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51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano) 51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Produktcode: 169965
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Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 51 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
auf Bestellung 3780 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5114 2N5114 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.56 EUR
10+22.11 EUR
100+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5114 TO-18 3L ROHS 2N5114 TO-18 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.16 EUR
10+8.27 EUR
100+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5115 2N5115 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5115 TO-18 3L 2N5115 TO-18 3L Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 475 Stücke:
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2+12.06 EUR
10+8.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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2N5115E3 2N5115E3 Microchip Technology LDS_0006_2N5114_16-3442562.pdf JFETs JFET
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2N5116 2N5116 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5116 TO-18 3L ROHS 2N5116 TO-18 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.39 EUR
10+8.43 EUR
100+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5151 2N5151 Microchip Technology 2N5151_2N5153_LDS_0131_MIL_PRF_19500_545-3442194.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.35 EUR
100+40.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5152 2N5152 Microchip Technology LDS_0039_2N5152_54_L__U3_-3442240.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.47 EUR
100+48.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5153RESYHRG STMicroelectronics 2n5153hr.pdf Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+805.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5153RESYHRG STMicroelectronics 2n5153hr.pdf Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+805.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154 2N5154 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics en.CD00225250.pdf Description: TRANS NPN 80V 5A SMD5
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics en.CD00225250.pdf Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+281.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3 2N5154U3 Microchip Technology LDS-0039_2N5152-54%28L%29%28U3%29.pdf Description: TRANS NPN 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+171.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3 2N5154U3 Microchip Technology lds-0039_2n5152-54lu3.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+158.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3 2N5154U3 Microchip Technology lds-0039_2n5152-54lu3.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+158.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 2N5172 Good-Ark Semiconductor 2N5172.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 7187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
2000+0.077 EUR
5000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TRE PBFREE Central Semiconductor 2N5172 TRE PBFREE
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TRE PBFREE Central Semiconductor 2N5172 TRE PBFREE
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 PBFREE 2N5179 PBFREE Central Semiconductor 2N5179.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+6.67 EUR
100+4.82 EUR
500+4.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 PBFREE 2N5179 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5179.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.47 EUR
10+6.36 EUR
100+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179-NRC 2N5179-NRC MULTICOMP PRO 2899729.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-7
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: TO-72
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189 PBFREE 2N5189 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.62 EUR
10+9.91 EUR
100+8.27 EUR
500+7.02 EUR
1000+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G onsemi 2N5191_D-1801554.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.37 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.59 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 4565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191 2N5191 STMicroelectronics 2N5191%2C%202N5192.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G onsemi 2N5191_D-1801554.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 27281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.59 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.56 EUR
127+1.09 EUR
129+1.03 EUR
179+0.72 EUR
250+0.67 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.87 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.87 EUR
189+0.73 EUR
190+0.7 EUR
226+0.56 EUR
250+0.54 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.09 EUR
179+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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2N5191G 2N5191G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5192 ST 2N5191%2C%202N5192.pdf NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5192G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AC310A89FE0C7&compId=2N5191.PDF?ci_sign=9a3645f5557e236005ac1c80d242e0637f4fa76f Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
76+0.95 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5192G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AC310A89FE0C7&compId=2N5191.PDF?ci_sign=9a3645f5557e236005ac1c80d242e0637f4fa76f Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
76+0.95 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191_D-1801554.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.66 EUR
6000+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5192G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
13+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5192G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.98 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193. 2N5193. MULTICOMP PRO 2861093.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 2N5194 CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095CC3C5A2BDCA0E1&compId=2N5193_5.pdf?ci_sign=524070e02a858a9ac516f1e8d20a413bfd956c54 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...120
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.21 EUR
380+0.19 EUR
435+0.17 EUR
450+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 2N5194 CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095CC3C5A2BDCA0E1&compId=2N5193_5.pdf?ci_sign=524070e02a858a9ac516f1e8d20a413bfd956c54 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...120
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
380+0.19 EUR
435+0.17 EUR
450+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 2N5194 onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1663+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1663
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 TIN/LEAD 2N5194 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2N5193-5195.PDF Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
50+1.36 EUR
100+1.22 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195 2N5195 MULTICOMP PRO 2861094.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AE8AEE0B0A0C7&compId=2N5194.PDF?ci_sign=5366dd4e8184c4be7b86d21d595e6677d1a30b1c Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
81+0.89 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AE8AEE0B0A0C7&compId=2N5194.PDF?ci_sign=5366dd4e8184c4be7b86d21d595e6677d1a30b1c Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
81+0.89 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G onsemi 2N5194_D-1801382.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
auf Bestellung 3146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.33 EUR
100+0.94 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
6000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G ONSEMI ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Produktcode: 169965
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mlcc-approval_20190116.pdf
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 51 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0402
