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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP2191FMG-7 AP2191FMG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN2018-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP2191FMG-7 AP2191FMG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN2018-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S1D-13-F S1D-13-F DIODES INC. ds16003.pdf Description: DIODES INC. - S1D-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1D-1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.36 EUR
878+0.26 EUR
1281+0.17 EUR
1676+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5248B MMSZ5248B DIODES INC. DIODS18356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
auf Bestellung 13657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+0.58 EUR
556+0.42 EUR
1304+0.17 EUR
1653+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5248B MMSZ5248B DIODES INC. DIODS18356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
auf Bestellung 13657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.58 EUR
556+0.42 EUR
1304+0.17 EUR
1653+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 DIODES INC. DMN12M7UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
135+1.73 EUR
203+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 DIODES INC. DMN12M7UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
135+1.73 EUR
203+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS3540M-7B DSS3540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.77 EUR
524+0.44 EUR
827+0.26 EUR
1099+0.19 EUR
1384+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS3540M-7B DSS3540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
524+0.44 EUR
827+0.26 EUR
1099+0.19 EUR
1384+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
169+1.38 EUR
258+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
169+1.38 EUR
258+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028UFDF-7 DMN2028UFDF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+1.13 EUR
359+0.64 EUR
695+0.31 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 DIODES INC. DMN2015UFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
299+0.77 EUR
451+0.48 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3099L-7 DMP3099L-7 DIODES INC. DMP3099L.pdf Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.67 EUR
776+0.3 EUR
1181+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3150L-7 DMN3150L-7 DIODES INC. DMN3150L.pdf Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
409+0.57 EUR
618+0.35 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.4 EUR
263+0.88 EUR
382+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.4 EUR
263+0.88 EUR
382+0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LSS-13 DMT67M8LSS-13 DIODES INC. 3168550.pdf Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.27 EUR
114+2.03 EUR
172+1.25 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 DIODES INC. DIODS15483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.95 EUR
216+1.07 EUR
333+0.64 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 DIODES INC. DIODS15483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.95 EUR
216+1.07 EUR
333+0.64 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2G-13-F ES2G-13-F DIODES INC. 1480492.pdf Description: DIODES INC. - ES2G-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 2 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS-7B DIODES INC. SBRT05U20LPS.pdf Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
695+0.33 EUR
953+0.23 EUR
1289+0.17 EUR
1684+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS-7B DIODES INC. SBRT05U20LPS.pdf Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
474+0.52 EUR
695+0.33 EUR
953+0.23 EUR
1289+0.17 EUR
1684+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PI4MSD5V9540BUEX PI4MSD5V9540BUEX DIODES INC. DIOD-S-A0003132559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - PI4MSD5V9540BUEX - Multiplexer, 2 Kanäle, 1:2, 1.65V bis 5.5V, MSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logiktyp: Multiplexer
Leitungskonfiguration: 1:2
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
122+1.92 EUR
134+1.61 EUR
165+1.31 EUR
250+1.23 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 DIODES INC. DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
152+1.54 EUR
209+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 DIODES INC. DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
152+1.54 EUR
209+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3Z11BF-7 D3Z11BF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1132+0.23 EUR
1656+0.14 EUR
3485+0.062 EUR
3522+0.061 EUR
3572+0.06 EUR
5918+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3Z11BF-7 D3Z11BF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1132+0.23 EUR
1656+0.14 EUR
3485+0.062 EUR
3522+0.061 EUR
3572+0.06 EUR
5918+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3006LDK-7 DMT3006LDK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004140773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
237+0.98 EUR
336+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3006LDK-7 DMT3006LDK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004140773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
237+0.98 EUR
336+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84B39-7-F BZX84B39-7-F DIODES INC. BZX84Bxx(x).pdf Description: DIODES INC. - BZX84B39-7-F - Zener-Diode, 39 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZX84B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 39V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.26 EUR
1423+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT69M8LFV-7 DMT69M8LFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005038932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
137+1.56 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7 DMP2010UFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
200+1.17 EUR
308+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7 DMP2010UFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
200+1.17 EUR
308+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA DIODES INC. ZXTN5551G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
227+1.02 EUR
322+0.67 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN19100CGTA ZXTN19100CGTA DIODES INC. DIOD-S-A0013030151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN4006ZTA ZXTN4006ZTA DIODES INC. DIODS14634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
243+0.96 EUR
503+0.43 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
70+3.32 EUR
114+1.89 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
63+3.71 EUR
101+2.12 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ-13 DIODES INC. DMTH43M8LFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
141+1.65 EUR
152+1.4 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54TW-7-F BAT54TW-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0002238224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAT54TW-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Dreifach, isoliert, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
334+0.69 EUR
463+0.46 EUR
569+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP4050SSDQ-13 DMP4050SSDQ-13 DIODES INC. DIODS19804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.3 EUR
101+2.32 EUR
140+1.54 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP4050SSDQ-13 DMP4050SSDQ-13 DIODES INC. DIODS19804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.3 EUR
101+2.32 EUR
140+1.54 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCX558TA FCX558TA DIODES INC. FCX558.pdf Description: DIODES INC. - FCX558TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
153+1.52 EUR
184+1.17 EUR
233+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74LVC1G08W5-7 74LVC1G08W5-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001756770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 74LVC1G08W5-7 - AND-Gatter, 74LVC1G08, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-25-5
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 26416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
