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AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1 Infineon Technologies infineon_aigbg15n120s7_datasheet_en.pdf IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.05 EUR
100+3.77 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1 Infineon Technologies AIGBG15N120S7ATMA1.pdf Description: AIGBG15N120S7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 93 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.02 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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AIKWH15N120CS7XKSA1 AIKWH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1+10.97 EUR
10+7.33 EUR
100+4.76 EUR
480+4.21 EUR
2640+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH15N120CS7XKSA1 AIKWH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2+11.21 EUR
10+7.49 EUR
240+4.84 EUR
720+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH15N120CS7XKSA1 AIKZH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2+12.73 EUR
30+7.28 EUR
120+6.08 EUR
510+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH15N120CS7XKSA1 AIKZH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 681 Stücke:
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1+12.79 EUR
10+8.57 EUR
100+6.89 EUR
480+6.12 EUR
1200+5.02 EUR
2640+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 1049 Stücke:
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1+6.53 EUR
10+4.27 EUR
100+2.98 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.34 EUR
100+3.03 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon info-tigw15n120h3.pdf Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies infineon_ihw15n120e1_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
480+2.15 EUR
1200+2 EUR
2640+1.89 EUR
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IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon info-tihw15n120r3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+4.36 EUR
100+3.06 EUR
480+2.53 EUR
1200+2.37 EUR
2640+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 127W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 346ns
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies infineon_ihw15n120r3_datasheet_en.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.43 EUR
10+5.34 EUR
100+4.57 EUR
480+3.96 EUR
1200+3.75 EUR
2640+3.47 EUR
5040+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw15n120bh6_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.66 EUR
10+4.27 EUR
100+2.53 EUR
480+2.31 EUR
1200+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
30+5.76 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.65 EUR
10+5.63 EUR
100+4.55 EUR
480+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon info-tikw15n120t2.pdf IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+6.85 EUR
100+5.19 EUR
480+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG15N120AI JIAENSEMI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI TJNG15n120ai
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG15N120HS2 JIAENSEMI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 TJNG15n120hs2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ngtb15n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
auf Bestellung 4987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf IGBTs 1200V/15A IGBT LPT TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+5.15 EUR
120+3.81 EUR
510+3.2 EUR
1020+2.98 EUR
2520+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
auf Bestellung 9317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.27 EUR
22+0.14 EUR
50+0.096 EUR
100+0.083 EUR
500+0.061 EUR
2000+0.05 EUR
4000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.48 EUR
18+0.17 EUR
100+0.094 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.046 EUR
2500+0.03 EUR
5000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
auf Bestellung 9017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.32 EUR
27+0.12 EUR
100+0.063 EUR
500+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
2500+0.021 EUR
5000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
auf Bestellung 27702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.27 EUR
36+0.083 EUR
54+0.057 EUR
100+0.048 EUR
500+0.033 EUR
2000+0.031 EUR
4000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP15N120XKSA1 SGP15N120XKSA1 Infineon SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 Транзистори
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+17.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.22 EUR
10+11.77 EUR
120+8.88 EUR
510+8.33 EUR
1020+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.31 EUR
10+42.28 EUR
120+32.74 EUR
510+32.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.13 EUR
30+47.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 45A; 197W; 4,5V~6,1V; 89nC; -40°C~175°C; YGW15N120TMA1 TYGW15n120tma1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI15N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANFD
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANTD
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 34010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
auf Bestellung 26730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
auf Bestellung 100084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KGH15N120NDA KEC 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KL732B-15NG-T 15N-1206 KOA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG15N120S7ATMA1 infineon_aigbg15n120s7_datasheet_en.pdf
AIGBG15N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.69 EUR
10+5.05 EUR
100+3.77 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1.pdf
AIGBG15N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AIGBG15N120S7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 93 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.66 EUR
10+5.02 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKWH15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.97 EUR
10+7.33 EUR
100+4.76 EUR
480+4.21 EUR
2640+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKWH15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.21 EUR
10+7.49 EUR
240+4.84 EUR
720+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKZH15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.73 EUR
30+7.28 EUR
120+6.08 EUR
510+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKZH15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.79 EUR
10+8.57 EUR
100+6.89 EUR
480+6.12 EUR
1200+5.02 EUR
2640+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.53 EUR
10+4.27 EUR
100+2.98 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.68 EUR
10+4.34 EUR
100+3.03 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 info-tigw15n120h3.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 infineon_ihw15n120e1_datasheet_en.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.82 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
480+2.15 EUR
1200+2 EUR
2640+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3 info-tihw15n120r3.pdf
IHW15N120R3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN.pdf
IHW15N120R3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.68 EUR
10+4.36 EUR
100+3.06 EUR
480+2.53 EUR
1200+2.37 EUR
2640+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 127W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 346ns
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 infineon_ihw15n120r3_datasheet_en.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.43 EUR
10+5.34 EUR
100+4.57 EUR
480+3.96 EUR
1200+3.75 EUR
2640+3.47 EUR
5040+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 infineon_ikw15n120bh6_datasheet_en.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.66 EUR
10+4.27 EUR
100+2.53 EUR
480+2.31 EUR
1200+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.25 EUR
30+5.76 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.65 EUR
10+5.63 EUR
100+4.55 EUR
480+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2 info-tikw15n120t2.pdf
IKW15N120T2
Hersteller: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW15N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.77 EUR
10+6.85 EUR
100+5.19 EUR
480+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG15N120AI JIAENSEMI
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI TJNG15n120ai
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG15N120HS2 JIAENSEMI
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 TJNG15n120hs2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.66 EUR
10+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
auf Bestellung 4987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/15A IGBT LPT TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.85 EUR
10+5.15 EUR
120+3.81 EUR
510+3.2 EUR
1020+2.98 EUR
2520+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
auf Bestellung 9317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.27 EUR
22+0.14 EUR
50+0.096 EUR
100+0.083 EUR
500+0.061 EUR
2000+0.05 EUR
4000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120G500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120G500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.48 EUR
18+0.17 EUR
100+0.094 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.046 EUR
2500+0.03 EUR
5000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
auf Bestellung 9017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.32 EUR
27+0.12 EUR
100+0.063 EUR
500+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
2500+0.021 EUR
5000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
auf Bestellung 27702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.27 EUR
36+0.083 EUR
54+0.057 EUR
100+0.048 EUR
500+0.033 EUR
2000+0.031 EUR
4000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
SGP15N120XKSA1
Hersteller: Infineon
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 Транзистори
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.22 EUR
10+11.77 EUR
120+8.88 EUR
510+8.33 EUR
1020+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Hersteller: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.31 EUR
10+42.28 EUR
120+32.74 EUR
510+32.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+71.13 EUR
30+47.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 45A; 197W; 4,5V~6,1V; 89nC; -40°C~175°C; YGW15N120TMA1 TYGW15n120tma1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI15N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANFD
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANTD
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 34010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA15N120ANTDTU_F109
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 26730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Hersteller: INFINEON
MODULE
auf Bestellung 100084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH15N120CD1
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KGH15N120NDA
Hersteller: KEC
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KL732B-15NG-T 15N-1206
Hersteller: KOA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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