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51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano) 51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Produktcode: 169965 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 51 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
auf Bestellung 6480 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114 2N5114 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 156 Stücke:
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1+23.28 EUR
10+ 20.5 EUR
25+ 19.96 EUR
50+ 18.85 EUR
100+ 17.74 EUR
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500+ 16.09 EUR
2N5114 TO-18 3L ROHS 2N5114 TO-18 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
auf Bestellung 339 Stücke:
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2+10.93 EUR
10+ 9.37 EUR
100+ 7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5115 2N5115 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 49 Stücke:
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1+21.35 EUR
10+ 18.81 EUR
25+ 18.3 EUR
50+ 17.28 EUR
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250+ 15.75 EUR
500+ 14.75 EUR
2N5115 TO-18 3L 2N5115 TO-18 3L Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 501 Stücke:
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2+10.81 EUR
10+ 9.27 EUR
100+ 7.72 EUR
500+ 6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5115E3 2N5115E3 Microchip Technology JFET JFET
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1+62.64 EUR
100+ 58.19 EUR
2N5116 2N5116 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 130 Stücke:
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1+23.28 EUR
10+ 20.5 EUR
25+ 19.96 EUR
50+ 18.85 EUR
100+ 17.74 EUR
250+ 17.18 EUR
500+ 16.09 EUR
2N5151 2N5151 Microchip Technology 8945-lds-0132-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.81 EUR
25+ 44.79 EUR
100+ 41.61 EUR
500+ 41.59 EUR
2N5152 2N5152 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+54.23 EUR
100+ 50.34 EUR
2N5154 2N5154 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 77 Stücke:
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1+39.51 EUR
2N5154 2N5154 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 432 Stücke:
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1+39.25 EUR
100+ 36.45 EUR
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics en.CD00225250.pdf Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+323.28 EUR
10+ 308.42 EUR
25+ 302.02 EUR
50+ 299.48 EUR
100+ 298.28 EUR
250+ 298.23 EUR
500+ 298.2 EUR
2N5154S1 STMicroelectronics en.CD00225250.pdf Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+308.84 EUR
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics 2n5154hr.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+277.02 EUR
10+ 256.77 EUR
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics 2n5154hr.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
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1+277.02 EUR
10+ 256.77 EUR
2N5154U3 2N5154U3 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 69 Stücke:
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1+185.2 EUR
100+ 171.97 EUR
2N5172 2N5172 Good-Ark Semiconductor 2N5172.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 7774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
56+ 0.32 EUR
115+ 0.15 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.089 EUR
2000+ 0.077 EUR
5000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2N5172 PBFREE 2N5172 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5172_6076.PDF Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
21+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
2500+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N5172 PBFREE 2N5172 PBFREE Central Semiconductor 2N5172_6076.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.02 EUR
10+ 0.87 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.52 EUR
2500+ 0.33 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5179 PBFREE 2N5179 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5179.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
10+ 7.33 EUR
100+ 5.93 EUR
500+ 5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5179 PBFREE 2N5179 PBFREE Central Semiconductor 2N5179.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+ 7.29 EUR
100+ 5.9 EUR
250+ 5.88 EUR
500+ 5.24 EUR
1000+ 4.51 EUR
2000+ 4.21 EUR
2N5179-NRC 2N5179-NRC MULTICOMP PRO 2899729.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-72
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5189 PBFREE 2N5189 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.4 EUR
10+ 8.91 EUR
25+ 8.08 EUR
100+ 7.43 EUR
250+ 6.99 EUR
500+ 5.93 EUR
1000+ 5.76 EUR
2N5190G 2N5190G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5190G 2N5190G onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.41 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5190G 2N5190G ONSEMI 1911601.pdf Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191 2N5191 STMicroelectronics 2N5191, 2N5192.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
23+ 0.78 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N5191G 2N5191G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5191G 2N5191G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
30+ 2.39 EUR
81+ 0.89 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5191G 2N5191G onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 22414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5191G 2N5191G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.81 EUR
222+ 0.67 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.48 EUR
2000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 191
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.92 EUR
191+ 0.78 EUR
222+ 0.65 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.46 EUR
2000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 168
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5192 ST 2N5191, 2N5192.pdf NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5192G 2N5192G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
77+ 0.94 EUR
85+ 0.84 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 61
2N5192G 2N5192G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
77+ 0.94 EUR
85+ 0.84 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 61
2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5192G 2N5192G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5193 2N5193 MULTICOMP PRO 2861093.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5194 2N5194 CDIL 2N5194.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 320
2N5194 2N5194 CDIL 2N5194.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
320+0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 320
2N5194 2N5194 onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP PWR GP 4A 60V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
2N5194 ONSEMI ONSMS12834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5194 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2N5193-5195.PDF Description: TRANS PNP 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
50+ 1.7 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2N5195G 2N5195G ONSEMI 2N5194.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 84
2N5195G 2N5195G ONSEMI 2N5194.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 84
2N5195G 2N5195G onsemi 2N5194_D-2309317.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+ 1.03 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5195G 2N5195G onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
15+ 1.18 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.69 EUR
238+ 0.63 EUR
269+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 224
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.71 EUR
232+ 0.64 EUR
265+ 0.54 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 217
2N5195G 2N5195G ONSEMI ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.65 EUR
269+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 238
2N51 CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N510 MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5103 MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5103 MOT CAN
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Produktcode: 169965		 mlcc-approval_20190116.pdf
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 51 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
auf Bestellung 6480 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5114 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5114
Hersteller: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+23.28 EUR
10+ 20.5 EUR
25+ 19.96 EUR
50+ 18.85 EUR
100+ 17.74 EUR
250+ 17.18 EUR
500+ 16.09 EUR
2N5114 TO-18 3L ROHS 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5114 TO-18 3L ROHS
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.93 EUR
10+ 9.37 EUR
100+ 7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5115 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5115
Hersteller: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+21.35 EUR
10+ 18.81 EUR
25+ 18.3 EUR
50+ 17.28 EUR
100+ 16.26 EUR
250+ 15.75 EUR
500+ 14.75 EUR
2N5115 TO-18 3L 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5115 TO-18 3L
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.81 EUR
10+ 9.27 EUR
100+ 7.72 EUR
500+ 6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5115E3
2N5115E3
Hersteller: Microchip Technology
JFET JFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 444-448 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+62.64 EUR
100+ 58.19 EUR
2N5116 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5116
Hersteller: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 95-99 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+23.28 EUR
10+ 20.5 EUR
25+ 19.96 EUR
50+ 18.85 EUR
100+ 17.74 EUR
250+ 17.18 EUR
500+ 16.09 EUR
2N5151 8945-lds-0132-datasheet
2N5151
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+44.81 EUR
25+ 44.79 EUR
100+ 41.61 EUR
500+ 41.59 EUR
2N5152 8864-lds-0039-datasheet
2N5152
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+54.23 EUR
100+ 50.34 EUR
2N5154 8864-lds-0039-datasheet
2N5154
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+39.51 EUR
2N5154 8864-lds-0039-datasheet
2N5154
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+39.25 EUR
100+ 36.45 EUR
2N5154S1 en.CD00225250.pdf
2N5154S1
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+323.28 EUR
10+ 308.42 EUR
25+ 302.02 EUR
50+ 299.48 EUR
100+ 298.28 EUR
250+ 298.23 EUR
500+ 298.2 EUR
2N5154S1 en.CD00225250.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+308.84 EUR
2N5154S1 2n5154hr.pdf
2N5154S1
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+277.02 EUR
10+ 256.77 EUR
2N5154S1 2n5154hr.pdf
2N5154S1
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+277.02 EUR
10+ 256.77 EUR
2N5154U3
2N5154U3
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+185.2 EUR
100+ 171.97 EUR
2N5172 2N5172.pdf
2N5172
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 7774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+0.46 EUR
56+ 0.32 EUR
115+ 0.15 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.089 EUR
2000+ 0.077 EUR
5000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2N5172 PBFREE 2N5172_6076.PDF
2N5172 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+1.02 EUR
21+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
2500+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N5172 PBFREE 2N5172_6076.PDF
2N5172 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.02 EUR
10+ 0.87 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.52 EUR
2500+ 0.33 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5179 PBFREE 2N5179.PDF
2N5179 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+8.73 EUR
10+ 7.33 EUR
100+ 5.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
2N5179 PBFREE 2N5179.PDF
2N5179 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
auf Bestellung 1805 Stücke:
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500+ 5.24 EUR
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2000+ 4.21 EUR
2N5179-NRC 2899729.pdf
2N5179-NRC
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-72
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5189 PBFREE
2N5189 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT . .
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1+10.4 EUR
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250+ 6.99 EUR
500+ 5.93 EUR
1000+ 5.76 EUR
2N5190G 2n5191-d.pdf
2N5190G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.43 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5190G 2N5191_D-2309067.pdf
2N5190G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.41 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5190G 1911601.pdf
2N5190G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191 2N5191, 2N5192.pdf
2N5191
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+0.9 EUR
23+ 0.78 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N5191G 2N5191.PDF
2N5191G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5191G 2N5191.PDF
2N5191G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
30+ 2.39 EUR
81+ 0.89 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N5191G 2N5191_D-2309067.pdf
2N5191G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 22414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.43 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
191+0.81 EUR
222+ 0.67 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.48 EUR
2000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 191
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
168+0.92 EUR
191+ 0.78 EUR
222+ 0.65 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.46 EUR
2000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 168
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5192 2N5191, 2N5192.pdf
Hersteller: ST
NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N5192G 2N5191.PDF
2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
77+ 0.94 EUR
85+ 0.84 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 61
2N5192G 2N5191.PDF
2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
77+ 0.94 EUR
85+ 0.84 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 61
2N5192G 2N5191_D-2309067.pdf
2N5192G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.37 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5192G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5193 2861093.pdf
2N5193
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5194 2N5194.pdf
2N5194
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
320+0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 320
2N5194 2N5194.pdf
2N5194
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
320+0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 320
2N5194 2n5194-d.pdf
2N5194
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP PWR GP 4A 60V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2049+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
2N5194 ONSMS12834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5194 TIN/LEAD 2N5193-5195.PDF
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.11 EUR
50+ 1.7 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2N5195G 2N5194.PDF
2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 84
2N5195G 2N5194.PDF
2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
107+ 0.67 EUR
113+ 0.63 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 84
2N5195G 2N5194_D-2309317.pdf
2N5195G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.23 EUR
10+ 1.03 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.43 EUR
15+ 1.18 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
224+0.69 EUR
238+ 0.63 EUR
269+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 224
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
217+0.71 EUR
232+ 0.64 EUR
265+ 0.54 EUR
500+ 0.51 EUR
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2N5195G ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
238+0.65 EUR
269+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 238
2N51
CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N510
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5103
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5103
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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