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RS1B RS1B ONSEMI ONSM-S-A0013750025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RS1B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 23286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06C NTBGS1D5N06C ONSEMI ntbgs1d5n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 0.00123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06C NTBGS2D5N06C ONSEMI 3191503.pdf Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06C NTBGS1D5N06C ONSEMI ntbgs1d5n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 0.00123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06C NTBGS2D5N06C ONSEMI 3191503.pdf Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRF30H100CTG MBRF30H100CTG ONSEMI ONSM-S-A0014832407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBRF30H100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 930mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAX810MTRG MAX810MTRG ONSEMI ONSM-S-A0017604439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MAX810MTRG - Überwachungsschaltung, Stromversorgung, MCU, 1.2V-5.5Vsupp., 4.38V Schwellenspannung/460ms, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-High
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.38V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10H107FNG ONSEMI MC10H107-_Rev8.pdf Description: ONSEMI - MC10H107FNG - MC10H107FNG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10101PG MC10101PG ONSEMI ONSMS36937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC10101PG - MC10101PG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10H100M MC10H100M ONSEMI MC10H100-D.pdf Description: ONSEMI - MC10H100M - MC10H100M, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10E107FNR2 ONSEMI MC10E107-D.PDF Description: ONSEMI - MC10E107FNR2 - MC10E107FNR2, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMB5918BT3G 1SMB5918BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 155857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMB5918BT3G 1SMB5918BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMB5918BT3G 1SMB5918BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 160347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB8649FN-TLM-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - LB8649FN-TLM-E - LB8649 - SYSTEM MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TND508S-R-TL-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - TND508S-R-TL-E - TND508S-R-TL-E, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB11823M-TLM-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - LB11823M-TLM-E - 3PHASE MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVTSAF5100ET3G NRVTSAF5100ET3G ONSEMI Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVTSAF5100ET3G NRVTSAF5100ET3G ONSEMI Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT1G BC857ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT1G BC857ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74HC165ADTR2G MC74HC165ADTR2G ONSEMI 2032049.pdf Description: ONSEMI - MC74HC165ADTR2G - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC165, Parallel zu seriell, seriell zu seriell, 1 Element, 8 bit
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74165
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Differenz
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell, seriell zu seriell
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC165
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG ONSEMI 2850030.pdf Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG ONSEMI 2850030.pdf Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5929BT3G 1SMA5929BT3G ONSEMI 1sma5913bt3-d.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5918BT3G 1SMA5918BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 58297 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZ1SMA5929BT3G SZ1SMA5929BT3G ONSEMI 1sma5913bt3-d.pdf Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9944 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5918BT3G 1SMA5918BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 58297 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5929BT3G 1SMA5929BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14514 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5942BT3G 1SMA5942BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258 Stücke:
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1SMA5913BT3G 1SMA5913BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5913BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18150 Stücke:
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SZ1SMA5929BT3G SZ1SMA5929BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11290 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5942BT3G 1SMA5942BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84B8V2LT1G BZX84B8V2LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4205 Stücke:
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LA5757TP-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - LA5757TP-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39900 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LA72670BM-F-MPB-E ONSEMI i.MX 6 Ultra Light.pdf Description: ONSEMI - LA72670BM-F-MPB-E - EACH
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LA5759-MDB-E ONSEMI Description: ONSEMI - LA5759-MDB-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
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FDB2532 FDB2532 ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 888 Stücke:
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FDB3632 FDB3632 ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI 1794583.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A FDB075N15A ONSEMI 2552621.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L FDB0250N807L ONSEMI fdb0250n807l-d.pdf Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614 FDB2614 ONSEMI FDB2614-D.pdf Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L FDB0250N807L ONSEMI 2304564.pdf Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 ONSEMI 2729316.pdf Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 343 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 ONSEMI 2907353.pdf Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 722 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 470 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74HC1G08DFT1G MC74HC1G08DFT1G ONSEMI 1841994.pdf Description: ONSEMI - MC74HC1G08DFT1G - AND-Gatter, 74HC1G08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74HC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC548CTA BC548CTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10082 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP583XV30T2G ONSEMI ONSM-S-A0013302847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP583XV30T2G - NCP583XV30T2G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 129574 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TPDXV6T1G ONSEMI RE_DSHEET_NSBC143TPDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4771144 Stücke:
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KSC5026MOS KSC5026MOS ONSEMI ksc5026m-d.pdf Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3573 Stücke:
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FDMS0308CS FDMS0308CS ONSEMI FAIRS29396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14783 Stücke:
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NSVR351SDSA3T1G NSVR351SDSA3T1G ONSEMI nsvr351sdsa3-d.pdf Description: ONSEMI - NSVR351SDSA3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 5 V, 30 mA, Zwei in Reihe, SC-59, 3 Pin(s), 230 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-59
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 230mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1B ONSM-S-A0013750025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS1B
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 23286 Stücke:
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NTBGS1D5N06C ntbgs1d5n06c-d.pdf
NTBGS1D5N06C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 0.00123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06C 3191503.pdf
