| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BZX84C2V7LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V |
auf Bestellung 27053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1JFL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902VDTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -90nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
auf Bestellung 4965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902VDTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -90nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
auf Bestellung 4965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRB1545CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRB1545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 840mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FOD817B3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD817 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC33063AP1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33063AP1G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, DIP-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 85°C Wirkungsgrad: 87.7% Schaltfrequenz: 100kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: - hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Durchsteckmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 33kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: DIP Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: DIP Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAV99LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV99 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 42461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAV99LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV99 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 42461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C404NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 700 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 378A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700ohm |
auf Bestellung 6074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5113PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 8251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLWFAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLWFAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NVMFD6H840NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 90W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NVMFD6H840NL Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 90W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm |
auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5113PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 8251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFD5C668NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 24W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5H600NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 160W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP81253MNTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 15ns Ausgabeverzögerung: 18ns Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 24W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5551BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 21252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5551TA. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MURF860G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURF860G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 60ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 148960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 148960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
auf Bestellung 231000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD682G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SS13FP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS13FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVG1001MXTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR HF-Schalterkonfiguration: SPDT rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: X2DFNW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Frequenzgang HF, min.: 100MHz Versorgungsspannung, max.: 6V Frequenz, max.: 8.5GHz Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVG1001MXTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR HF-Schalterkonfiguration: SPDT rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: X2DFNW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Frequenzgang HF, min.: 100MHz Versorgungsspannung, max.: 6V Frequenz, max.: 8.5GHz Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRS3100T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 130A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 790mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 10620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRS3100T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 130A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 790mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 10620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU4J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4J productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 13578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S2M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2M productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP163ASN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 205mV Dropout, 1.8V/250mAout, SOT-23-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 250mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 205mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 205mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8163ASN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 180mV Dropout, 1.8V/250mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 250mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 180mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8163ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 80mV Dropout, 3.3V/250mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 250mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 80mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 5.5V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOP rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 80mV Nennausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, nom.: 3.3V Ausgangsstrom, max.: 250mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 80mV euEccn: NLR |
auf Bestellung 4756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8163ASN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 180mV Dropout, 1.8V/250mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 250mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 180mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 5.5V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOP rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 1.8V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 180mV Nennausgangsspannung: 1.8V Ausgangsspannung, nom.: 1.8V Ausgangsstrom, max.: 250mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV euEccn: NLR |
auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5352BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5352BRLG - Zener-Diode, 15 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5352 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR1H100SFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 760mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR1H productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7SZ10P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ10P6X - NAND-Gatter, NC7S10, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 7SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7S10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 3Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC857CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS355AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS355AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMD3P03R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMD3P03R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS4C13NETAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 26W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC74HCT244ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HCT244ADTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74HCT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCT Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT244 Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC557ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FNB41060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAAtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 32W Verlustleistung: 32W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SPM26-AAA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: Motion SPM 45 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC34064D-5R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34064D-5R2G - Überwachungs- / Spannungswächter-IC, Active-Low, 1V-6.5V Versorgung, 4.61V Schwelle, SOIC-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: - Qualifikation: - Bauform - digitaler IC: SOIC isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Reset-Ausgang: Aktiv-Low MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 1V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6.5V Schwellenspannung: 4.61V Betriebstemperatur, max.: 70°C |
auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU6M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU6M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 175A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU6M productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC33153DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 0V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
auf Bestellung 3519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MC7805BD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7805 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BZX84C2V7LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
auf Bestellung 27053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.36 EUR |
| 1616+ | 0.14 EUR |
| 1866+ | 0.11 EUR |
| 2571+ | 0.083 EUR |
| 3040+ | 0.07 EUR |
| ES1JFL |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 177+ | 1.42 EUR |
| 316+ | 0.74 EUR |
| 376+ | 0.57 EUR |
| 506+ | 0.43 EUR |
| 1500+ | 0.36 EUR |
| LM2902VDTBR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 320+ | 0.73 EUR |
| 412+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2500+ | 0.4 EUR |
| LM2902VDTBR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 320+ | 0.73 EUR |
| 412+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2500+ | 0.4 EUR |
| MBRB1545CTT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB1545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 840mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MBRB1545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 840mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.57 EUR |
| 104+ | 2.08 EUR |
| 250+ | 2.03 EUR |
| FOD817B3SD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.46 EUR |
| MC33063AP1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33063AP1G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Wirkungsgrad: 87.7%
Schaltfrequenz: 100kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Durchsteckmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: DIP
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - MC33063AP1G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Wirkungsgrad: 87.7%
Schaltfrequenz: 100kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Durchsteckmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: DIP
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 2.8 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 155+ | 1.38 EUR |
| 250+ | 1.36 EUR |
| BAV99LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 42461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 747+ | 0.33 EUR |
| 1484+ | 0.15 EUR |
| 2513+ | 0.086 EUR |
| 2933+ | 0.073 EUR |
| 15000+ | 0.046 EUR |
| BAV99LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 42461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 747+ | 0.33 EUR |
| 1484+ | 0.15 EUR |
| 2513+ | 0.086 EUR |
| 2933+ | 0.073 EUR |
| 15000+ | 0.046 EUR |
| NVMFS5C404NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 700 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 700 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700ohm
auf Bestellung 6074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.09 EUR |
| 19+ | 12.76 EUR |
| 21+ | 10.63 EUR |
| 50+ | 8.72 EUR |
| 100+ | 7.97 EUR |
| 250+ | 7.44 EUR |
| NVMFS5113PLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 8251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.75 EUR |
| 44+ | 5.3 EUR |
| 100+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 2.98 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
| NVMFS5C604NLWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.74 EUR |
| 24+ | 9.77 EUR |
| NVMFS5C604NLWFAFT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NVMFD6H840NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 90W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NVMFD6H840NL Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 90W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 90W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NVMFD6H840NL Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 90W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.7 EUR |
| 500+ | 3.05 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| NVMFS5113PLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 8251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 2.98 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
| NVMFD5C668NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.67 EUR |
| 36+ | 6.5 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.75 EUR |
| 1000+ | 3.49 EUR |
| NVMFS6H801NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.9 EUR |
| 50+ | 4.71 EUR |
| 100+ | 3.49 EUR |
| NVMFS5C680NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.09 EUR |
| 99+ | 2.37 EUR |
| 149+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| NTMFS5H600NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.9 EUR |
| 1000+ | 3.62 EUR |
| NCP81253MNTBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 18ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 18ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NVMFS5C680NLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.37 EUR |
| 149+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| NVMFS6H801NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.49 EUR |
| 2N5551BU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 345+ | 0.73 EUR |
| 530+ | 0.44 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1201+ | 0.18 EUR |
| 1458+ | 0.14 EUR |
| 5000+ | 0.13 EUR |
| 2N5551TA. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| MURF860G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURF860G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MURF860G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.3 EUR |
| 99+ | 2.37 EUR |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 148960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 625+ | 0.4 EUR |
| 1042+ | 0.23 EUR |
| 1673+ | 0.13 EUR |
| 2315+ | 0.093 EUR |
| 2646+ | 0.081 EUR |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 148960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 625+ | 0.4 EUR |
| 1042+ | 0.23 EUR |
| 1673+ | 0.13 EUR |
| 2315+ | 0.093 EUR |
| 2646+ | 0.081 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 9000+ | 0.088 EUR |
| BD682G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 4.43 EUR |
| 89+ | 2.62 EUR |
| 134+ | 1.59 EUR |
| SS13FP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS13FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - SS13FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| BC847CLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4927+ | 0.051 EUR |
| 9000+ | 0.042 EUR |
| NSVG1001MXTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPDT
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: X2DFNW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 6V
Frequenz, max.: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPDT
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: X2DFNW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 6V
Frequenz, max.: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 2.17 EUR |
