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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FGH40N60SFD FGH40N60SFD
Produktcode: 201597 		China Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 05.10.2024
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400 		FAIR fgh40n60sfd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 240 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.46 EUR
FGH40N60SMD FGH40N60SMD
Produktcode: 63296 		FAIR fgh40n60smd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.8 EUR
FGH40N60SFD Fairchaild IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+20.25 EUR
10+ 18.23 EUR
100+ 16.4 EUR
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.26 EUR
12+ 6.25 EUR
16+ 4.56 EUR
17+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.16 EUR
10+ 6.82 EUR
100+ 4.93 EUR
500+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+ 7.08 EUR
25+ 7.06 EUR
100+ 5.1 EUR
450+ 5.09 EUR
900+ 4.63 EUR
2700+ 4.33 EUR
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.05 EUR
50+ 5.35 EUR
100+ 5.06 EUR
450+ 4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
122+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 122
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU onsemi fgh40n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU ON Semiconductor fgh40n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.41 EUR
48+ 3.09 EUR
52+ 2.72 EUR
100+ 2.36 EUR
122+ 2.21 EUR
250+ 2.05 EUR
450+ 1.89 EUR
2700+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.95 EUR
12+ 6.15 EUR
14+ 5.32 EUR
15+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi fgh40n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.3 EUR
30+ 5.79 EUR
120+ 4.96 EUR
510+ 4.41 EUR
1020+ 3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_D-2313395.pdf IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 17230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.57 EUR
25+ 4.79 EUR
100+ 4.42 EUR
250+ 4.4 EUR
450+ 4.14 EUR
900+ 3.68 EUR
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI 1874910.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_F085_D-2313465.pdf IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+ 9.52 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 7.37 EUR
250+ 7.15 EUR
450+ 6.51 EUR
900+ 5.58 EUR
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60smd_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 270
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60smd_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 270
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.55 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40N60UFDTU ON-Semicoductor fgh40n60ufd-d.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.37 EUR
30+ 5.84 EUR
120+ 5.01 EUR
510+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60UFD_D-2313363.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
25+ 6.05 EUR
100+ 5.19 EUR
450+ 4.59 EUR
900+ 4.1 EUR
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.16 EUR
30+ 4.9 EUR
100+ 4.12 EUR
450+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI 2303983.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.95 EUR
28+ 5.28 EUR
100+ 4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.17 EUR
30+ 4.91 EUR
100+ 4.13 EUR
450+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.95 EUR
28+ 5.28 EUR
100+ 4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FGH40N65UFDTU ON-Semicoductor IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+24.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T100SMD-F155 FGH40T100SMD-F155 onsemi fgh40t100smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.69 EUR
10+ 8.63 EUR
100+ 6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+24.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+24.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
6+ 11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD FGH40T120SMD onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.96 EUR
30+ 11.14 EUR
120+ 9.97 EUR
510+ 8.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+ 12.37 EUR
25+ 11.23 EUR
100+ 10.31 EUR
250+ 9.7 EUR
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.88 EUR
15+ 10.12 EUR
25+ 8.08 EUR
100+ 7.23 EUR
250+ 6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.97 EUR
15+ 10.2 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 7.29 EUR
250+ 6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.86 EUR
5+ 14.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.45 EUR
25+ 11.55 EUR
50+ 11.33 EUR
250+ 10.33 EUR
450+ 9.1 EUR
900+ 8.59 EUR
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.96 EUR
30+ 11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI 4097325.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 onsemi fgh40t120sqdnl4-d.pdf Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
10+ 7.71 EUR
100+ 7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 onsemi FGH40T120SQDNL4_D-2313179.pdf IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 450 Stücke:
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1+11.58 EUR
10+ 7.99 EUR
25+ 7.97 EUR
100+ 7.85 EUR
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 ONSEMI 2619971.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 437 Stücke:
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FGH40T65SH-F155 FGH40T65SH-F155 ON Semiconductor fgh40t65sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.67 EUR
25+ 6.15 EUR
50+ 5.7 EUR
100+ 5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FGH40T65SHD-F155 onsemi / Fairchild FGH40T65SHD_D-2313426.pdf IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 169 Stücke:
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1+6.18 EUR
10+ 5.19 EUR
25+ 5.17 EUR
450+ 3.71 EUR
900+ 2.99 EUR
FGH40T65SHD-F155 FGH40T65SHD-F155 onsemi fgh40t65shd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
10+ 5.01 EUR
450+ 3.6 EUR
1350+ 3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF-F155 onsemi fgh40t65shdf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.91 EUR
30+ 4.68 EUR
120+ 4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF-F155 onsemi / Fairchild FGH40T65SHDF_D-2313337.pdf IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 788 Stücke:
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1+6.12 EUR
10+ 5.77 EUR
25+ 4.84 EUR
100+ 4.15 EUR
250+ 3.66 EUR
450+ 3.33 EUR
900+ 3.27 EUR
FGH40T65SPD-F155 FGH40T65SPD-F155 ON Semiconductor fgh40t65spd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 onsemi fgh40t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 3427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.3 EUR
30+ 5 EUR
120+ 4.28 EUR
510+ 3.81 EUR
1020+ 3.26 EUR
2010+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 onsemi FGH40T65SQD_D-2313467.pdf IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+ 5.97 EUR
25+ 5.17 EUR
100+ 4.15 EUR
250+ 4.03 EUR
450+ 3.75 EUR
900+ 3.19 EUR
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T70SHD-F155 FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor fgh40t70shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FGH40T70SHD-F155 FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor fgh40t70shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD onsemi fgh4l40t120lqd-d.pdf Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.67 EUR
10+ 7.33 EUR
100+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD onsemi FGH4L40T120LQD_D-3150157.pdf IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.05 EUR
10+ 7.6 EUR
100+ 7.37 EUR
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ONSEMI 3672835.pdf Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFD
Produktcode: 201597
FGH40N60SFD
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 05.10.2024
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 240 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.46 EUR
FGH40N60SMD
Produktcode: 63296		 fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.8 EUR
FGH40N60SFD
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.25 EUR
10+ 18.23 EUR
100+ 16.4 EUR
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.26 EUR
12+ 6.25 EUR
16+ 4.56 EUR
17+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.16 EUR
10+ 6.82 EUR
100+ 4.93 EUR
500+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+9.45 EUR
10+ 7.08 EUR
25+ 7.06 EUR
100+ 5.1 EUR
450+ 5.09 EUR
900+ 4.63 EUR
2700+ 4.33 EUR
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+6.05 EUR
50+ 5.35 EUR
100+ 5.06 EUR
450+ 4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60SFTU FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH40N60SFTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
122+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 122
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
45+3.41 EUR
48+ 3.09 EUR
52+ 2.72 EUR
100+ 2.36 EUR
122+ 2.21 EUR
250+ 2.05 EUR
450+ 1.89 EUR
2700+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.95 EUR
12+ 6.15 EUR
14+ 5.32 EUR
15+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FGH40N60SMD fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+7.3 EUR
30+ 5.79 EUR
120+ 4.96 EUR
510+ 4.41 EUR
1020+ 3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40N60SMD FGH40N60SMD_D-2313395.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 17230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.57 EUR
25+ 4.79 EUR
100+ 4.42 EUR
250+ 4.4 EUR
450+ 4.14 EUR
900+ 3.68 EUR
FGH40N60SMD 1874910.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD_F085_D-2313465.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.33 EUR
10+ 9.52 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 7.37 EUR
250+ 7.15 EUR
450+ 6.51 EUR
900+ 5.58 EUR
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 270
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 270
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.55 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+7.37 EUR
30+ 5.84 EUR
120+ 5.01 EUR
510+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD_D-2313363.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.64 EUR
25+ 6.05 EUR
100+ 5.19 EUR
450+ 4.59 EUR
900+ 4.1 EUR
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+6.16 EUR
30+ 4.9 EUR
100+ 4.12 EUR
450+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60UFDTU 2303983.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+6.95 EUR
28+ 5.28 EUR
100+ 4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+6.17 EUR
30+ 4.91 EUR
100+ 4.13 EUR
450+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+6.95 EUR
28+ 5.28 EUR
100+ 4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FGH40N65UFDTU
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+24.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T100SMD-F155 fgh40t100smd-d.pdf
FGH40T100SMD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+12.69 EUR
10+ 8.63 EUR
100+ 6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+24.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+24.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+17.88 EUR
6+ 11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.96 EUR
30+ 11.14 EUR
120+ 9.97 EUR
510+ 8.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD_D-2313554.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.43 EUR
10+ 12.37 EUR
25+ 11.23 EUR
100+ 10.31 EUR
250+ 9.7 EUR
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+11.88 EUR
15+ 10.12 EUR
25+ 8.08 EUR
100+ 7.23 EUR
250+ 6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+11.97 EUR
15+ 10.2 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 7.29 EUR
250+ 6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+21.86 EUR
5+ 14.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD_D-2313554.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.45 EUR
25+ 11.55 EUR
50+ 11.33 EUR
250+ 10.33 EUR
450+ 9.1 EUR
900+ 8.59 EUR
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.96 EUR
30+ 11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD-F155 4097325.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
FGH40T120SQDNL4
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+11.19 EUR
10+ 7.71 EUR
100+ 7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4_D-2313179.pdf
FGH40T120SQDNL4
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+11.58 EUR
10+ 7.99 EUR
25+ 7.97 EUR
100+ 7.85 EUR
FGH40T120SQDNL4 2619971.pdf
FGH40T120SQDNL4
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 437 Stücke:
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FGH40T65SH-F155 fgh40t65sh-d.pdf
FGH40T65SH-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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23+6.67 EUR
25+ 6.15 EUR
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FGH40T65SHD-F155 FGH40T65SHD_D-2313426.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
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FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
FGH40T65SHD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
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3+5.97 EUR
10+ 5.01 EUR
450+ 3.6 EUR
1350+ 3.08 EUR
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FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
FGH40T65SHDF-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
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3+5.91 EUR
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FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF_D-2313337.pdf
FGH40T65SHDF-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
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1+6.12 EUR
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250+ 3.66 EUR
450+ 3.33 EUR
900+ 3.27 EUR
FGH40T65SPD-F155 fgh40t65spd-d.pdf
FGH40T65SPD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
FGH40T65SQD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
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3+6.3 EUR
30+ 5 EUR
120+ 4.28 EUR
510+ 3.81 EUR
1020+ 3.26 EUR
2010+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD_D-2313467.pdf
FGH40T65SQD-F155
Hersteller: onsemi
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 434 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.53 EUR
10+ 5.97 EUR
25+ 5.17 EUR
100+ 4.15 EUR
250+ 4.03 EUR
450+ 3.75 EUR
900+ 3.19 EUR
FGH40T65SQD-F155 ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 337 Stücke:
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FGH40T70SHD-F155 fgh40t70shd-d.pdf
FGH40T70SHD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
49+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FGH40T70SHD-F155 fgh40t70shd-d.pdf
FGH40T70SHD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
49+3.14 EUR
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FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: onsemi
Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.67 EUR
10+ 7.33 EUR
100+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD_D-3150157.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
auf Bestellung 561 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+11.05 EUR
10+ 7.6 EUR
100+ 7.37 EUR
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FGH4L40T120LQD 3672835.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 515 Stücke:
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