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IRFS9N60A IRFS9N60A
Produktcode: 77974
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Vishay irfs9n60a_datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar: 4 Stück
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT199N60 FCMT199N60 onsemi / Fairchild FCMT199N60-D.pdf MOSFETs 199mohm 600V SuperFET2
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FCMT299N60 FCMT299N60 onsemi / Fairchild FCMT299N60-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFB9N60APBF-BE3 IRFB9N60APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 115 Stücke:
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFS9N60ATRRPBF IRFS9N60ATRRPBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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MCW099N60SH-BP MCW099N60SH-BP Micro Commercial Components (MCC) MCW099N60SH_TO_247_.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
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NTHL019N60S5F NTHL019N60S5F onsemi NTHL019N60S5F-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600 V, 75 A, 19 mohm, TO-247
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NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 onsemi NTHL099N60S5-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive, 600 V, 33 A, 99 mohm, TO-247
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PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC_T0_00601 Panjit PJMF099N60EC.pdf MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
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PJMH099N60EC_T0_00601 PJMH099N60EC_T0_00601 Panjit C7DA8B48387405CDB30D1C21C6DE548F3F4E86D76DDE487A7CEA756F9D630321.pdf MOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
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PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC_T0_00601 Panjit PJMP099N60EC.pdf MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihd9n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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100+1.88 EUR
500+1.57 EUR
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SIHFS9N60A-GE3 SIHFS9N60A-GE3 Vishay / Siliconix sihs9n60.pdf MOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
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100+2.08 EUR
500+1.74 EUR
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SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg039n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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10+10.75 EUR
100+10.52 EUR
500+10.33 EUR
1000+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 Vishay / Siliconix tf-sihg039n60ef-ge3.pdf MOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
auf Bestellung 181 Stücke:
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1+16.02 EUR
10+13.31 EUR
100+10.05 EUR
500+9.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 2616 Stücke:
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2+2.13 EUR
10+1.47 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.83 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 5.5A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 STU9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.06 EUR
100+0.97 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099N60Z1,S1F TK099N60Z1,S1F Toshiba TK099N60Z1_datasheet_en_20240826.pdf?did=159763&prodName=TK099N60Z1 MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.48 EUR
10+5.47 EUR
120+3.66 EUR
510+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF Toshiba 3031353231414132353042434139454231303631444331343933323736384141.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.6 EUR
10+6.25 EUR
120+5.24 EUR
510+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W5,S1VF TK39N60W5,S1VF Toshiba 4134444443393846374433354330354232304531433544444631383538313134.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.02 EUR
10+6.71 EUR
120+6.18 EUR
510+5.39 EUR
2520+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.82 EUR
11+7.04 EUR
12+6.22 EUR
30+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.82 EUR
11+7.04 EUR
12+6.22 EUR
30+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.15 EUR
10+13.61 EUR
30+12.31 EUR
120+11.34 EUR
300+10.8 EUR
900+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+25.07 EUR
4+20.09 EUR
10+15.02 EUR
30+13.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.07 EUR
4+20.09 EUR
10+15.02 EUR
30+13.5 EUR
120+12.53 EUR
300+12 EUR
900+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.27 EUR
68+1.06 EUR
85+0.84 EUR
113+0.64 EUR
125+0.57 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
68+1.06 EUR
85+0.84 EUR
113+0.64 EUR
125+0.57 EUR
250+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM09N60C2 WMM09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
182+0.39 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM09N60C2 WMM09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
182+0.39 EUR
203+0.35 EUR
800+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN09N60C2 WMN09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN09N60C2 WMN09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.65 EUR
100+0.72 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-A9N6-0404D XR-A9N6-0404D Quantic X-Microwave RF Development Tools High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778]
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+173.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E ON Semiconductor fcp099n60e-d.pdf
auf Bestellung 770 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N fairchild FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2011+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA19N60 fqa19n60-d.pdf
auf Bestellung 24590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSL9N60A IR 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60A IR 07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60A IR SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS29N60LPBF IRFPS29N60L%2CSiHFPS29N60L.pdf
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF IR sihs9n60.pdf 2006
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH39N60
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1 97548.pdf
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH=FQPF10N6
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH=FQP10N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PFB9N60
auf Bestellung 2332 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60A
Produktcode: 77974
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irfs9n60a_datasheet.pdf
IRFS9N60A
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar: 4 Stück
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT199N60 FCMT199N60-D.pdf
FCMT199N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 199mohm 600V SuperFET2
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.87 EUR
10+6.21 EUR
100+4.49 EUR
500+4.47 EUR
1000+4.44 EUR
