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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FGH40N60SFD Produktcode: 201597
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Lieblingsprodukt
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China |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
auf Bestellung 24 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Produktcode: 79400
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Lieblingsprodukt
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FAIR |
![]() Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
auf Bestellung 188 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH40N60SMD Produktcode: 63296
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Lieblingsprodukt
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FAIR |
![]() Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 2,1 Ic 25: 80 Ic 100: 40 Pd 25: 349 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992 |
auf Bestellung 74 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH40N120ANTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFD | Fairchaild | IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 11850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 13227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FGH40N65UFDTU | ON-Semicoductor |
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SQDNL4 | onsemi |
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auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T120SQDNL4 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40T65SH-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH40T65SHD-F155-01 |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SHDF-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SQD-F155 | onsemi |
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auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FGH40N60SFD Produktcode: 201597
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Produktcode: 79400
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 188 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.46 EUR |
FGH40N60SMD Produktcode: 63296
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.8 EUR |
FGH40N120ANTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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74+ | 7.28 EUR |
100+ | 6.68 EUR |
500+ | 6.08 EUR |
1000+ | 5.53 EUR |
FGH40N60SFD |
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 19.12 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.88 EUR |
15+ | 5.05 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
150+ | 3.29 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 11.29 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.88 EUR |
15+ | 5.05 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
150+ | 3.29 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.01 EUR |
10+ | 4.51 EUR |
120+ | 3.7 EUR |
510+ | 3.38 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 6 EUR |
120+ | 4.67 EUR |
270+ | 4.34 EUR |
FGH40N60SFTU |
![]() ![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 3.84 EUR |
FGH40N60SFTU |
![]() ![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 11850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 3.84 EUR |
500+ | 3.49 EUR |
1000+ | 3.18 EUR |
10000+ | 2.88 EUR |
FGH40N60SFTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 6.69 EUR |
28+ | 4.99 EUR |
32+ | 4.17 EUR |
100+ | 3.72 EUR |
250+ | 3.22 EUR |
450+ | 2.91 EUR |
900+ | 2.77 EUR |
2700+ | 2.75 EUR |
FGH40N60SFTU |
![]() ![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 3.84 EUR |
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.93 EUR |
17+ | 4.36 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 9.78 EUR |
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 13227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.81 EUR |
10+ | 5.07 EUR |
120+ | 4.19 EUR |
510+ | 3.91 EUR |
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 7.32 EUR |
21+ | 6.82 EUR |
32+ | 4.17 EUR |
120+ | 3.37 EUR |
510+ | 2.81 EUR |
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 7.27 EUR |
21+ | 6.77 EUR |
33+ | 4.14 EUR |
120+ | 3.34 EUR |
510+ | 2.79 EUR |
FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
450+ | 3.1 EUR |
FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.21 EUR |
10+ | 7.11 EUR |
100+ | 5.98 EUR |
450+ | 5.97 EUR |
900+ | 5.95 EUR |
FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
210+ | 8 EUR |
FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
210+ | 6.64 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.09 EUR |
17+ | 4.26 EUR |
18+ | 4.03 EUR |
120+ | 4.02 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 12.47 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.48 EUR |
10+ | 3.57 EUR |
120+ | 2.92 EUR |
510+ | 2.53 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 3.21 EUR |
120+ | 2.88 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 3.21 EUR |
120+ | 2.88 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40N65UFDTU |
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 24.4 EUR |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.36 EUR |
500+ | 3.98 EUR |
1000+ | 3.61 EUR |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.36 EUR |
500+ | 3.98 EUR |
1000+ | 3.61 EUR |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.36 EUR |
500+ | 3.98 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.46 EUR |
9+ | 8.37 EUR |
30+ | 8.05 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 24.83 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 24.83 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.46 EUR |
9+ | 8.37 EUR |
30+ | 8.05 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.8 EUR |
10+ | 9.36 EUR |
120+ | 7.94 EUR |
510+ | 7.57 EUR |
FGH40T120SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 8.51 EUR |
18+ | 7.97 EUR |
30+ | 6.35 EUR |
120+ | 6.08 EUR |
FGH40T120SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 8.44 EUR |
18+ | 7.91 EUR |
30+ | 6.31 EUR |
120+ | 6.04 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.86 EUR |
5+ | 14.46 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.86 EUR |
5+ | 14.46 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.82 EUR |
10+ | 9.36 EUR |
120+ | 9.08 EUR |
510+ | 8.92 EUR |
1020+ | 8.32 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40T120SMD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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450+ | 7.59 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
450+ | 7.65 EUR |
FGH40T120SQDNL4 |
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Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.86 EUR |
10+ | 9.4 EUR |
120+ | 8.34 EUR |
FGH40T120SQDNL4 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40T65SH-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
150+ | 3.57 EUR |
500+ | 3.27 EUR |
FGH40T65SHD-F155 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.69 EUR |
10+ | 5.1 EUR |
120+ | 3.59 EUR |
510+ | 3.26 EUR |
1020+ | 3.2 EUR |
FGH40T65SHD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
171+ | 3.14 EUR |
500+ | 2.87 EUR |
1000+ | 2.6 EUR |
FGH40T65SHD-F155-01 |
Hersteller: ON Semiconductor
FGH40T65SHD-F155-01
FGH40T65SHD-F155-01
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
172+ | 3.12 EUR |
500+ | 2.86 EUR |
FGH40T65SHDF-F155 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.66 EUR |
10+ | 4.28 EUR |
120+ | 3.52 EUR |
510+ | 3.17 EUR |
FGH40T65SPD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
141+ | 3.8 EUR |
FGH40T65SPD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
141+ | 3.8 EUR |
500+ | 3.48 EUR |
FGH40T65SQD-F155 |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.01 EUR |
10+ | 4.51 EUR |
120+ | 3.71 EUR |
510+ | 3.38 EUR |
FGH40T70SHD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40T70SHD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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