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MTP3N60E MTP3N60E
Produktcode: 23818
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Motorola Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60 MOT CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.60 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 ALPHA AOD3N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.60 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B10K CDE23N-60-B10K SR PASSIVES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 10kΩ
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Power: 0.5W
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
48+1.52 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B50K CDE23N-60-B50K SR PASSIVES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM onsemi / Fairchild FGD3N60LSD_D-1808795.pdf IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
10+1.29 EUR
100+0.91 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.70 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+1.04 EUR
100+0.70 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.50 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3N60-0000-000 Harwin M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.97 EUR
12+34.69 EUR
24+33.21 EUR
60+32.12 EUR
108+31.05 EUR
252+29.34 EUR
504+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay sihb053n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+9.63 EUR
25+6.64 EUR
100+5.60 EUR
500+5.54 EUR
1000+4.96 EUR
2000+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
25+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.35 EUR
10+7.55 EUR
100+5.60 EUR
500+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.53 EUR
10+8.73 EUR
100+6.39 EUR
500+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60ET1-GE3 SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60e.pdf MOSFETs N-Channel 600V
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.35 EUR
10+8.04 EUR
100+6.30 EUR
2400+5.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60ET5-GE3 SIHB33N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.86 EUR
10+8.27 EUR
100+6.69 EUR
500+5.53 EUR
800+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.47 EUR
10+4.58 EUR
25+4.33 EUR
100+3.71 EUR
250+3.50 EUR
500+3.29 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG23N60E-GE3 SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.18 EUR
10+5.53 EUR
100+4.63 EUR
250+4.58 EUR
500+4.47 EUR
1000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+6.65 EUR
100+5.44 EUR
500+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg33n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+9.35 EUR
25+6.28 EUR
100+5.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg73n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.82 EUR
7+10.97 EUR
50+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.82 EUR
7+10.97 EUR
50+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg73n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.72 EUR
10+21.58 EUR
25+14.64 EUR
100+13.96 EUR
500+12.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP23N60E-BE3 SIHP23N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+5.46 EUR
50+3.59 EUR
100+3.20 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
3000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP23N60E-GE3 SiHP23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+5.47 EUR
25+3.45 EUR
100+3.27 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
50+5.79 EUR
100+5.49 EUR
500+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
50+7.81 EUR
100+6.78 EUR
500+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihw33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.48 EUR
10+8.43 EUR
250+7.41 EUR
480+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.55 EUR
25+1.53 EUR
100+1.19 EUR
250+1.18 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.27 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
200+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
200+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics stb13n60m2-1850166.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+3.15 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2 STB33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.87 EUR
10+5.95 EUR
100+4.26 EUR
500+3.80 EUR
1000+3.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2 STB33N60M2 STMicroelectronics stb33n60m2-1850311.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.51 EUR
100+4.29 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics std13n60dm2-1850491.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.66 EUR
10+2.45 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
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STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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42+1.73 EUR
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STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
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STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2-1850620.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 891 Stücke:
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STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.72 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
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STF13N60M2 ST en.DM00070271.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
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STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
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STF13N60M2 ST en.DM00070271.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2-1850540.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1142 Stücke:
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STF33N60DM2 STF33N60DM2 STMicroelectronics stf33n60dm2-1850705.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STF33N60M2 STF33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+4.95 EUR
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STF43N60DM2 STF43N60DM2 STMicroelectronics stf43n60dm2-1850571.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+7.67 EUR
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STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics stfh13n60m2-1850882.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+3.22 EUR
100+2.57 EUR
500+2.16 EUR
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2760+1.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics stl13n60dm2-1851008.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.45 EUR
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STL33N60DM2 STL33N60DM2 STMicroelectronics stl33n60dm2-1850990.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.15 EUR
10+6.64 EUR
100+5.37 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.08 EUR
3000+3.85 EUR
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STL33N60M2 STL33N60M2 STMicroelectronics stl33n60m2-1850956.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
3000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 STP13N60M2 STMicroelectronics stp13n60m2-1851446.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+2.52 EUR
25+1.61 EUR
100+1.55 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2 STP33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
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100+4.08 EUR
500+3.40 EUR
1000+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2 STP33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.37 EUR
10+7.20 EUR
25+4.14 EUR
