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IRFS9N60A IRFS9N60A
Produktcode: 77974
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Vishay irfs9n60a_datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar: 4 Stück
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT199N60 FCMT199N60 onsemi / Fairchild fcmt199n60-d.pdf MOSFETs 199mohm 600V SuperFET2
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FCMT299N60 FCMT299N60 onsemi / Fairchild fcmt299n60-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E FCP099N60E onsemi / Fairchild FCP099N60E_D-1805606.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Slow version
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
auf Bestellung 897 Stücke:
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44+1.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 897 Stücke:
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20+3.7 EUR
44+1.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFB9N60APBF-BE3 IRFB9N60APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
auf Bestellung 131 Stücke:
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFS9N60ATRRPBF IRFS9N60ATRRPBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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MCW099N60SH-BP MCW099N60SH-BP Micro Commercial Components (MCC) MCW099N60SH_TO_247_-3536279.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
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1000+3.43 EUR
1800+3.41 EUR
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NTHL019N60S5F NTHL019N60S5F onsemi nthl019n60s5f-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FRFET 19MOHM TO-247-3
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120+20.12 EUR
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NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 onsemi nthl099n60s5-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
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120+5.9 EUR
510+5.74 EUR
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PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC_T0_00601 Panjit PJMF099N60EC-3385789.pdf MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
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100+4.26 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.82 EUR
2500+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH099N60EC_T0_00601 PJMH099N60EC_T0_00601 Panjit PJMH099N60EC-3472440.pdf MOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 840 Stücke:
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1+11.33 EUR
10+8.38 EUR
120+6.76 EUR
510+6.02 EUR
1020+5.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC_T0_00601 Panjit PJMP099N60EC-3385796.pdf MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1997 Stücke:
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10+6.85 EUR
100+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihd9n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2685 Stücke:
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1+4.26 EUR
10+2.76 EUR
100+1.97 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 SIHFS9N60A-GE3 Vishay / Siliconix sihs9n60.pdf MOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
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1+4.68 EUR
10+3.03 EUR
100+2.16 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg039n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.04 EUR
10+11.09 EUR
500+10.82 EUR
1000+9.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 Vishay / Siliconix tf-sihg039n60ef-ge3.pdf MOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.36 EUR
10+11.84 EUR
100+10.49 EUR
500+9.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 2626 Stücke:
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2+2.2 EUR
10+1.54 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.83 EUR
100+1.36 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL9N60M2 STL9N60M2 STMicroelectronics en.DM00102384.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+2.15 EUR
100+1.62 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.28 EUR
3000+1.08 EUR
6000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 STU9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.21 EUR
100+1.05 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF Toshiba TK39N60W_datasheet_en_20131226-1140096.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.98 EUR
10+7.41 EUR
120+5.47 EUR
510+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F TK39N60X,S1F Toshiba TK39N60X_datasheet_en_20140228-1915994.pdf MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.5 EUR
10+8.76 EUR
120+7.53 EUR
510+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.45 EUR
12+6.06 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.45 EUR
12+6.06 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.35 EUR
7+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+26.91 EUR
6+12.51 EUR
7+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
79+0.91 EUR
105+0.68 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM09N60C2 WMM09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.77 EUR
163+0.44 EUR
184+0.39 EUR
260+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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WMN09N60C2 WMN09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FSL9N60A IR 09+
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IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
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IRFL9N60A IR 07+ SOT-223
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IRFL9N60A IR SOT-223
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IXFH39N60
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MDF9N60TH
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MDF9N60TH=FQPF10N6
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MDP9N60TH
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MDP9N60TH=FQP10N60
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PFB9N60
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PHB9N60E
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PHP9N60E
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PHW9N60E
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SIHFIB9N60A-E3
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SKP9N60
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STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf
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IRFS9N60A
Produktcode: 77974
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irfs9n60a_datasheet.pdf
IRFS9N60A
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar: 4 Stück
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
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FCMT199N60 fcmt199n60-d.pdf