1028+0.23 EUR
1384+0.15 EUR
1441+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS6004FFTA ZXMS6004FFTA DIODES INC. DIOD-S-A0011483394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMS6004FFTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.5 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 157080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
136+1.71 EUR
155+1.39 EUR
500+1.2 EUR
1500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBR4U130LP-7 SBR4U130LP-7 DIODES INC. SBR4U130LP.pdf Description: DIODES INC. - SBR4U130LP-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 130 V, 4 A, Einfach, U-DFN3030, 8 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3030
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 750mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 130V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBR4U130LP-7 SBR4U130LP-7 DIODES INC. SBR4U130LP.pdf Description: DIODES INC. - SBR4U130LP-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 130 V, 4 A, Einfach, U-DFN3030, 8 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3030
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 130V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011708456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
121+1.93 EUR
175+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011708456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.25 EUR
121+1.93 EUR
175+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-13 DMT6018LDR-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
147+1.58 EUR
211+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-13 DMT6018LDR-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
147+1.58 EUR
211+1.02 EUR
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1000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZX5V1B-7 DDZX5V1B-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003132347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZX5V1B-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1132+0.23 EUR
1397+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZX5V1B-7 DDZX5V1B-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003132347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZX5V1B-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1132+0.23 EUR
1397+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ18CSF-7 DDZ18CSF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ18CSF-7 - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
878+0.29 EUR
1313+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ18CSF-7 DDZ18CSF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ18CSF-7 - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
878+0.29 EUR
1313+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP65H9D0HSS-13 DMP65H9D0HSS-13 DIODES INC. DMP65H9D0HSS.pdf Description: DIODES INC. - DMP65H9D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
72+3.25 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP65H9D0HSS-13 DMP65H9D0HSS-13 DIODES INC. DMP65H9D0HSS.pdf Description: DIODES INC. - DMP65H9D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.25 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7 DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D8LW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP2191FMG-7 DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AP2191FMG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN2018-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP2191FMG-7 DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AP2191FMG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: UDFN2018-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S1D-13-F ds16003.pdf
S1D-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S1D-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1D-1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
700+0.36 EUR
878+0.26 EUR
1281+0.17 EUR
1676+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5248B DIODS18356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5248B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
auf Bestellung 13657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
430+0.58 EUR
556+0.42 EUR
1304+0.17 EUR
1653+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ5248B DIODS18356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5248B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
auf Bestellung 13657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.58 EUR
556+0.42 EUR
1304+0.17 EUR
1653+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.95 EUR
135+1.73 EUR
203+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.95 EUR
135+1.73 EUR
203+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS3540M-7B DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS3540M-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.77 EUR
524+0.44 EUR
827+0.26 EUR
1099+0.19 EUR
1384+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS3540M-7B DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS3540M-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.77 EUR
524+0.44 EUR
827+0.26 EUR
1099+0.19 EUR
1384+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009USS-13 DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2009USS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.5 EUR
169+1.38 EUR
258+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2009USS-13 DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2009USS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.5 EUR
169+1.38 EUR
258+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028UFDF-7 DIOD-S-A0009691475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFDF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
222+1.13 EUR
359+0.64 EUR
695+0.31 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
DMN2015UFDE-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+1.2 EUR
299+0.77 EUR
451+0.48 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3099L-7 DMP3099L.pdf
DMP3099L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.67 EUR
776+0.3 EUR
1181+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3150L-7 DMN3150L.pdf
DMN3150L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
262+0.95 EUR
409+0.57 EUR
618+0.35 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028UFU-7 DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFU-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
179+1.4 EUR
263+0.88 EUR
382+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028UFU-7 DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFU-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
179+1.4 EUR
263+0.88 EUR
382+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LSS-13 3168550.pdf
DMT67M8LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.27 EUR
114+2.03 EUR
172+1.25 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 DIODS15483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG8601UFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.95 EUR
216+1.07 EUR
333+0.64 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG8601UFG-7 DIODS15483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG8601UFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.95 EUR
216+1.07 EUR
333+0.64 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2G-13-F 1480492.pdf
ES2G-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ES2G-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 2 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS.pdf
SBRT05U20LPS-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
695+0.33 EUR
953+0.23 EUR
1289+0.17 EUR
1684+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS.pdf
SBRT05U20LPS-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
474+0.52 EUR
695+0.33 EUR
953+0.23 EUR
1289+0.17 EUR
1684+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PI4MSD5V9540BUEX DIOD-S-A0003132559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PI4MSD5V9540BUEX
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI4MSD5V9540BUEX - Multiplexer, 2 Kanäle, 1:2, 1.65V bis 5.5V, MSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logiktyp: Multiplexer