NTBGS2D5N06C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06C ntbgs1d5n06c-d.pdf
NTBGS1D5N06C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 0.00123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06C 3191503.pdf
NTBGS2D5N06C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRF30H100CTG ONSM-S-A0014832407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBRF30H100CTG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRF30H100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 930mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAX810MTRG ONSM-S-A0017604439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MAX810MTRG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MAX810MTRG - Überwachungsschaltung, Stromversorgung, MCU, 1.2V-5.5Vsupp., 4.38V Schwellenspannung/460ms, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-High
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.38V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10H107FNG MC10H107-_Rev8.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10H107FNG - MC10H107FNG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10101PG ONSMS36937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC10101PG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10101PG - MC10101PG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10H100M MC10H100-D.pdf
MC10H100M
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10H100M - MC10H100M, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC10E107FNR2 MC10E107-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10E107FNR2 - MC10E107FNR2, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMB5918BT3G 2160707.pdf
1SMB5918BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 155857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMB5918BT3G 2160707.pdf
1SMB5918BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMB5918BT3G 2160707.pdf
1SMB5918BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 160347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB8649FN-TLM-E nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB8649FN-TLM-E - LB8649 - SYSTEM MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TND508S-R-TL-E nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TND508S-R-TL-E - TND508S-R-TL-E, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB11823M-TLM-E nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB11823M-TLM-E - 3PHASE MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVTSAF5100ET3G
NRVTSAF5100ET3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVTSAF5100ET3G
NRVTSAF5100ET3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVTSAF5100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, SMA-FL, 2 Pin(s), 690 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMA-FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 690mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT1G 2353764.pdf
BC857ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT1G 2353764.pdf
BC857ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74HC165ADTR2G 2032049.pdf
MC74HC165ADTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC165ADTR2G - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC165, Parallel zu seriell, seriell zu seriell, 1 Element, 8 bit
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74165
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Differenz
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell, seriell zu seriell
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC165
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS025N06CLTWG 2850030.pdf
NTMYS025N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS025N06CLTWG 2850030.pdf
NTMYS025N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5929BT3G 1sma5913bt3-d.pdf
1SMA5929BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5918BT3G 2140502.pdf
1SMA5918BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 58297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZ1SMA5929BT3G 1sma5913bt3-d.pdf
SZ1SMA5929BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5918BT3G 2140502.pdf
1SMA5918BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5918BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.1 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 58297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5929BT3G 2140502.pdf
1SMA5929BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, Universal, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5942BT3G 2140502.pdf
1SMA5942BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5913BT3G 2140502.pdf
1SMA5913BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5913BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZ1SMA5929BT3G 2140502.pdf
SZ1SMA5929BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMA5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMA59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5942BT3G 2140502.pdf
1SMA5942BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5942BT3G - Zener-Diode, 51 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMA59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 51V
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84B8V2LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B8V2LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LA5757TP-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA5757TP-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LA72670BM-F-MPB-E i.MX 6 Ultra Light.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA72670BM-F-MPB-E - EACH
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LA5759-MDB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA5759-MDB-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 2304212.pdf
FDB2532
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 2304074.pdf
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 2304212.pdf
FDB2532
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM 1794583.pdf
FDB28N30TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
FDBL0150N80
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A 2552621.pdf
FDB075N15A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
FDB38N30U
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB110N15A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L fdb0250n807l-d.pdf
FDB0250N807L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614 FDB2614-D.pdf
FDB2614
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L 2304564.pdf
FDB0250N807L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB110N15A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB050AN06A0 2729316.pdf
FDB050AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB060AN08A0 2907353.pdf
FDB060AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
FDB38N30U
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74HC1G08DFT1G 1841994.pdf
MC74HC1G08DFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC1G08DFT1G - AND-Gatter, 74HC1G08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74HC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC548CTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC548CTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP583XV30T2G ONSM-S-A0013302847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP583XV30T2G - NCP583XV30T2G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 129574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TPDXV6T1G RE_DSHEET_NSBC143TPDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4771144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC5026MOS ksc5026m-d.pdf
KSC5026MOS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308CS FAIRS29396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS0308CS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0308CS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVR351SDSA3T1G nsvr351sdsa3-d.pdf
NSVR351SDSA3T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR351SDSA3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 5 V, 30 mA, Zwei in Reihe, SC-59, 3 Pin(s), 230 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-59
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 230mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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