| 185+ | 1.26 EUR |
| 284+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| NSVG1001MXTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPDT
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: X2DFNW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 6V
Frequenz, max.: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPDT
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: X2DFNW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 6V
Frequenz, max.: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 2.17 EUR |
| 185+ | 1.26 EUR |
| 284+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| MBRS3100T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 2.34 EUR |
| 226+ | 1.04 EUR |
| 298+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| MBRS3100T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 2.34 EUR |
| 226+ | 1.04 EUR |
| 298+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| GBU4J |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.12 EUR |
| 64+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 500+ | 2.52 EUR |
| S2M |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 203+ | 1.24 EUR |
| 421+ | 0.55 EUR |
| 479+ | 0.45 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.31 EUR |
| S2M |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| NCP163ASN180T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 205mV Dropout, 1.8V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 205mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 205mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 205mV Dropout, 1.8V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 205mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 205mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 399+ | 0.58 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 559+ | 0.38 EUR |
| NCV8163ASN180T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 180mV Dropout, 1.8V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 180mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV8163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 180mV Dropout, 1.8V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 180mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 186+ | 1.34 EUR |
| 253+ | 0.92 EUR |
| 320+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.63 EUR |
| NCV8163ASN330T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 80mV Dropout, 3.3V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 80mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 5.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 80mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 80mV
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 80mV Dropout, 3.3V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 80mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 5.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 80mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 80mV
euEccn: NLR
auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.51 EUR |
| 234+ | 1 EUR |
| 293+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 2500+ | 0.69 EUR |
| NCV8163ASN180T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 180mV Dropout, 1.8V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 180mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 5.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 180mV
Nennausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCV8163ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 180mV Dropout, 1.8V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 180mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 5.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 1.8V 250mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 180mV
Nennausgangsspannung: 1.8V
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 180mV
euEccn: NLR
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 186+ | 1.34 EUR |
| 253+ | 0.92 EUR |
| 320+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.63 EUR |
| 1N5352BRLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5352BRLG - Zener-Diode, 15 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5352
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - 1N5352BRLG - Zener-Diode, 15 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5352
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 143+ | 1.75 EUR |
| 317+ | 0.74 EUR |
| 359+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| MBR1H100SFT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 760mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 760mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 1.37 EUR |
| NC7SZ10P6X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ10P6X - NAND-Gatter, NC7S10, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NC7SZ10P6X - NAND-Gatter, NC7S10, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857CWT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 741+ | 0.33 EUR |
| 1482+ | 0.15 EUR |
| 1954+ | 0.11 EUR |
| 2740+ | 0.079 EUR |
| 3379+ | 0.063 EUR |
| BC857CWT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 741+ | 0.33 EUR |
| 1482+ | 0.15 EUR |
| 1954+ | 0.11 EUR |
| 2740+ | 0.079 EUR |
| 3379+ | 0.063 EUR |
| NDS355AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 2.21 EUR |
| NDS355AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.61 EUR |
| 9000+ | 0.46 EUR |
| NTMD3P03R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.98 EUR |
| 113+ | 2.06 EUR |
| 137+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| NTMD3P03R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.98 EUR |
| 113+ | 2.06 EUR |
| 137+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| NVTFS4C13NETAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 194+ | 1.2 EUR |
| 298+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| MC74HCT244ADTR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT244ADTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74HCT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HCT244ADTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74HCT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 236+ | 1.06 EUR |
| 338+ | 0.69 EUR |
| 437+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| BC557ATA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.67 EUR |
| 614+ | 0.38 EUR |
| 991+ | 0.21 EUR |
| 1368+ | 0.15 EUR |
| 1507+ | 0.14 EUR |
| FNB41060 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 32W
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SPM26-AAA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Motion SPM 45
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 32W
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SPM26-AAA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Motion SPM 45
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 39.41 EUR |
| 8+ | 32.78 EUR |
| 10+ | 26.78 EUR |
| 50+ | 23.26 EUR |
| 100+ | 22.79 EUR |
| 250+ | 22.34 EUR |
| MC34064D-5R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC34064D-5R2G - Überwachungs- / Spannungswächter-IC, Active-Low, 1V-6.5V Versorgung, 4.61V Schwelle, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Schwellenspannung: 4.61V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Description: ONSEMI - MC34064D-5R2G - Überwachungs- / Spannungswächter-IC, Active-Low, 1V-6.5V Versorgung, 4.61V Schwelle, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Schwellenspannung: 4.61V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 133+ | 1.89 EUR |
| 186+ | 1.25 EUR |
| 235+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| GBU6M |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBU6M - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.75 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 122+ | 1.76 EUR |
| MC33153DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 0V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 0V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.42 EUR |
| 250+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.27 EUR |
| 2500+ | 2.23 EUR |
| MC7805BD2TR4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 156+ | 1.61 EUR |
| 218+ | 1.07 EUR |
| 279+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2500+ | 0.61 EUR |






