3000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 FCMT299N60-D.pdf
FCMT299N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.16 EUR
10+5.19 EUR
100+3.73 EUR
500+3.59 EUR
1000+3.48 EUR
3000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.46 EUR
10+3.56 EUR
100+2.78 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF-BE3 91103.pdf
IRFB9N60APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.47 EUR
10+2.09 EUR
100+1.99 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.88 EUR
5000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.75 EUR
10+2.43 EUR
100+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.72 EUR
10+4.28 EUR
100+3.2 EUR
500+3.1 EUR
800+2.38 EUR
2400+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.16 EUR
10+4.59 EUR
100+3.26 EUR
500+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCW099N60SH-BP MCW099N60SH_TO_247_.pdf
MCW099N60SH-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.29 EUR
10+5.21 EUR
100+4.29 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.29 EUR
1800+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N60S5F NTHL019N60S5F-D.PDF
NTHL019N60S5F
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600 V, 75 A, 19 mohm, TO-247
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.85 EUR
10+19.78 EUR
120+17.02 EUR
510+16.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5-D.PDF
NTHL099N60S5
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive, 600 V, 33 A, 99 mohm, TO-247
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.2 EUR
10+6.44 EUR
120+5.24 EUR
1020+5.23 EUR
2520+5.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
PJMF099N60EC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.11 EUR
10+4.86 EUR
100+4.07 EUR
500+3.87 EUR
1000+3.64 EUR
2500+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH099N60EC_T0_00601 C7DA8B48387405CDB30D1C21C6DE548F3F4E86D76DDE487A7CEA756F9D630321.pdf
PJMH099N60EC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.84 EUR
10+8.01 EUR
120+6.46 EUR
510+5.76 EUR
1020+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC.pdf
PJMP099N60EC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1997 Stücke:
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1+11.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
SIHD9N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2685 Stücke:
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1+4.17 EUR
10+2.68 EUR
100+1.88 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
SIHFS9N60A-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
auf Bestellung 850 Stücke:
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1+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+2.08 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1470 Stücke:
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1+17.21 EUR
10+10.75 EUR
100+10.52 EUR
500+10.33 EUR
1000+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3 tf-sihg039n60ef-ge3.pdf
SIHG039N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
auf Bestellung 181 Stücke:
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1+16.02 EUR
10+13.31 EUR
100+10.05 EUR
500+9.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
STD9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 2616 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.13 EUR
10+1.47 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.83 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 5.5A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 en.DM00080324.pdf
STU9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.75 EUR
10+1.06 EUR
100+0.97 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099N60Z1,S1F TK099N60Z1_datasheet_en_20240826.pdf?did=159763&prodName=TK099N60Z1
TK099N60Z1,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
1+7.48 EUR
10+5.47 EUR
120+3.66 EUR
510+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W,S1VF 3031353231414132353042434139454231303631444331343933323736384141.pdf
TK39N60W,S1VF
Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.6 EUR
10+6.25 EUR
120+5.24 EUR
510+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W5,S1VF 4134444443393846374433354330354232304531433544444631383538313134.pdf
TK39N60W5,S1VF
Hersteller: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.02 EUR
10+6.71 EUR
120+6.18 EUR
510+5.39 EUR
2520+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281
TK39N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.82 EUR
11+7.04 EUR
12+6.22 EUR
30+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281
TK39N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.82 EUR
11+7.04 EUR
12+6.22 EUR
30+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.15 EUR
10+13.61 EUR
30+12.31 EUR
120+11.34 EUR
300+10.8 EUR
900+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.07 EUR
4+20.09 EUR
10+15.02 EUR
30+13.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.07 EUR
4+20.09 EUR
10+15.02 EUR
30+13.5 EUR
120+12.53 EUR
300+12 EUR
900+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b
WMK09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
68+1.06 EUR
85+0.84 EUR
113+0.64 EUR
125+0.57 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b
WMK09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
68+1.06 EUR
85+0.84 EUR
113+0.64 EUR
125+0.57 EUR
250+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
WMM09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
182+0.39 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
WMM09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
182+0.39 EUR
203+0.35 EUR
800+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b
WMN09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b
WMN09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
100+0.72 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-A9N6-0404D
XR-A9N6-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778]
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+173.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E fcp099n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: fairchild
2011+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA19N60 fqa19n60-d.pdf
auf Bestellung 24590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSL9N60A
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A-PBF
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60A
Hersteller: IR
07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60A
Hersteller: IR
SOT-223
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS29N60LPBF IRFPS29N60L%2CSiHFPS29N60L.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Hersteller: IR
2006
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH39N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MDF9N60TH
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MDF9N60TH=FQPF10N6
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MDP9N60TH
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MDP9N60TH=FQP10N60
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PFB9N60
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