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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano) Produktcode: 169965
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Hitano |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402Nennwert: 51 пФ Nennspannung: 50 В Dielektrikum: NP0 Toleranz: ±5% J Baugröße: 0402 |
auf Bestellung: 1670 St.
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2N5114 | InterFET |
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5114 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. |
Description: JFET P-CH 30V TO18-3Resistance - RDS(On): 75 Ohms Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V FET Type: P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5115 | InterFET |
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5115 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. |
Description: JFET P-CH 30V TO18-3Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V FET Type: P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk |
auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5115E3 | Microchip Technology |
JFETs JFET |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5116 | InterFET |
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5116 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. |
Description: JFET P-CH 30V TO18-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 150 Ohms |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5151 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5152 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5153RESYHRG | STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5153RESYHRG | STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5154S1 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5154U3 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5154U3 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5172 | Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
auf Bestellung 5192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5189 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5190G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5190G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3Power - Max: 40 W Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: SOT-32-3 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V |
auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz |
auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN |
auf Bestellung 10985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N5191G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 10048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5192 | ST |
NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5192G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 20...80 Kind of package: bulk Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5192G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
auf Bestellung 3092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5192G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN |
auf Bestellung 5351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N5192G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5193 | CDIL |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 40V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 7A Type of transistor: PNP Current gain: 10...100 Kind of package: tube Case: TO126 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5193 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 40 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5193. | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40VtariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N5194 | CDIL |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 7A Type of transistor: PNP Current gain: 10...120 Kind of package: tube Case: TO126 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5194 | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 1663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5194 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5195 | CDIL |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO126 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 7A Type of transistor: PNP Current gain: 7...80 Kind of package: tube Case: TO126 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 20...80 Kind of package: bulk Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP |
auf Bestellung 3037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5195G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 1595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N51 | CAN |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N510 | MOTOROLA |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5103 | MOTOROLA |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5104 | MOTOROLA |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5105 | MOTOROLA |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano) Produktcode: 169965
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Nennwert: 51 пФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: NP0
Toleranz: ±5% J
Baugröße: 0402
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Nennwert: 51 пФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: NP0
Toleranz: ±5% J
Baugröße: 0402
auf Bestellung: 1670 St.
- 1670 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.015 EUR |
| 100+ | 0.012 EUR |
| 1000+ | 0.0039 EUR |
| 2N5114 |
![]() |
Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.08 EUR |
| 10+ | 29.01 EUR |
| 100+ | 24.13 EUR |
| 500+ | 21.52 EUR |
| 1000+ | 20.11 EUR |
| 2N5114 TO-18 3L ROHS |
![]() |
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.77 EUR |
| 10+ | 10.03 EUR |
| 100+ | 7.37 EUR |
| 2N5115 |
![]() |
Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.08 EUR |
| 10+ | 29.01 EUR |
| 100+ | 24.13 EUR |
| 500+ | 21.52 EUR |
| 1000+ | 20.11 EUR |
| 2N5115 TO-18 3L |
![]() |
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.64 EUR |
| 10+ | 9.95 EUR |
| 100+ | 7.29 EUR |
| 2N5115E3 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
JFETs JFET
JFETs JFET
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 68.92 EUR |
| 2N5116 |
![]() |
Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.08 EUR |
| 10+ | 29.01 EUR |
| 100+ | 24.13 EUR |
| 500+ | 21.52 EUR |
| 1000+ | 20.11 EUR |
| 2N5116 TO-18 3L ROHS |
![]() |
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 15.04 EUR |
| 10+ | 10.23 EUR |
| 100+ | 7.52 EUR |
| 500+ | 6.5 EUR |
| 2N5151 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 49.3 EUR |
| 2N5152 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 59.64 EUR |
| 100+ | 55.42 EUR |
| 2N5153RESYHRG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 861.51 EUR |
| 2N5153RESYHRG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 861.51 EUR |
| 2N5154S1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 421.89 EUR |
| 10+ | 310.19 EUR |
| 2N5154U3 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 176.48 EUR |
| 2N5154U3 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 176.48 EUR |
| 2N5172 |
![]() |
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.42 EUR |
| 80+ | 0.26 EUR |
| 129+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 2000+ | 0.094 EUR |
| 5000+ | 0.081 EUR |
| 2N5189 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT . .
Bipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.98 EUR |
| 10+ | 11.27 EUR |
| 100+ | 9.4 EUR |
| 500+ | 7.98 EUR |
| 1000+ | 7.96 EUR |
| 2500+ | 7.94 EUR |
| 2N5190G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 2N5190G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 2N5191 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Power - Max: 40 W
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Power - Max: 40 W
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.63 EUR |
| 21+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 10985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 298+ | 0.6 EUR |
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 298+ | 0.6 EUR |
| 302+ | 0.56 EUR |
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N5191G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| 134+ | 1.74 EUR |
| 199+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |
| 2N5192 |
![]() |
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.6 EUR |
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 1.04 EUR |
| 110+ | 0.77 EUR |
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 5351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.78 EUR |
| 12+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| 2000+ | 0.77 EUR |
| 5000+ | 0.69 EUR |
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N5192G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.94 EUR |
| 177+ | 1.31 EUR |
| 199+ | 1.08 EUR |
| 2N5193 |
![]() |
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...100
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...100
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.23 EUR |
| 420+ | 0.2 EUR |
| 475+ | 0.18 EUR |
| 2N5193 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 1.36 EUR |
| 381+ | 0.61 EUR |
| 424+ | 0.5 EUR |
| 530+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 2N5193. |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N5194 |
![]() |
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...120
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...120
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.23 EUR |
| 420+ | 0.2 EUR |
| 470+ | 0.18 EUR |
| 2N5194 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1397+ | 0.38 EUR |
| 2N5194 TIN/LEAD |
![]() |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.72 EUR |
| 50+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 2N5195 |
![]() |
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 7...80
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 7...80
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 325+ | 0.26 EUR |
| 360+ | 0.24 EUR |
| 410+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 2N5195 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 1.36 EUR |
| 381+ | 0.61 EUR |
| 424+ | 0.5 EUR |
| 530+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 108+ | 0.79 EUR |
| 118+ | 0.73 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.56 EUR |
| 10+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.59 EUR |
| 13+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.6 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 407+ | 0.43 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 2.36 EUR |
| 119+ | 1.43 EUR |
| 301+ | 0.55 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.82 EUR |
| 192+ | 1.21 EUR |
| 232+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 1.49 EUR |
| 301+ | 0.58 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2N5195G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1950+ | 0.6 EUR |
| 2N510 |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N5103 |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N5104 |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N5105 |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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