Leitungskonfiguration: 1:2
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
122+1.92 EUR
134+1.61 EUR
165+1.31 EUR
250+1.23 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LFG-7 DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT8012LFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+2.03 EUR
152+1.54 EUR
209+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LFG-7 DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT8012LFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+2.03 EUR
152+1.54 EUR
209+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3Z11BF-7 DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3Z11BF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1132+0.23 EUR
1656+0.14 EUR
3485+0.062 EUR
3522+0.061 EUR
3572+0.06 EUR
5918+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3Z11BF-7 DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3Z11BF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1132+0.23 EUR
1656+0.14 EUR
3485+0.062 EUR
3522+0.061 EUR
3572+0.06 EUR
5918+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3006LDK-7 DIOD-S-A0004140773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT3006LDK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.18 EUR
237+0.98 EUR
336+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3006LDK-7 DIOD-S-A0004140773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT3006LDK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.18 EUR
237+0.98 EUR
336+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84B39-7-F BZX84Bxx(x).pdf
BZX84B39-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZX84B39-7-F - Zener-Diode, 39 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZX84B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 39V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
962+0.26 EUR
1423+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT69M8LFV-7 DIOD-S-A0005038932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT69M8LFV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
137+1.56 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.36 EUR
200+1.17 EUR
308+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.36 EUR
200+1.17 EUR
308+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN5551GTA ZXTN5551G.pdf
ZXTN5551GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+2.28 EUR
227+1.02 EUR
322+0.67 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN19100CGTA DIOD-S-A0013030151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN19100CGTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTN4006ZTA DIODS14634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN4006ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.68 EUR
243+0.96 EUR
503+0.43 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
70+3.32 EUR
114+1.89 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.2 EUR
63+3.71 EUR
101+2.12 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ.pdf
DMTH43M8LFGQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
141+1.65 EUR
152+1.4 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54TW-7-F DIOD-S-A0002238224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54TW-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54TW-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Dreifach, isoliert, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+1.2 EUR
334+0.69 EUR
463+0.46 EUR
569+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP4050SSDQ-13 DIODS19804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP4050SSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.3 EUR
101+2.32 EUR
140+1.54 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP4050SSDQ-13 DIODS19804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP4050SSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.3 EUR
101+2.32 EUR
140+1.54 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCX558TA FCX558.pdf
FCX558TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FCX558TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
153+1.52 EUR
184+1.17 EUR
233+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74LVC1G08W5-7 DIOD-S-A0001756770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74LVC1G08W5-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74LVC1G08W5-7 - AND-Gatter, 74LVC1G08, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-25-5
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 26416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
1028+0.23 EUR
1384+0.15 EUR
1441+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS6004FFTA DIOD-S-A0011483394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMS6004FFTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS6004FFTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.5 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 157080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
136+1.71 EUR
155+1.39 EUR
500+1.2 EUR
1500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBR4U130LP-7 SBR4U130LP.pdf
SBR4U130LP-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR4U130LP-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 130 V, 4 A, Einfach, U-DFN3030, 8 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3030
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 750mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 130V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBR4U130LP-7 SBR4U130LP.pdf
SBR4U130LP-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR4U130LP-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 130 V, 4 A, Einfach, U-DFN3030, 8 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3030
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 130V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3009LDT-7 DIOD-S-A0011708456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT3009LDT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.25 EUR
121+1.93 EUR
175+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT3009LDT-7 DIOD-S-A0011708456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT3009LDT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.25 EUR
121+1.93 EUR
175+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-13 DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6018LDR-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
147+1.58 EUR
211+1.02 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6018LDR-13 DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6018LDR-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
147+1.58 EUR
211+1.02 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZX5V1B-7 DIOD-S-A0003132347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZX5V1B-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZX5V1B-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1132+0.23 EUR
1397+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZX5V1B-7 DIOD-S-A0003132347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZX5V1B-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZX5V1B-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1132+0.23 EUR
1397+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ18CSF-7 DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ18CSF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ18CSF-7 - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
878+0.29 EUR
1313+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ18CSF-7 DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ18CSF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ18CSF-7 - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
878+0.29 EUR
1313+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP65H9D0HSS-13 DMP65H9D0HSS.pdf
DMP65H9D0HSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP65H9D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.59 EUR
72+3.25 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP65H9D0HSS-13 DMP65H9D0HSS.pdf
DMP65H9D0HSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP65H9D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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250+2.05 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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