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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+ 0.44 EUR
10000+ 0.41 EUR
12500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4 MJD31CT4 STMICROELECTRONICS 2307323.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics en.CD00158496.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics en.CD00158496.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics cd0015849.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics cd0015849.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics cd0015849.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics cd0015849.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMicroelectronics mjd31ct4_a-1849697.pdf Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
auf Bestellung 4378 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
28+ 1.88 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.11 EUR
2500+ 1.06 EUR
5000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 23
MJD31CT4-A MJD31CT4-A STMICROELECTRONICS 2309957.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G ON-Semicoductor mjd31-d.pdf Darl. NPN 3A 100V 1.55W MJD31CRLG(T&R), MJD31CT4G(T&R), MJD31CG(Tube) MJD31CG ONS TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
MJD31CT4G MJD31CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.91 EUR
202+ 0.75 EUR
439+ 0.33 EUR
443+ 0.32 EUR
448+ 0.3 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 172
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4G MJD31CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.36 EUR
443+ 0.34 EUR
448+ 0.32 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 439
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4G MJD31CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G MJD31CT4G onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 24413 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
36+1.45 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.55 EUR
2500+ 0.46 EUR
10000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated MJD31CUQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 239480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated MJD31CUQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 237500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ-13 Diodes Zetex mjd31cuq.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 237500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004140727_1-2542452.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+1.6 EUR
38+ 1.39 EUR
100+ 0.96 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.68 EUR
2500+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 33
MJD31C FAIRCHILD en.CD00000831.pdf TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31C FAIRCHILD en.CD00000831.pdf 07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31C-ITU
auf Bestellung 20150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CRL ON mjd31-d.pdf SOT252/2.5
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CT4 STMicroelectronics NV en.CD00000831.pdf mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4GMJD32CG
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CTF MJD31C.pdf
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD31CG NJVMJD31CG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
150+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NJVMJD31CG NJVMJD31CG onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.38 EUR
42+ 1.25 EUR
75+ 0.81 EUR
525+ 0.68 EUR
1050+ 0.66 EUR
1875+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NJVMJD31CRLG NJVMJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
NJVMJD31CRLG NJVMJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NJVMJD31CRLG onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 14504 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
49+ 1.07 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.71 EUR
1800+ 0.63 EUR
3600+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.64 EUR
36+ 1.46 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.73 EUR
2500+ 0.63 EUR
5000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 32
MJD31CG MJD31CG
Produktcode: 117657 		mjd31-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C MJD31C STMicroelectronics en.CD00000831.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C MJD31C onsemi / Fairchild MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C MJD31C Fairchild Semiconductor 3657887038697504mjd32c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C MJD31C STMicroelectronics mjd31c-1849937.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C MJD31C ON Semiconductor 3657887038697504mjd32c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Inc 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C-TP MJD31C-TP Micro Commercial Co MJD31C(DPAK).pdf Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C-TP MJD31C-TP Micro Commercial Components mjd31cdpak.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31C-TP Micro Commercial Components (MCC) MJD31C(DPAK).pdf Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
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MJD31C1 MJD31C1 onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C1G MJD31C1G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31C1G MJD31C1G ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia mjd31ca.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia mjd31ca.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA mjd31ca.pdf 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
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MJD31CEITU ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CETF ON Semiconductor nods.pdf NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.47 EUR
5000+ 0.44 EUR
10000+ 0.41 EUR
12500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4 2307323.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4-A en.CD00158496.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4-A en.CD00158496.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.74 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD31CT4-A cd0015849.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.64 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4-A cd0015849.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4-A cd0015849.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4-A cd0015849.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.64 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4-A mjd31ct4_a-1849697.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
auf Bestellung 4378 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.35 EUR
28+ 1.88 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.11 EUR
2500+ 1.06 EUR
5000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 23
MJD31CT4-A 2309957.pdf
MJD31CT4-A
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Darl. NPN 3A 100V 1.55W MJD31CRLG(T&R), MJD31CT4G(T&R), MJD31CG(Tube) MJD31CG ONS TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+0.99 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
172+0.91 EUR
202+ 0.75 EUR
439+ 0.33 EUR
443+ 0.32 EUR
448+ 0.3 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 172
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4G ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
439+0.36 EUR
443+ 0.34 EUR
448+ 0.32 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 439
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4G ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4G MJD31_D-2315971.pdf
MJD31CT4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 24413 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+1.45 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.55 EUR
2500+ 0.46 EUR
10000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ.pdf
MJD31CUQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 239480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.09 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ.pdf
MJD31CUQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 237500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CUQ-13 mjd31cuq.pdf
MJD31CUQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 237500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CUQ-13 DIOD_S_A0004140727_1-2542452.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+1.6 EUR
38+ 1.39 EUR
100+ 0.96 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.68 EUR
2500+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 33
MJD31C en.CD00000831.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31C en.CD00000831.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31C-ITU
auf Bestellung 20150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CRL mjd31-d.pdf
Hersteller: ON
SOT252/2.5
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CT4 en.CD00000831.pdf mjd31-d.pdf
Hersteller: STMicroelectronics NV
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4GMJD32CG
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CTF MJD31C.pdf
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD31CG mjd31-d.pdf
NJVMJD31CG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+1.02 EUR
150+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NJVMJD31CG MJD31_D-2315971.pdf
NJVMJD31CG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.38 EUR
42+ 1.25 EUR
75+ 0.81 EUR
525+ 0.68 EUR
1050+ 0.66 EUR
1875+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NJVMJD31CRLG mjd31-d.pdf
NJVMJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
NJVMJD31CRLG mjd31-d.pdf
NJVMJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
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NJVMJD31CRLG MJD31_D-2315971.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
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NJVMJD31CT4G MJD31_D-2315971.pdf
NJVMJD31CT4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
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500+ 0.85 EUR
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2500+ 0.63 EUR
5000+ 0.6 EUR
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MJD31CG
Produktcode: 117657		 mjd31-d.pdf
MJD31CG
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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MJD31C en.CD00000831.pdf
MJD31C
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
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MJD31C MJD31_D-2315971.pdf
MJD31C
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
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MJD31C 3657887038697504mjd32c.pdf
MJD31C
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD31C mjd31c-1849937.pdf
MJD31C
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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MJD31C 3657887038697504mjd32c.pdf
MJD31C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Inc
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD31C-TP MJD31C(DPAK).pdf
MJD31C-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
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MJD31C-TP mjd31cdpak.pdf
MJD31C-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31C-TP MJD31C(DPAK).pdf
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
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MJD31C1 mjd31-d.pdf
MJD31C1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
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MJD31C1G mjd31-d.pdf
MJD31C1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
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MJD31C1G mjd31-d.pdf
MJD31C1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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MJD31CAJ mjd31ca.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31CAJ mjd31ca.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31CAJ mjd31ca.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
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MJD31CEITU mjd31ce-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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MJD31CETF nods.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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