Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25435) > Seite 162 nach 424
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ES1F R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214ACCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
ES1FL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
ES1F M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
ES1FLHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHRHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHMQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHMTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
ES1FLHRTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
1N5255B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-35 Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28 V Operating Temperature: 100°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
SMAJ14CHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 400W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V Voltage - Breakdown (Min): 15.6V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
SMAJ14CHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 400W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V Voltage - Breakdown (Min): 15.6V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
SMAJ14HR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 400W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V Voltage - Breakdown (Min): 15.6V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
SMAJ14HR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 400W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V Voltage - Breakdown (Min): 15.6V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
P6SMB39A M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
P6SMB39AHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
P6SMB39AHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 600W Voltage - Breakdown (Min): 37.1V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
1KSMB39A M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1000W (1kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V Voltage - Breakdown (Min): 37.1V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
1KSMB39AHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
1KSMB39A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
1KSMB39AHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
S2JA R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
P4KE16CA R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
P4KE16CAHR1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
P4KE16CA A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO204AL Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 400W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V Voltage - Breakdown (Min): 15.2V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
P4KE16CAHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
P4KE16CA B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
P4KE16CAHB0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHRTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHRHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
RSFJLHMQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ES1F R3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL RVG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL RVG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1F M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL RQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHRQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHRVG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL RUG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FHR3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHR3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL RHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHRHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL MHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHMHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL MQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL MTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FL RTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHMQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHMTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1FLHRTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5255B A0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28 V
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28 V
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ14CHR3G |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ14CHR3G |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ14HR3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMAJ14HR3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6SMB39A M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6SMB39AHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6SMB39AHR5G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1KSMB39A M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1KSMB39AHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1KSMB39A R5G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1KSMB39AHR5G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2JA R3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| P4KE16CA R1G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4KE16CAHR1G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4KE16CA A0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO204AL
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO204AL
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4KE16CAHA0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4KE16CA B0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4KE16CAHB0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL RVG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL RVG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| RSFJL R3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL RQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL RTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHRQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHRTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL RUG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHR3G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL RHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHRHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL MHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHMHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL MQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJL MTG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSFJLHMQG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH