Produkte > WOLFSPEED, INC. > Alle Produkte des Herstellers WOLFSPEED, INC. (616) > Seite 11 nach 11
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| PXAE263708NB-V1-R0 | Wolfspeed, Inc. | Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| PXAE263708NB-V1-R2 | Wolfspeed, Inc. |
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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PXFC192207FH-V3-R0 | Wolfspeed, Inc. |
Description: RF MOSFET TRANSISTORSPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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PXFC192207FH-V3-R250 | Wolfspeed, Inc. |
Description: IC AMP RF LDMOSPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| PXFC192207NF-V1-R500 | Wolfspeed, Inc. |
Description: IC AMP RF LDMOSPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| QE4D02120E-TR | Wolfspeed, Inc. |
Description: 1200V SCHOTTKY Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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WAB300M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULEPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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WAB400M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 468A MODULEPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 468A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 400A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1040nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 106mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WAS175M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, MODULE, 175A, 1200V, 62MM,Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA Part Status: Active |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WAS300M12BM2 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULE |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| WAS300M12BM2T | Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, MODULE, 300A, 1200V, 62MM, |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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WAS310M17BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC 1700V 310APackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A Part Status: Active |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WAS350M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 417APackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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WAS530M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630APackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WAS530M12BM3T | Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM, |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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XCDLVA50200H | Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, SCHOTTKY, 50A, 2000V, TO-24 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PXAE263708NB-V1-R0 |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PXAE263708NB-V1-R2 |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PXFC192207FH-V3-R0 |
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PXFC192207FH-V3-R250 |
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PXFC192207NF-V1-R500 |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| QE4D02120E-TR |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WAB300M12BM3 |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WAB400M12BM3 |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 468A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 468A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1040nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 106mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 468A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 468A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1040nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 106mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1885.19 EUR |
| WAS175M12BM3 |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 175A, 1200V, 62MM,
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA
Part Status: Active
Description: SIC, MODULE, 175A, 1200V, 62MM,
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1187.14 EUR |
| WAS300M12BM2 |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULE
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WAS300M12BM2T |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 300A, 1200V, 62MM,
Description: SIC, MODULE, 300A, 1200V, 62MM,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WAS310M17BM3 |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 1700V 310A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A
Part Status: Active
Description: SIC 1700V 310A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1398.51 EUR |
| WAS350M12BM3 |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 417A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 417A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WAS530M12BM3 |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2056.75 EUR |
| WAS530M12BM3T |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
Description: SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH







