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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VCAN33A2-03SHE3-08 VCAN33A2-03SHE3-08 VISHAY VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
267+0.87 EUR
314+0.68 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN16A2-03S-E3-08 VCAN16A2-03S-E3-08 VISHAY VISH-S-A0018603704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 145W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
488+0.48 EUR
579+0.37 EUR
758+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN33A2-03S-E3-08 VCAN33A2-03S-E3-08 VISHAY VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.87 EUR
477+0.49 EUR
752+0.29 EUR
1012+0.21 EUR
1145+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN16A2-03GHE3-08 VCAN16A2-03GHE3-08 VISHAY VISH-S-A0025448628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
550+0.42 EUR
654+0.33 EUR
870+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN33A2-03GHE3-08 VCAN33A2-03GHE3-08 VISHAY VISH-S-A0025448631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 16604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
459+0.51 EUR
730+0.3 EUR
944+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 VISHAY sir165dp.pdf Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 4922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
87+2.67 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR158DP-T1-RE3 SIR158DP-T1-RE3 VISHAY 2259366.pdf Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
43+5.4 EUR
100+4.87 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR167DP-T1-GE3 SIR167DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
108+2.17 EUR
120+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3 VISHAY 2687542.pdf Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
98+2.39 EUR
125+1.73 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY 2687524.pdf Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
179+1.3 EUR
277+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA18BDN-T1-GE3 SISA18BDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
auf Bestellung 5665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
152+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 VISHAY sisa04dn.pdf Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 6955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
91+2.55 EUR
135+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY sira18bdp.pdf Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 17W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
321+0.73 EUR
364+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013329332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.02 EUR
123+1.9 EUR
147+1.46 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY plzseries.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
893+0.26 EUR
2084+0.1 EUR
2381+0.09 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1049+0.24 EUR
1478+0.15 EUR
2681+0.08 EUR
3216+0.067 EUR
3691+0.058 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TZX5V1B-TAP TZX5V1B-TAP VISHAY VISH-S-A0023658947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 27585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.29 EUR
1257+0.19 EUR
3125+0.069 EUR
3803+0.056 EUR
4652+0.046 EUR
5715+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
893+0.26 EUR
2084+0.1 EUR
2381+0.09 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.26 EUR
1486+0.15 EUR
2519+0.084 EUR
3004+0.071 EUR
3290+0.065 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1049+0.24 EUR
1478+0.15 EUR
2681+0.08 EUR
3216+0.067 EUR
3691+0.058 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.26 EUR
1486+0.15 EUR
2519+0.084 EUR
3004+0.071 EUR
3290+0.065 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-1N3208 VS-1N3208 VISHAY vs-1n3208series.pdf Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CNS471A6 CNS471A6 VISHAY VISH-S-A0018701643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: ± 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: ± 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
isCanonical: Y
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Widerstand, R2: -
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+314.08 EUR
10+246.51 EUR
20+211.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3G-E3/57T RS3G-E3/57T VISHAY VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
213+1.09 EUR
306+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
593D105X9025A2TE3 593D105X9025A2TE3 VISHAY 593d.pdf Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
295+0.79 EUR
334+0.64 EUR
385+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG408DQ-T1-E3 DG408DQ-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0020654125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
250+3.47 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-60APH03L-N3 VS-60APH03L-N3 VISHAY VISH-S-A0008532333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
36+6.52 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RO116SF1D502 RO116SF1D502 VISHAY VISH-S-A0001109830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2526.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TNPU0805100RBZEN00 TNPU0805100RBZEN00 VISHAY VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
60+3.9 EUR
69+3.15 EUR
79+2.73 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL103B-GS08 LL103B-GS08 VISHAY VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
93+2.51 EUR
119+1.81 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
66+3.52 EUR
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
73+3.18 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
74+3.15 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 17283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
85+2.74 EUR
108+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 17283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
108+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
125+1.87 EUR
157+1.37 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
125+1.87 EUR
157+1.37 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 13965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
143+1.63 EUR
155+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
auf Bestellung 6157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
103+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
auf Bestellung 6157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
87+2.67 EUR
103+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 13965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
58+4.06 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
119+1.81 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY 2687527.pdf Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
143+1.63 EUR
155+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFC246804475 BFC246804475 VISHAY VISH-S-A0016863917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
50+8.63 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFC233810334 BFC233810334 VISHAY VISH-S-A0025511197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.9 EUR
49+4.81 EUR
55+3.94 EUR
61+3.56 EUR
67+3.21 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F339X143348KII2B0 F339X143348KII2B0 VISHAY f339x1480vac.pdf Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
25+9.6 EUR
29+7.54 EUR
34+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW020113K0FNED CRCW020113K0FNED VISHAY crcw0201e3.pdf Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 13kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
auf Bestellung 6550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3379+0.074 EUR
4879+0.048 EUR
5292+0.04 EUR
5682+0.038 EUR
6135+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW020113K0FNED. CRCW020113K0FNED. VISHAY 2238160.pdf Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZT52C4V7-E3-08 BZT52C4V7-E3-08 VISHAY VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 6176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.73 EUR
415+0.56 EUR
991+0.21 EUR
1159+0.19 EUR
1339+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZT52C4V7-E3-08 BZT52C4V7-E3-08 VISHAY VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 6206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.56 EUR
991+0.21 EUR
1159+0.19 EUR
1339+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN33A2-03SHE3-08 VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN33A2-03SHE3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.58 EUR
267+0.87 EUR
314+0.68 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN16A2-03S-E3-08 VISH-S-A0018603704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03S-E3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 145W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+1.12 EUR
488+0.48 EUR
579+0.37 EUR
758+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN33A2-03S-E3-08 VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN33A2-03S-E3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.87 EUR
477+0.49 EUR
752+0.29 EUR
1012+0.21 EUR
1145+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN16A2-03GHE3-08 VISH-S-A0025448628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03GHE3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
256+0.98 EUR
550+0.42 EUR
654+0.33 EUR
870+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCAN33A2-03GHE3-08 VISH-S-A0025448631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN33A2-03GHE3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 16604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+0.89 EUR
459+0.51 EUR
730+0.3 EUR
944+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR165DP-T1-GE3 sir165dp.pdf
SIR165DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 4922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.88 EUR
87+2.67 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR158DP-T1-RE3 2259366.pdf
SIR158DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+5.97 EUR
43+5.4 EUR
100+4.87 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR167DP-T1-GE3 VISH-S-A0011029482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR167DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.68 EUR
108+2.17 EUR
120+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS67DN-T1-GE3 2687542.pdf
SISS67DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
98+2.39 EUR
125+1.73 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10BDP-T1-GE3 2687524.pdf
SIRA10BDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.73 EUR
179+1.3 EUR
277+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA18BDN-T1-GE3 VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18BDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
auf Bestellung 5665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+2.65 EUR
152+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3 sisa04dn.pdf
SISA04DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 6955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+4.34 EUR
91+2.55 EUR
135+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18BDP-T1-GE3 sira18bdp.pdf
SIRA18BDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 17W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
321+0.73 EUR
364+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA04DN-T1-GE3 VISH-S-A0013329332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISHA04DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.02 EUR
123+1.9 EUR
147+1.46 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
893+0.26 EUR
2084+0.1 EUR
2381+0.09 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1049+0.24 EUR
1478+0.15 EUR
2681+0.08 EUR
3216+0.067 EUR
3691+0.058 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TZX5V1B-TAP VISH-S-A0023658947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TZX5V1B-TAP
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 27585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
885+0.29 EUR
1257+0.19 EUR
3125+0.069 EUR
3803+0.056 EUR
4652+0.046 EUR
5715+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1C-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
893+0.26 EUR
2084+0.1 EUR
2381+0.09 EUR
2778+0.077 EUR
5000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-HG3_A/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-HG3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
962+0.26 EUR
1486+0.15 EUR
2519+0.084 EUR
3004+0.071 EUR
3290+0.065 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1049+0.24 EUR
1478+0.15 EUR
2681+0.08 EUR
3216+0.067 EUR
3691+0.058 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1B-HG3_A/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-HG3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
962+0.26 EUR
1486+0.15 EUR
2519+0.084 EUR
3004+0.071 EUR
3290+0.065 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-1N3208 vs-1n3208series.pdf
VS-1N3208
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CNS471A6 VISH-S-A0018701643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CNS471A6
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: ± 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: ± 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
isCanonical: Y
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Widerstand, R2: -
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+314.08 EUR
10+246.51 EUR
20+211.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3G-E3/57T VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS3G-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
213+1.09 EUR
306+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
593D105X9025A2TE3 593d.pdf
593D105X9025A2TE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.57 EUR
295+0.79 EUR
334+0.64 EUR
385+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG408DQ-T1-E3 VISH-S-A0020654125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DG408DQ-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.69 EUR
250+3.47 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-60APH03L-N3 VISH-S-A0008532333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VS-60APH03L-N3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.02 EUR
36+6.52 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RO116SF1D502 VISH-S-A0001109830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RO116SF1D502
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2526.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TNPU0805100RBZEN00 VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TNPU0805100RBZEN00
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.05 EUR
60+3.9 EUR
69+3.15 EUR
79+2.73 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL103B-GS08 VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LL103B-GS08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+3.02 EUR
93+2.51 EUR
119+1.81 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR584DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR584DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.88 EUR
66+3.52 EUR
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3 VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826BDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
73+3.18 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.47 EUR
74+3.15 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3 VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826BDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR120DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR120DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 17283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.82 EUR
85+2.74 EUR
108+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880BDP-T1-RE3 VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR880BDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR120DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR120DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 17283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.74 EUR
108+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.34 EUR
125+1.87 EUR
157+1.37 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.34 EUR
125+1.87 EUR
157+1.37 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR5802DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 13965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
143+1.63 EUR
155+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880BDP-T1-RE3 VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR880BDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR122LDP-T1-RE3 VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
auf Bestellung 6157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.67 EUR
103+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR122LDP-T1-RE3 VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
auf Bestellung 6157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
87+2.67 EUR
103+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR5802DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 13965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.68 EUR
58+4.06 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
119+1.81 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3 2687527.pdf
SIRA62DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.46 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
143+1.63 EUR
155+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFC246804475 VISH-S-A0016863917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC246804475
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.38 EUR
50+8.63 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFC233810334 VISH-S-A0025511197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC233810334
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.9 EUR
49+4.81 EUR
55+3.94 EUR
61+3.56 EUR
67+3.21 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F339X143348KII2B0 f339x1480vac.pdf
F339X143348KII2B0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.88 EUR
25+9.6 EUR
29+7.54 EUR
34+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW020113K0FNED crcw0201e3.pdf
CRCW020113K0FNED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 13kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
auf Bestellung 6550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3379+0.074 EUR
4879+0.048 EUR
5292+0.04 EUR
5682+0.038 EUR
6135+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW020113K0FNED. 2238160.pdf
CRCW020113K0FNED.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZT52C4V7-E3-08 VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52C4V7-E3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 6176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
347+0.73 EUR
415+0.56 EUR
991+0.21 EUR
1159+0.19 EUR
1339+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZT52C4V7-E3-08 VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52C4V7-E3-08
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
auf Bestellung 6206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.56 EUR
991+0.21 EUR
1159+0.19 EUR
1339+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH