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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN) MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28336
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ON MMUN2211LT1-D.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1538 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.06 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN) MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35921
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ON MMUN2214LT1.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G
Produktcode: 34988
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ON MMUN2232LT1G.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2720 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1 MMUN2211LT1 ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf description Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 76974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 11715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.17 EUR
977+0.07 EUR
1220+0.06 EUR
2009+0.04 EUR
3165+0.02 EUR
3334+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 424
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
424+0.17 EUR
977+0.07 EUR
1220+0.06 EUR
2009+0.04 EUR
3165+0.02 EUR
3334+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 424
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.04 EUR
12000+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
96000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
27000+0.02 EUR
51000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5465+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5556+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
24000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3 ON Semiconductor MMUN2211LT1-D.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 515000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.02 EUR
20000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
50000+0.02 EUR
100000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.03 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ONSEMI DTC124E_MUNx212.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.11 EUR
1087+0.07 EUR
1471+0.05 EUR
2093+0.03 EUR
2900+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G ON-Semicoductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 324000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI DTC144E_MUNx213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.17 EUR
633+0.11 EUR
881+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
1401+0.05 EUR
3018+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI DTC144E_MUNx213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
633+0.11 EUR
881+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
1401+0.05 EUR
3018+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G ON-Semicoductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2569167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9804+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9804
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38707 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI MMUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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500+0.14 EUR
770+0.09 EUR
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3290+0.02 EUR
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MMUN2214LT1G ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI MMUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18682 Stücke:
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500+0.14 EUR
770+0.09 EUR
1238+0.06 EUR
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3473+0.02 EUR
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MMUN2214LT1G ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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5182+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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5182+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5182
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MMUN2215LT1 ON Semiconductor MMUN22xxLTx_Series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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13275+0.04 EUR
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
auf Bestellung 725 Stücke:
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463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 463
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
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463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
869+0.08 EUR
2386+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 463
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
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13275+0.04 EUR
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3232 Stücke:
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939+0.16 EUR
1354+0.11 EUR
1924+0.07 EUR
2565+0.05 EUR
3125+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 939
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
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917+0.16 EUR
921+0.15 EUR
923+0.14 EUR
927+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 917
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4292+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4292
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28336
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MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1538 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35921
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MMUN2214LT1.pdf
MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G
Produktcode: 34988
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MMUN2232LT1G.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2720 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1 description mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2211LT1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 76974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
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MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 11715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
424+0.17 EUR
977+0.07 EUR
1220+0.06 EUR
2009+0.04 EUR
3165+0.02 EUR
3334+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 424
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
424+0.17 EUR
977+0.07 EUR
1220+0.06 EUR
2009+0.04 EUR
3165+0.02 EUR
3334+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 424
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.04 EUR
12000+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
96000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
27000+0.02 EUR
51000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5465+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5465
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MMUN2211LT1G ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5556+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
24000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3 MMUN2211LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 515000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.02 EUR
20000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
50000+0.02 EUR
100000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT3G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.03 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G DTC124E_MUNx212.PDF
MMUN2212LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
1087+0.07 EUR
1471+0.05 EUR
2093+0.03 EUR
2900+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G dtc124ed.pdf
MMUN2212LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 324000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G dtc124ed.pdf
MMUN2212LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G dtc124ed.pdf
MMUN2212LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G 2237087.pdf
MMUN2212LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G dtc124ed.pdf
MMUN2212LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1G 2237087.pdf
MMUN2212LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G DTC144E_MUNx213.PDF
MMUN2213LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
633+0.11 EUR
881+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
1401+0.05 EUR
3018+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G DTC144E_MUNx213.PDF
MMUN2213LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
633+0.11 EUR
881+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
1401+0.05 EUR
3018+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2569167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9804+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9804
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2213LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4785+0.03 EUR
12000+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
96000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 74800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4330+0.04 EUR
18000+0.03 EUR
27000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2569167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1870+0.08 EUR
2907+0.05 EUR
5051+0.03 EUR
6623+0.02 EUR
8929+0.01 EUR
9804+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1870
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4292+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1G MMUN2214.PDF
MMUN2214LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 18682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
770+0.09 EUR
1238+0.06 EUR
1678+0.04 EUR
3290+0.02 EUR
3473+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1G MMUN2214.PDF
MMUN2214LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
770+0.09 EUR
1238+0.06 EUR
1678+0.04 EUR
3290+0.02 EUR
3473+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2214LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
27000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2214LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5182+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2214LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2214LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5182+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215.PDF
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G MMUN2215.PDF
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
869+0.08 EUR
2386+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
939+0.16 EUR
1354+0.11 EUR
1924+0.07 EUR
2565+0.05 EUR
3125+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 939
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
917+0.16 EUR
921+0.15 EUR
923+0.14 EUR
927+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 917
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4292+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G 1708320.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G 1708320.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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