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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7301PBF Produktcode: 22639
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 05.07.2015 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 660/20 Bem.: 2N JHGF: SMD |
auf Bestellung 54 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7303PBF Produktcode: 113419
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 3,9 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: Два транзистори в одному корпусі JHGF: SMD |
auf Bestellung 111 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7304 Produktcode: 34673
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Id,A: 4.7 Rds(on),Om: 0.09 Ciss, pF/Qg, nC: 610/22 Gebr.: 2P /: SMD |
auf Bestellung 38 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7307TRPBF Produktcode: 40384
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 04.01.2015 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 660/20 Bem.: N/P Kanal JHGF: SMD |
auf Bestellung 36 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7309PBF Produktcode: 36562
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4.7(3.5) Rds(on), Ohm: 0.05(0.1) Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: N+P JHGF: SMD |
auf Bestellung 231 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: P/N Kanal 2 in 1 JHGF: SMD ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 12 Stück
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IRF730PBF Produktcode: 123226
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Lieblingsprodukt
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SILI |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 5,5 A Rds(on), Ohm: 1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 700/38 JHGF: THT |
auf Bestellung 85 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF730 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 6306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7301TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMWAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7301TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMWAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7301TR | JSMicro Semiconductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSMAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7301TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMWAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7303 | HXY MOSFET |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXYAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7303TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMWAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF7304 | International Rectifier |
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7304 | International Rectifier |
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7304TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7306TR | Infineon |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2792 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7306TR | JSMSEMI |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSMAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF7306TR | International Rectifier HiRel Products |
IRF7306TR |
auf Bestellung 15218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1311 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A |
auf Bestellung 9216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7309 | Infineon |
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Power dissipation: 1.4W Drain current: 4/-3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.05/0.1Ω |
auf Bestellung 2285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Power dissipation: 1.4W Drain current: 4/-3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.05/0.1Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2285 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A |
auf Bestellung 16036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF730APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF730APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF730APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF730APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF730ASPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF730ASPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF730ASPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF730ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7301PBF Produktcode: 22639
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.4 EUR |
| IRF7303PBF Produktcode: 113419
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 111 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7304 Produktcode: 34673
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| IRF7307TRPBF Produktcode: 40384
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.38 EUR |
| 10+ | 0.34 EUR |
| IRF7309PBF Produktcode: 36562
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Lieblingsprodukt
|
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| IRF730PBF Produktcode: 123226
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 85 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF730 |
![]() |
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.47 EUR |
| IRF730 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.65 EUR |
| IRF730 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.65 EUR |
| IRF730 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.65 EUR |
| IRF730 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| IRF730-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.12 EUR |
| IRF7301TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.67 EUR |
| IRF7301TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.67 EUR |
| IRF7301TR |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.73 EUR |
| IRF7301TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.67 EUR |
| IRF7303 | ![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.72 EUR |
| IRF7303TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.67 EUR |
| IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.56 EUR |
| IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 306+ | 0.48 EUR |
| IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.56 EUR |
| IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.09 EUR |
| 10+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 2000+ | 0.57 EUR |
| 4000+ | 0.5 EUR |
| IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7304 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 2.93 EUR |
| IRF7304 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 3.57 EUR |
| IRF7304TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.7 EUR |
| IRF7306TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.02 EUR |
| IRF7306TR |
![]() |
Hersteller: JSMSEMI
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.72 EUR |
| IRF7306TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF7306TR
IRF7306TR
auf Bestellung 15218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 721+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 10000+ | 0.58 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.46 EUR |
| 71+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 115+ | 0.63 EUR |
| 250+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.46 EUR |
| 71+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 115+ | 0.63 EUR |
| 250+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 9216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 4000+ | 0.54 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 8000+ | 0.39 EUR |
| 12000+ | 0.37 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 195+ | 0.75 EUR |
| 396+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.34 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 8000+ | 0.39 EUR |
| 12000+ | 0.37 EUR |
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 745+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| IRF7309 | ![]() |
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 1.93 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 62+ | 1.16 EUR |
| 92+ | 0.78 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 130+ | 0.55 EUR |
| 200+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 62+ | 1.16 EUR |
| 92+ | 0.78 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 130+ | 0.55 EUR |
| 200+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 16036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.71 EUR |
| 10+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2000+ | 0.52 EUR |
| 4000+ | 0.45 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 122+ | 1.48 EUR |
| 200+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.44 EUR |
| 8000+ | 0.4 EUR |
| 12000+ | 0.39 EUR |
| 20000+ | 0.37 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 275+ | 0.53 EUR |
| 313+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.43 EUR |
| 8000+ | 0.4 EUR |
| 12000+ | 0.38 EUR |
| 20000+ | 0.37 EUR |
| IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7309TRPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 242+ | 0.6 EUR |
| 273+ | 0.52 EUR |
| 311+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| IRF730APBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.11 EUR |
| 10+ | 1.28 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.22 EUR |
| IRF730APBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF730APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF730APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF730APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.41 EUR |
| 10+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.28 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 2000+ | 1.22 EUR |
| IRF730ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 2000+ | 1.46 EUR |
| IRF730ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF730ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF730ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 800+ | 1.46 EUR |
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