FCMT199N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 199mohm 600V SuperFET2
auf Bestellung 5111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.8 EUR
10+6.32 EUR
100+4.7 EUR
500+4.68 EUR
1000+4.22 EUR
3000+3.96 EUR
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FCMT299N60 fcmt299n60-d.pdf
FCMT299N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.66 EUR
10+5.37 EUR
100+3.89 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.4 EUR
3000+3.19 EUR
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FCP099N60E FCP099N60E_D-1805606.pdf
FCP099N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Slow version
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.45 EUR
10+5.24 EUR
100+4.84 EUR
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IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.7 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.7 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.24 EUR
10+2.27 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.06 EUR
2000+1.97 EUR
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IRFB9N60APBF-BE3 91103.pdf
IRFB9N60APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.33 EUR
10+2.27 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.97 EUR
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IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.13 EUR
10+2.59 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.39 EUR
5000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.54 EUR
10+4.21 EUR
100+3.27 EUR
500+2.62 EUR
800+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.32 EUR
10+4.56 EUR
100+3.41 EUR
500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCW099N60SH-BP MCW099N60SH_TO_247_-3536279.pdf
MCW099N60SH-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.62 EUR
10+5.46 EUR
100+4.51 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.43 EUR
1800+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N60S5F nthl019n60s5f-d.pdf
NTHL019N60S5F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FRFET 19MOHM TO-247-3
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.8 EUR
10+21.37 EUR
120+20.12 EUR
510+18.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
NTHL099N60S5
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.63 EUR
10+6.74 EUR
120+5.9 EUR
510+5.74 EUR
1020+5.49 EUR
2520+5.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC-3385789.pdf
PJMF099N60EC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.44 EUR
10+5.09 EUR
100+4.26 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.82 EUR
2500+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH099N60EC_T0_00601 PJMH099N60EC-3472440.pdf
PJMH099N60EC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.33 EUR
10+8.38 EUR
120+6.76 EUR
510+6.02 EUR
1020+5.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC-3385796.pdf
PJMP099N60EC_T0_00601
Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.77 EUR
10+6.85 EUR
100+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
SIHD9N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.26 EUR
10+2.76 EUR
100+1.97 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
SIHFS9N60A-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.68 EUR
10+3.03 EUR
100+2.16 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.04 EUR
10+11.09 EUR
500+10.82 EUR
1000+9.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3 tf-sihg039n60ef-ge3.pdf
SIHG039N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.36 EUR
10+11.84 EUR
100+10.49 EUR
500+9.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
STD9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.54 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.39 EUR
10+1.83 EUR
100+1.36 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL9N60M2 en.DM00102384.pdf
STL9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.15 EUR
10+2.15 EUR
100+1.62 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.28 EUR
3000+1.08 EUR
6000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 en.DM00080324.pdf
STU9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.76 EUR
10+1.21 EUR
100+1.05 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W,S1VF TK39N60W_datasheet_en_20131226-1140096.pdf
TK39N60W,S1VF
Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.98 EUR
10+7.41 EUR
120+5.47 EUR
510+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F TK39N60X_datasheet_en_20140228-1915994.pdf
TK39N60X,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.5 EUR
10+8.76 EUR
120+7.53 EUR
510+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281
TK39N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
12+6.06 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281
TK39N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
12+6.06 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.35 EUR
7+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.91 EUR
6+12.51 EUR
7+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b
WMK09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
79+0.91 EUR
105+0.68 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
WMM09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
163+0.44 EUR
184+0.39 EUR
260+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDB96FF4996A0C4&compId=WMK09N60C2.pdf?ci_sign=f97a5882064f47d4725c3b36f729e0b42c4e931b
WMN09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E fcp099n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: fairchild
2011+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA19N60 fqa19n60-d.pdf
auf Bestellung 24590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSL9N60A
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A-PBF
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60A
Hersteller: IR
07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60A
Hersteller: IR
SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS29N60LPBF IRFPS29N60L%2CSiHFPS29N60L.pdf
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Hersteller: IR
2006
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH39N60
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1 97548.pdf
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH=FQPF10N6
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH=FQP10N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PFB9N60
auf Bestellung 2332 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHB9N60E
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHP9N60E
auf Bestellung 6368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHW9N60E
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB9N60A-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKP9N60
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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