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HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 4004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
70+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.67 EUR
10+ 6.56 EUR
25+ 5.3 EUR
100+ 4.56 EUR
240+ 4.51 EUR
480+ 3.45 EUR
1200+ 3.26 EUR
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+ 17.88 EUR
11+ 6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.72 EUR
30+ 5.33 EUR
120+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies 687ds_ig15n120h3_1_1_final.pdffileiddb3a304325305e6d012591b22bb86ffb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.45 EUR
23+ 3.12 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
23+ 3.12 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 3322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+ 4.28 EUR
25+ 3.54 EUR
100+ 3.03 EUR
240+ 2.97 EUR
480+ 2.69 EUR
1200+ 2.29 EUR
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.51 EUR
30+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw15n120e1-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHW15N120R3 Infineon 30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+ 4.4 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.56 EUR
240+ 3.15 EUR
1200+ 2.69 EUR
5040+ 2.68 EUR
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+ 4.23 EUR
23+ 3.25 EUR
24+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+ 4.23 EUR
23+ 3.25 EUR
24+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+ 4.49 EUR
25+ 4 EUR
100+ 3.56 EUR
240+ 2.69 EUR
1200+ 2.55 EUR
2640+ 2.53 EUR
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
30+ 4.19 EUR
120+ 3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN-3362341.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
25+ 4.26 EUR
100+ 3.64 EUR
480+ 2.71 EUR
1200+ 2.57 EUR
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120bh6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.52 EUR
10+ 9.33 EUR
25+ 7.39 EUR
100+ 6.46 EUR
240+ 6.35 EUR
480+ 4.84 EUR
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf SP005419706
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+ 7.53 EUR
25+ 7.11 EUR
100+ 6.09 EUR
240+ 5.74 EUR
480+ 5.4 EUR
1200+ 4.61 EUR
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.01 EUR
30+ 7.14 EUR
120+ 6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+ 8.84 EUR
25+ 7.23 EUR
100+ 6.2 EUR
240+ 5.97 EUR
480+ 4.61 EUR
1200+ 4.35 EUR
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
25+ 6.99 EUR
100+ 5.98 EUR
480+ 4.19 EUR
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.94 EUR
11+ 7.14 EUR
14+ 5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120t2-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
90+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf IGBT Transistors
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MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Co MIW15N120FA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1714 Stücke:
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NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W_D-2317897.pdf IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
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NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 19 Stücke:
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2+10.44 EUR
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NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 151 Stücke:
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151+3.66 EUR
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NGTB15N120IHRWG NGTB15N120IHRWG onsemi ngtb15n120ihr-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 21517 Stücke:
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149+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 149
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
auf Bestellung 6987 Stücke:
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193+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 193
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 1790 Stücke:
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138+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 138
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
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6+0.51 EUR
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RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
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12+0.25 EUR
20+ 0.15 EUR
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10000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 12
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
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15+0.19 EUR
30+ 0.097 EUR
100+ 0.049 EUR
1000+ 0.032 EUR
10000+ 0.03 EUR
20000+ 0.025 EUR
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Mindestbestellmenge: 15
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
auf Bestellung 6295 Stücke:
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14+0.21 EUR
22+ 0.13 EUR
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1000+ 0.042 EUR
2500+ 0.04 EUR
10000+ 0.032 EUR
20000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
97+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 97
SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 2889 Stücke:
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76+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 76
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Toshiba_TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+110.49 EUR
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.65 EUR
30+ 91.57 EUR
6MBI15N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA15N120
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA15N120ANFD
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA15N120ANTD
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 34010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
auf Bestellung 26730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
auf Bestellung 100084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
KGH15N120NDA KEC 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
KL732B-15NG-T 15N-1206 KOA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 4004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IGW15N120H3 Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf
IGW15N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.67 EUR
10+ 6.56 EUR
25+ 5.3 EUR
100+ 4.56 EUR
240+ 4.51 EUR
480+ 3.45 EUR
1200+ 3.26 EUR
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+23.84 EUR
4+ 17.88 EUR
11+ 6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.72 EUR
30+ 5.33 EUR
120+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW15N120H3FKSA1 687ds_ig15n120h3_1_1_final.pdffileiddb3a304325305e6d012591b22bb86ffb.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+3.45 EUR
23+ 3.12 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+3.45 EUR
23+ 3.12 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IHW15N120E1XKSA1 Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 3322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.47 EUR
10+ 4.28 EUR
25+ 3.54 EUR
100+ 3.03 EUR
240+ 2.97 EUR
480+ 2.69 EUR
1200+ 2.29 EUR
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.51 EUR
30+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IHW15N120E1XKSA1 infineon-ihw15n120e1-datasheet-v02_01-en.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHW15N120R3
Hersteller: Infineon
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IHW15N120R3 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.24 EUR
10+ 4.4 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.56 EUR
240+ 3.15 EUR
1200+ 2.69 EUR
5040+ 2.68 EUR
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.72 EUR
17+ 4.23 EUR
23+ 3.25 EUR
24+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.72 EUR
17+ 4.23 EUR
23+ 3.25 EUR
24+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IHW15N120R3FKSA1 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.58 EUR
10+ 4.49 EUR
25+ 4 EUR
100+ 3.56 EUR
240+ 2.69 EUR
1200+ 2.55 EUR
2640+ 2.53 EUR
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.3 EUR
30+ 4.19 EUR
120+ 3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN-3362341.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.37 EUR
25+ 4.26 EUR
100+ 3.64 EUR
480+ 2.71 EUR
1200+ 2.57 EUR
IKW15N120BH6XKSA1 infineon-ikw15n120bh6-datasheet-v02_01-en.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+9.52 EUR
10+ 9.33 EUR
25+ 7.39 EUR
100+ 6.46 EUR
240+ 6.35 EUR
480+ 4.84 EUR
IKW15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SP005419706
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW15N120H3 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.96 EUR
10+ 7.53 EUR
25+ 7.11 EUR
100+ 6.09 EUR
240+ 5.74 EUR
480+ 5.4 EUR
1200+ 4.61 EUR
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+9.01 EUR
30+ 7.14 EUR
120+ 6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW15N120H3FKSA1 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+9.13 EUR
10+ 8.84 EUR
25+ 7.23 EUR
100+ 6.2 EUR
240+ 5.97 EUR
480+ 4.61 EUR
1200+ 4.35 EUR
IKW15N120H3FKSA1 ikw15n120h3_rev1_2g.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW15N120T2
Hersteller: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf
IKW15N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.82 EUR
25+ 6.99 EUR
100+ 5.98 EUR
480+ 4.19 EUR
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.94 EUR
11+ 7.14 EUR
14+ 5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKW15N120T2FKSA1 infineon-ikw15n120t2-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW15N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
90+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
108+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf
MIW15N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.07 EUR
10+ 5.1 EUR
25+ 4.8 EUR
100+ 4.12 EUR
250+ 3.89 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.15 EUR
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA(TO-247AB).pdf
MIW15N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.11 EUR
10+ 5.13 EUR
100+ 4.15 EUR
500+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W_D-2317897.pdf
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.1 EUR
10+ 8.96 EUR
30+ 7.46 EUR
120+ 6.88 EUR
210+ 6.65 EUR
420+ 5.35 EUR
1050+ 5.03 EUR
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
151+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 151
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
NGTB15N120IHRWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 21517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
149+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 149
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
auf Bestellung 6987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
193+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 193
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
NGTG15N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
138+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 138
RF15N120F500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120F500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
auf Bestellung 4359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.51 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
10000+ 0.084 EUR
20000+ 0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RF15N120G500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120G500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+0.25 EUR
20+ 0.15 EUR
100+ 0.076 EUR
1000+ 0.049 EUR
2500+ 0.046 EUR
10000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 12
RF15N120J100CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J100CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
auf Bestellung 13627 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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RF15N120J500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
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SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
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97+5.14 EUR
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SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
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TW015N120C,S1F Toshiba_TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf
TW015N120C,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
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TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 57 Stücke:
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30+ 91.57 EUR
6MBI15N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
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FGA15N120
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FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
09+
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FGA15N120ANFD
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FGA15N120ANTD
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FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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FGA15N120ANTDTU_F109
Hersteller: FAIRCHILD
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IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Hersteller: INFINEON
MODULE
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IXGH15N120CD1
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 150 Stücke:
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KGH15N120NDA
Hersteller: KEC
09+
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KL732B-15NG-T 15N-1206
Hersteller: KOA
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