Produkte > DIODES INC. > Alle Produkte des Herstellers DIODES INC. (8514) > Seite 122 nach 142
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AP7381-33Y-13 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - AP7381-33Y-13 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.15A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 3Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 150mA MSL: MSL 3 - 168 Stunden Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsstrom, max.: 150mA euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: SOT-89 rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 3.3V IC-Gehäuse / Bauform: 0 Ausgangsspannung, max.: -V Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, min.: -V Dropout-Spannung Vdo: 1V Nennausgangsspannung: 3.3V Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
MMST2222A-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMST2222A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DMB53D0UV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: NPN + n-MOSFET Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DMB53D0UDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: NPN + n-MOSFET Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMB53D0UDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: NPN + n-MOSFET Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMB53D0UV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: NPN + n-MOSFET Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
74AHCT1G126QSE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QSE-7 - Puffer, nicht invertierend, 74AHCT1G126, 4.5V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C tariffCode: 85423190 Logik-IC-Sockelnummer: 741G126 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHCT Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
74AHCT1G126QSE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QSE-7 - Puffer, nicht invertierend, 74AHCT1G126, 4.5V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C tariffCode: 85423190 Logik-IC-Sockelnummer: 741G126 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHCT Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
74AHCT1G126QW5-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QW5-7 - Puffer, nicht invertierend, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, SOT-25-5, -40°C bis 125°C tariffCode: 85423190 Logik-IC-Sockelnummer: 741G126 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHCT Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
74AHCT1G126QW5-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QW5-7 - Puffer, nicht invertierend, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, SOT-25-5, -40°C bis 125°C tariffCode: 85423190 Logik-IC-Sockelnummer: 741G126 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHCT Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BAL99-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAL99-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BAL99-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAL99-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
AP7361E-18FGE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP7361E-18FGE-7 - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 1A, 570mV Dropout, 2.2V bis 6Vin, U-DFN3030, -40 bis 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: -V Ausgangsspannung, max.: -V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennausgangsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 570mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
AP7361-10D-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP7361-10D-13 - LDO-Festspannungsregler, 2.2 bis 6Vin, 500mV Dropout, 1V/1Aout, TO-252-3 tariffCode: 85411000 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 1V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 1V 1A LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 500mV Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
AP7361-10D-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP7361-10D-13 - LDO-Festspannungsregler, 2.2 bis 6Vin, 500mV Dropout, 1V/1Aout, TO-252-3 tariffCode: 85411000 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 1V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 1V 1A LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 500mV Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SDT3A45SA-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SDT3A45SA-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 480 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 480mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
SBRT3U45SA-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBRT3U45SA-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 480 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 480mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BSS123Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BSS123Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
MMBF170Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
MMBF170Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BSS138-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 495310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DMP3007SFG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMP3007SFG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DMNH6021SPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMNH6021SPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMP3007SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT6002LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm |
auf Bestellung 1322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT6004LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT4002LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH8028LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 29997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT6004LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMP3007SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT61M5SPSW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT4002LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH61M8LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH6002LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH47M2LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DMTH12H007SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT6002LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm |
auf Bestellung 1322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH10H015LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH3002LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00125 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm |
auf Bestellung 2533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMNH6042SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMNH6042SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH10H015LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMP26M1UPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 0.005 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.76W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.76W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT61M5SPSW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMP26M1UPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 0.005 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.76W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH61M8LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH8028LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 29997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH6002LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.13W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH10H072LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 2324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH47M2LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH12H007SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH10H072LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMT32M4LPSW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SBRT20U100SLP-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerDI 5060 Durchlassstoßstrom: 180A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DMP3028LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.28W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMNH6021SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMTH32M5LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| AP7381-33Y-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7381-33Y-13 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 150mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 150mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-89
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.3V
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Ausgangsspannung, max.: -V
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -V
Dropout-Spannung Vdo: 1V
Nennausgangsspannung: 3.3V
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AP7381-33Y-13 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 150mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 150mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-89
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.3V
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Ausgangsspannung, max.: -V
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -V
Dropout-Spannung Vdo: 1V
Nennausgangsspannung: 3.3V
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMST2222A-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMST2222A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMST2222A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMB53D0UV-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMB53D0UDW-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMB53D0UDW-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMB53D0UV-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 74AHCT1G126QSE-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QSE-7 - Puffer, nicht invertierend, 74AHCT1G126, 4.5V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QSE-7 - Puffer, nicht invertierend, 74AHCT1G126, 4.5V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 74AHCT1G126QSE-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QSE-7 - Puffer, nicht invertierend, 74AHCT1G126, 4.5V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QSE-7 - Puffer, nicht invertierend, 74AHCT1G126, 4.5V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 74AHCT1G126QW5-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QW5-7 - Puffer, nicht invertierend, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, SOT-25-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QW5-7 - Puffer, nicht invertierend, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, SOT-25-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 74AHCT1G126QW5-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QW5-7 - Puffer, nicht invertierend, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, SOT-25-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G126QW5-7 - Puffer, nicht invertierend, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, SOT-25-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G126
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT1G126
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BAL99-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAL99-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BAL99-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BAL99-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAL99-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BAL99-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AP7361E-18FGE-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7361E-18FGE-7 - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 1A, 570mV Dropout, 2.2V bis 6Vin, U-DFN3030, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 570mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AP7361E-18FGE-7 - LDO-Festspannungsregler, 1.8V, 1A, 570mV Dropout, 2.2V bis 6Vin, U-DFN3030, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 570mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AP7361-10D-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7361-10D-13 - LDO-Festspannungsregler, 2.2 bis 6Vin, 500mV Dropout, 1V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85411000
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1V 1A LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 500mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - AP7361-10D-13 - LDO-Festspannungsregler, 2.2 bis 6Vin, 500mV Dropout, 1V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85411000
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1V 1A LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 500mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AP7361-10D-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7361-10D-13 - LDO-Festspannungsregler, 2.2 bis 6Vin, 500mV Dropout, 1V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85411000
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1V 1A LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 500mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - AP7361-10D-13 - LDO-Festspannungsregler, 2.2 bis 6Vin, 500mV Dropout, 1V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85411000
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1V 1A LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 500mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SDT3A45SA-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SDT3A45SA-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 480 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 480mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - SDT3A45SA-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 480 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 480mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SBRT3U45SA-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT3U45SA-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 480 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 480mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - SBRT3U45SA-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 480 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 480mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSS123Q-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSS123Q-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBF170Q-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBF170Q-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSS138-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 495310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3007SFG-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3007SFG-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMNH6021SPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMNH6021SPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3007SPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT6002LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT6004LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT4002LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH8028LPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT6004LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3007SPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT61M5SPSW-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT4002LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH61M8LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH6002LPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH47M2LPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH12H007SPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT6002LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH10H015LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH3002LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00125 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00125 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMNH6042SPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMNH6042SPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH10H015LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP26M1UPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 0.005 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.76W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 0.005 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.76W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT61M5SPSW-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP26M1UPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 0.005 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.76W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 0.005 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.76W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH61M8LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH8028LPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH6002LPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH10H072LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH47M2LPSWQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH12H007SPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH10H072LPS-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMT32M4LPSW-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SBRT20U100SLP-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3028LPSQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMNH6021SPSQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMTH32M5LPSQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)