auf Bestellung 3780 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5114 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5114
Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.56 EUR
10+22.11 EUR
100+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5114 TO-18 3L ROHS 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5114 TO-18 3L ROHS
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.16 EUR
10+8.27 EUR
100+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5115 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5115
Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.56 EUR
10+22.11 EUR
100+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5115 TO-18 3L 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5115 TO-18 3L
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.06 EUR
10+8.2 EUR
100+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5115E3 LDS_0006_2N5114_16-3442562.pdf
2N5115E3
Hersteller: Microchip Technology
JFETs JFET
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+60.61 EUR
100+56.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5116 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5116
Hersteller: InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.56 EUR
10+22.11 EUR
100+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5116 TO-18 3L ROHS 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5116 TO-18 3L ROHS
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.39 EUR
10+8.43 EUR
100+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5151 2N5151_2N5153_LDS_0131_MIL_PRF_19500_545-3442194.pdf
2N5151
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+43.35 EUR
100+40.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5152 LDS_0039_2N5152_54_L__U3_-3442240.pdf
2N5152
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+52.47 EUR
100+48.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5153RESYHRG 2n5153hr.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+805.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5153RESYHRG 2n5153hr.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+805.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154 8864-lds-0039-datasheet
2N5154
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+36.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1 en.CD00225250.pdf
2N5154S1
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 5A SMD5
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+269.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1 en.CD00225250.pdf
2N5154S1
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+281.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3 LDS-0039_2N5152-54%28L%29%28U3%29.pdf
2N5154U3
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+171.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3 lds-0039_2n5152-54lu3.pdf
2N5154U3
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+158.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3 lds-0039_2n5152-54lu3.pdf
2N5154U3
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+158.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 2N5172.pdf
2N5172
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 7187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
2000+0.077 EUR
5000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TRE PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
2N5172 TRE PBFREE
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TRE PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
2N5172 TRE PBFREE
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 PBFREE 2N5179.PDF
2N5179 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.59 EUR
10+6.67 EUR
100+4.82 EUR
500+4.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 PBFREE 2N5179.PDF
2N5179 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.47 EUR
10+6.36 EUR
100+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179-NRC 2899729.pdf
2N5179-NRC
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-7
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: TO-72
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189 PBFREE
2N5189 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.62 EUR
10+9.91 EUR
100+8.27 EUR
500+7.02 EUR
1000+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5191_D-1801554.pdf
2N5190G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.09 EUR
10+1.37 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.59 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2n5191-d.pdf
2N5190G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 4565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2n5191-d.pdf
2N5190G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2n5191-d.pdf
2N5190G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191 2N5191%2C%202N5192.pdf
2N5191
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.27 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 2826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2N5191_D-1801554.pdf
2N5191G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 27281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.59 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.56 EUR
127+1.09 EUR
129+1.03 EUR
179+0.72 EUR
250+0.67 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.87 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.87 EUR
189+0.73 EUR
190+0.7 EUR
226+0.56 EUR
250+0.54 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
127+1.09 EUR
179+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5191G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192 2N5191%2C%202N5192.pdf
Hersteller: ST
NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AC310A89FE0C7&compId=2N5191.PDF?ci_sign=9a3645f5557e236005ac1c80d242e0637f4fa76f
2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
76+0.95 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AC310A89FE0C7&compId=2N5191.PDF?ci_sign=9a3645f5557e236005ac1c80d242e0637f4fa76f
2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
76+0.95 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2N5191_D-1801554.pdf
2N5192G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.66 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2n5191-d.pdf
2N5192G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
13+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5192G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192G 2n5191-d.pdf
2N5192G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.98 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5193. 2861093.pdf
2N5193.
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095CC3C5A2BDCA0E1&compId=2N5193_5.pdf?ci_sign=524070e02a858a9ac516f1e8d20a413bfd956c54
2N5194
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...120
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
380+0.19 EUR
435+0.17 EUR
450+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095CC3C5A2BDCA0E1&compId=2N5193_5.pdf?ci_sign=524070e02a858a9ac516f1e8d20a413bfd956c54
2N5194
Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...120
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
380+0.19 EUR
435+0.17 EUR
450+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 2n5194-d.pdf
2N5194
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1663+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1663
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5194 TIN/LEAD 2N5193-5195.PDF
2N5194 TIN/LEAD
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.85 EUR
50+1.36 EUR
100+1.22 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195 2861094.pdf
2N5195
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AE8AEE0B0A0C7&compId=2N5194.PDF?ci_sign=5366dd4e8184c4be7b86d21d595e6677d1a30b1c
2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
81+0.89 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AE8AEE0B0A0C7&compId=2N5194.PDF?ci_sign=5366dd4e8184c4be7b86d21d595e6677d1a30b1c
2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
81+0.89 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2N5194_D-1801382.pdf
2N5195G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
auf Bestellung 3146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.33 EUR
100+0.94 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
6000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.15 EUR
13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5195G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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