100+3.94 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP3N60E
Produktcode: 23818
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MTP3N60E
Hersteller: Motorola
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7
AOD3N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.60 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 AOD3N60.pdf
Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7
AOD3N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.60 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B10K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a
CDE23N-60-B10K
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 10kΩ
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Power: 0.5W
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
48+1.52 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B50K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a
CDE23N-60-B50K
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSD_D-1808795.pdf
FGD3N60LSDTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.52 EUR
10+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD03N60RFATMA1 Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf
IKD03N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.94 EUR
10+1.29 EUR
100+0.91 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.70 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf
IKN03N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+1.04 EUR
100+0.70 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.50 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf
M83-LMT2M3N60-0000-000
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
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SIHB053N60E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
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SIHB23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB33N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB33N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 600V
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SIHB33N60ET5-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
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SIHF23N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SiHG23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG33N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIHG73N60AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 383 Stücke:
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Anzahl Preis
5+15.82 EUR
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SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 383 Stücke:
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Anzahl Preis
5+15.82 EUR
7+10.97 EUR
50+10.55 EUR
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SIHG73N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 322 Stücke:
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1+21.72 EUR
10+21.58 EUR
25+14.64 EUR
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500+12.48 EUR
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SIHP23N60E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2440 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.95 EUR
10+5.46 EUR
50+3.59 EUR
100+3.20 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
3000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP23N60E-GE3 sihp23n60e.pdf
SiHP23N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.97 EUR
10+5.47 EUR
25+3.45 EUR
100+3.27 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
SIHP33N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 336 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.29 EUR
50+5.79 EUR
100+5.49 EUR
500+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.23 EUR
50+7.81 EUR
100+6.78 EUR
500+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.48 EUR
10+8.43 EUR
250+7.41 EUR
480+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2274 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.55 EUR
25+1.53 EUR
100+1.19 EUR
250+1.18 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
200+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
200+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 stb13n60m2-1850166.pdf
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.47 EUR
10+3.15 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STB33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.87 EUR
10+5.95 EUR
100+4.26 EUR
500+3.80 EUR
1000+3.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2 stb33n60m2-1850311.pdf
STB33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+5.51 EUR
100+4.29 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60DM2 std13n60dm2-1850491.pdf
STD13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.66 EUR
10+2.45 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
37+1.97 EUR
49+1.49 EUR
52+1.40 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
37+1.97 EUR
49+1.49 EUR
52+1.40 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.36 EUR
10+1.65 EUR
100+1.29 EUR
250+1.28 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
42+1.73 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
42+1.73 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 stf13n60dm2-1850620.pdf
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.57 EUR
10+2.59 EUR
100+2.06 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.41 EUR
5000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
61+1.19 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
61+1.19 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 stf13n60m2-1850540.pdf
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.62 EUR
25+1.63 EUR
100+1.51 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.11 EUR
2000+0.98 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60DM2 stf33n60dm2-1850705.pdf
STF33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.97 EUR
10+6.42 EUR
25+3.63 EUR
100+3.31 EUR
500+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STF33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.00 EUR
10+4.95 EUR
25+3.40 EUR
100+3.27 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF43N60DM2 stf43n60dm2-1850571.pdf
STF43N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.69 EUR
10+7.67 EUR
25+5.39 EUR
100+5.26 EUR
500+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFH13N60M2 stfh13n60m2-1850882.pdf
STFH13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.35 EUR
10+3.22 EUR
100+2.57 EUR
500+2.16 EUR
920+1.85 EUR
2760+1.76 EUR
5520+1.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL13N60DM2 stl13n60dm2-1851008.pdf
STL13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL33N60DM2 stl33n60dm2-1850990.pdf
STL33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.15 EUR
10+6.64 EUR
100+5.37 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.08 EUR
3000+3.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL33N60M2 stl33n60m2-1850956.pdf
STL33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.25 EUR
3000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 stp13n60m2-1851446.pdf
STP13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.82 EUR
10+2.52 EUR
25+1.61 EUR
100+1.55 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STP33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.59 EUR
25+4.38 EUR
100+4.08 EUR
500+3.40 EUR
1000+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STP33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.37 EUR
10+7.20 EUR
25+4.14 EUR
100+3.94 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.15 EUR
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