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IRF7301PBF IRF7301PBF
Produktcode: 22639
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IR IRF7301PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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IR irf7303pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 111 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 IRF7304
Produktcode: 34673
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IR irf7304.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 38 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
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IR irf7307pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 36 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF IRF7309PBF
Produktcode: 36562
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IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 119 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
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IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF
Produktcode: 123226
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SILI 91047-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 125 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 Siliconix HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 Siliconix HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 IRF730 Harris Corporation HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.59 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
auf Bestellung 17307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.59 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR JSMicro Semiconductor 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-CN CHIPNOBO Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR-CN CHIPNOBO TIRF7301 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-VB VBsemi SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 HXY MOSFET description Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR UMW 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR-TP TECH PUBLIC 30V 7A 35mOhm@10V 1.3W 3V 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs Substitute: IRF7303TR; IRF7303 SOIC8(T/R) TECH PUBLIC TIRF7303 TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
779+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 779
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 13966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 9209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
13+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.66 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.56 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304TR UMW IRF7304.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR Infineon IRF7306.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR JSMSEMI IRF7306.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR International Rectifier HiRel Products IRF7306.pdf IRF7306TR
auf Bestellung 15218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
721+0.74 EUR
1000+0.66 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 721
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
68+1.07 EUR
96+0.75 EUR
112+0.64 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 13504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.58 EUR
8000+0.54 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 4353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.44 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
745+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 745
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.66 EUR
8000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.39 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 363
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50/100mΩ
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
85+0.85 EUR
132+0.54 EUR
200+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.51 EUR
8000+0.47 EUR
12000+0.45 EUR
20000+0.43 EUR
28000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 7322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.25 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 65030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.28 EUR
100+1.38 EUR
152+0.88 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF
Produktcode: 22639
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description IRF7301PBF.pdf
IRF7301PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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description irf7303pbf-datasheet.pdf
IRF7303PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 111 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304
Produktcode: 34673
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irf7304.pdf
IRF7304
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 38 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
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description irf7307pbf-datasheet.pdf
IRF7307TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 36 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF
Produktcode: 36562
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description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 119 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
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irf7309pbf-1-datasheet.pdf
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
Anzahl Preis
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF
Produktcode: 123226
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
91047-datasheet.pdf
IRF730PBF
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 125 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
166+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
207+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
207+2.59 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 17307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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207+2.59 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
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207+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1650 Stücke:
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50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-CN
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR-CN CHIPNOBO TIRF7301 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF7301TR-VB
Hersteller: VBsemi
SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR-TP
Hersteller: TECH PUBLIC
30V 7A 35mOhm@10V 1.3W 3V 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs Substitute: IRF7303TR; IRF7303 SOIC8(T/R) TECH PUBLIC TIRF7303 TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
779+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 779
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IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6855 Stücke:
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Anzahl Preis
101+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 141 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 13966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 9209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.22 EUR
13+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.66 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.56 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 IRF7304.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 IRF7304.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304TR IRF7304.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR IRF7306.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR IRF7306.pdf
Hersteller: JSMSEMI
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR IRF7306.pdf
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF7306TR
auf Bestellung 15218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
721+0.74 EUR
1000+0.66 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 721
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
68+1.07 EUR
96+0.75 EUR
112+0.64 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 13504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.58 EUR
8000+0.54 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 4353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.44 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
745+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 745
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.66 EUR
8000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
363+0.39 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 363
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 description
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50/100mΩ
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
85+0.85 EUR
132+0.54 EUR
200+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.51 EUR
8000+0.47 EUR
12000+0.45 EUR
20000+0.43 EUR
28000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 7322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.25 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 65030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.28 EUR
100+1.38 EUR
152+0.88 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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