min.: 902.2MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 905.2MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - AX-SFUS-API-1-01-TB05 - HF-TXRX MIT API, 902.2-905.2MHZ, QFN-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 230mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 24dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke USA, Uplink und Downlink
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 902.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 34mA
Empfindlichkeit (dBm): -128dBm
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Frequenzgang HF, max.: 905.2MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Frequenzgang HF, min.: 902.2MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 905.2MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.37 EUR |
| 250+ | 4.07 EUR |
| 500+ | 3.94 EUR |
| NSM4002MR6T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.29 EUR |
| 315+ | 0.74 EUR |
| 493+ | 0.44 EUR |
| 710+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| MMBT4401LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 646+ | 0.39 EUR |
| 1118+ | 0.2 EUR |
| 1819+ | 0.12 EUR |
| 2526+ | 0.084 EUR |
| 2907+ | 0.074 EUR |
| 5000+ | 0.064 EUR |
| MC14049UBDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14049UBDR2G - Logik, Puffer, MC14049, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 4049
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC140
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14049
Logikbaustein: Puffer, invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC14049UBDR2G - Logik, Puffer, MC14049, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 4049
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC140
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14049
Logikbaustein: Puffer, invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 265+ | 0.94 EUR |
| 362+ | 0.64 EUR |
| 459+ | 0.46 EUR |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3059+ | 0.082 EUR |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 19861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 575+ | 0.44 EUR |
| 1270+ | 0.18 EUR |
| 1643+ | 0.13 EUR |
| 1916+ | 0.11 EUR |
| 2218+ | 0.096 EUR |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 559+ | 0.45 EUR |
| 981+ | 0.24 EUR |
| 1575+ | 0.13 EUR |
| 2151+ | 0.1 EUR |
| 2488+ | 0.086 EUR |
| MMBT100 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.57 EUR |
| 776+ | 0.3 EUR |
| 1141+ | 0.19 EUR |
| 1561+ | 0.14 EUR |
| 1755+ | 0.12 EUR |
| MMUN2112LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3876+ | 0.064 EUR |
| 9000+ | 0.058 EUR |
| BZX84C2V7LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
auf Bestellung 23440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 685+ | 0.37 EUR |
| 1367+ | 0.17 EUR |
| 1846+ | 0.12 EUR |
| 2584+ | 0.083 EUR |
| 3116+ | 0.069 EUR |
| SS34 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS34 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS34 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 109062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 165+ | 1.52 EUR |
| 258+ | 0.9 EUR |
| 297+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1500+ | 0.55 EUR |
| SS34 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS34 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS34 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 109062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 165+ | 1.52 EUR |
| 258+ | 0.9 EUR |
| 297+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1500+ | 0.55 EUR |
| MOC3021SR2VM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC3021SR2VM - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5.3 kV, Momentwert, 400 V
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Triac-Betriebsart: Momentwert
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5.3kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MOC3021SR2VM - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5.3 kV, Momentwert, 400 V
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Triac-Betriebsart: Momentwert
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5.3kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.71 EUR |
| 208+ | 1.12 EUR |
| 227+ | 0.95 EUR |
| 249+ | 0.86 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| SS32 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 179+ | 1.39 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 287+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| MC33269DR2-3.3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33269DR2-3.3G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.1V Dropout-Spannung, 3.3V/800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 800mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 800mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC33269DR2-3.3G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.1V Dropout-Spannung, 3.3V/800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 800mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 800mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 1.36 EUR |
| 260+ | 0.89 EUR |
| 332+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.52 EUR |
| BC547BTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 52267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 387+ | 0.64 EUR |
| 535+ | 0.43 EUR |
| 981+ | 0.21 EUR |
| 1146+ | 0.19 EUR |
| 1325+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| S1M |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 86282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.75 EUR |
| 532+ | 0.44 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1154+ | 0.19 EUR |
| 1454+ | 0.14 EUR |
| S1M |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7500+ | 0.11 EUR |
| 22500+ | 0.094 EUR |
| MBRM140T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.39 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
| MMBF5103 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF5103 - JFET-Transistor, 40 V, 40 mA, -2.7 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: Schalttransistor
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.7V
Description: ONSEMI - MMBF5103 - JFET-Transistor, 40 V, 40 mA, -2.7 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: Schalttransistor
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.7V
auf Bestellung 93329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 1.09 EUR |
| 402+ | 0.58 EUR |
| 575+ | 0.37 EUR |
| 807+ | 0.26 EUR |
| 1500+ | 0.24 EUR |
| MMBFJ310LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
auf Bestellung 11539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 496+ | 0.5 EUR |
| 764+ | 0.31 EUR |
| 926+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 5000+ | 0.18 EUR |
| TF412ST5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 1.01 EUR |
| 432+ | 0.54 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 5000+ | 0.21 EUR |
































