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HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.74 EUR
10+4.49 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.74 EUR
10+4.45 EUR
100+3.15 EUR
500+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.34 EUR
100+2.75 EUR
480+2.53 EUR
1200+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.42 EUR
22+3.39 EUR
27+2.69 EUR
29+2.53 EUR
30+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
22+3.39 EUR
27+2.69 EUR
29+2.53 EUR
30+2.5 EUR
120+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.05 EUR
30+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.9 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.9 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
120+1.67 EUR
240+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.51 EUR
30+2.44 EUR
120+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.16 EUR
480+1.81 EUR
1200+1.56 EUR
2640+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.13 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
10080+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.16 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.16 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.09 EUR
30+2.76 EUR
120+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.23 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.11 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.69 EUR
23+3.15 EUR
32+2.26 EUR
33+2.2 EUR
34+2.13 EUR
35+2.07 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.69 EUR
23+3.15 EUR
32+2.26 EUR
33+2.2 EUR
34+2.13 EUR
35+2.07 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.35 EUR
10+3.31 EUR
100+2.71 EUR
480+2.11 EUR
1200+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.62 EUR
30+4.27 EUR
120+3.53 EUR
510+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+4.28 EUR
100+3.54 EUR
480+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+5.03 EUR
100+4 EUR
480+3.56 EUR
1200+3.04 EUR
2640+2.87 EUR
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IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.48 EUR
16+4.62 EUR
17+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.99 EUR
10+4.72 EUR
100+3.87 EUR
480+3.38 EUR
1200+3.13 EUR
2640+2.94 EUR
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IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
30+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.37 EUR
10+4.95 EUR
100+3.47 EUR
480+2.8 EUR
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IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.84 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
120+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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JNG15N120AI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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JNG15N120HS2 JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.37 EUR
34+2.13 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
240+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA(TO-247AB).pdf IGBTs
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.37 EUR
10+4.88 EUR
100+3.82 EUR
500+3.4 EUR
1000+2.99 EUR
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MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88 Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Manufacturer series: MT15
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 12pF
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.0036 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 138769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.79 EUR
30+6.21 EUR
120+5.21 EUR
510+4.47 EUR
1020+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+6.23 EUR
120+5.12 EUR
420+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
119+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 119
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NGTB15N120IHRWG NGTB15N120IHRWG onsemi ngtb15n120ihr-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 13477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
130+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
auf Bestellung 4987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
169+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
121+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 121
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RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
auf Bestellung 20492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.23 EUR
31+0.092 EUR
100+0.053 EUR
500+0.042 EUR
1000+0.033 EUR
2500+0.03 EUR
5000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
40+0.072 EUR
100+0.042 EUR
500+0.032 EUR
1000+0.026 EUR
2500+0.023 EUR
5000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
auf Bestellung 10337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
30+0.097 EUR
100+0.053 EUR
500+0.033 EUR
1000+0.026 EUR
2500+0.018 EUR
5000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
30+0.097 EUR
100+0.053 EUR
500+0.033 EUR
1000+0.026 EUR
2500+0.018 EUR
5000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
85+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.83 EUR
150+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.52 EUR
10+13.57 EUR
120+12.28 EUR
510+12.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.63 EUR
30+12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+117.13 EUR
10+99.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.83 EUR
30+95.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGW15N120H3 Infineon Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+19.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI15N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.74 EUR
10+4.49 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.74 EUR
10+4.45 EUR
100+3.15 EUR
500+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3 INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW15N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.07 EUR
10+3.34 EUR
100+2.75 EUR
480+2.53 EUR
1200+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
22+3.39 EUR
27+2.69 EUR
29+2.53 EUR
30+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
22+3.39 EUR
27+2.69 EUR
29+2.53 EUR
30+2.5 EUR
120+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.05 EUR
30+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
120+1.67 EUR
240+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.51 EUR
30+2.44 EUR
120+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.16 EUR
480+1.81 EUR
1200+1.56 EUR
2640+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.13 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
10080+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.09 EUR
30+2.76 EUR
120+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.23 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.11 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
23+3.15 EUR
32+2.26 EUR
33+2.2 EUR
34+2.13 EUR
35+2.07 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
23+3.15 EUR
32+2.26 EUR
33+2.2 EUR
34+2.13 EUR
35+2.07 EUR
120+2.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.35 EUR
10+3.31 EUR
100+2.71 EUR
480+2.11 EUR
1200+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.62 EUR
30+4.27 EUR
120+3.53 EUR
510+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.64 EUR
10+4.28 EUR
100+3.54 EUR
480+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW15N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.6 EUR
10+5.03 EUR
100+4 EUR
480+3.56 EUR
1200+3.04 EUR
2640+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.48 EUR
16+4.62 EUR
17+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.99 EUR
10+4.72 EUR
100+3.87 EUR
480+3.38 EUR
1200+3.13 EUR
2640+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.52 EUR
30+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2
Hersteller: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2 Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW15N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.37 EUR
10+4.95 EUR
100+3.47 EUR
480+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
120+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
94+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG15N120AI
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG15N120HS2
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
34+2.13 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
240+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA(TO-247AB).pdf
MIW15N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.37 EUR
10+4.88 EUR
100+3.82 EUR
500+3.4 EUR
1000+2.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT15N120J500CT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88
MT15N120J500CT
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Manufacturer series: MT15
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 12pF
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20000+0.0036 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 138769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.79 EUR
30+6.21 EUR
120+5.21 EUR
510+4.47 EUR
1020+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W-D.PDF
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.75 EUR
10+6.23 EUR
120+5.12 EUR
420+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
119+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
NGTB15N120IHRWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 13477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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130+3.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
auf Bestellung 4987 Stücke:
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Anzahl Preis
169+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
NGTG15N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
auf Bestellung 20492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
31+0.092 EUR
100+0.053 EUR
500+0.042 EUR
1000+0.033 EUR
2500+0.03 EUR
5000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120G500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120G500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
auf Bestellung 1729 Stücke:
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Anzahl Preis
14+0.21 EUR
40+0.072 EUR
100+0.042 EUR
500+0.032 EUR
1000+0.026 EUR
2500+0.023 EUR
5000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
auf Bestellung 10337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.27 EUR
30+0.097 EUR
100+0.053 EUR
500+0.033 EUR
1000+0.026 EUR
2500+0.018 EUR
5000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
auf Bestellung 3085 Stücke:
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Anzahl Preis
11+0.27 EUR
30+0.097 EUR
100+0.053 EUR
500+0.033 EUR
1000+0.026 EUR
2500+0.018 EUR
5000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 626 Stücke:
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Anzahl Preis
85+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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66+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 198 Stücke:
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Anzahl Preis
50+4.83 EUR
150+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.52 EUR
10+13.57 EUR
120+12.28 EUR
510+12.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.63 EUR
30+12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Hersteller: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 43 Stücke:
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Anzahl Preis
1+117.13 EUR
10+99.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+116.83 EUR
30+95.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGW15N120H3
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI15N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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