Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (128358) > Seite 2138 nach 2140
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPLK70R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BB914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays Type of diode: diode arrays |
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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CY62158EV30LL-45ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1Mx8bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 45ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY62158EV30LL-45ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1024kx8bit Access time: 45ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| D2450N04TXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying |
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC50N04S55R8ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC50N04S5L5R5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPD50N04S308ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPD50N04S309ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ITD50N04S4L07ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPD50N04S4-08 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 46W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 137 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRFB7546PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 99W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC022N04LS6 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC032N04LS | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 392A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 52W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 392A Gate charge: 25nC |
auf Bestellung 4968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 74 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA60R160P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BTS723GWXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPZ40N04S5L-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC070N10NS5SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC070N10NS5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Gate charge: 30nC Version: ESD |
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC060N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Version: ESD |
auf Bestellung 4143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC070N10LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPD50P04P4L-11 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Case: DPAK On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 82 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPP040N06N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: -20...20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Version: ESD Application: automotive industry |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 42 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TC333LP32F300FAAKXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Integrated circuits - UnclassifiedDescription: SMD Mounting: SMD |
auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ISA170170N04LMDSXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ISZ330N12LM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPA80R450P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A On-state resistance: 0.45Ω Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPDQ65R018CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 18mΩ Power dissipation: 625W Gate charge: 173nC Technology: CoolMOS™ Drain current: 127A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V |
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Mindestbestellmenge: 750 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AUIRS21811STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRF1324PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW50N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 86A; 398W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 86A Power dissipation: 398W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IKQ50N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 71A; 398W; TO247-3; 1.1mJ Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 71A Power dissipation: 398W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Turn-off switching energy: 1.1mJ |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPA086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 45A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 37.5W |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPI086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO262-3 On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 125W |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ESD110B102ELE6327XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS Type of diode: TVS |
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BGA855N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
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Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29AL008J70BFN010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 8Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 676 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29AL008J70BFN020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 8Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 1690 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29AL016J70BFN010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 16Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 676 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29AL016J70BFN020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 16Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 676 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ISC060N10NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CYT2CL7BAAQ0AZSGS | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| D2450N06TXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRF8734TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSS139 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Technology: SIPMOS™ Application: automotive industry |
auf Bestellung 10940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 203 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPW65R080CFDA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43.3A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPW65R019C7FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPW65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPW65R029CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPW65R041CFDFKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPW65R018CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 83.2A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPN70R600P7SATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPLK70R600P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BB914E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays
Type of diode: diode arrays
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays
Type of diode: diode arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY62158EV30LL-45ZSXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY62158EV30LL-45ZSXIT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| D2450N04TXPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPC50N04S5L5R5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPD50N04S308ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPD50N04S309ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ITD50N04S4L07ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPLU250N04S41R7XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPD50N04S4-08 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB7546PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC022N04LS6 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC032N04LS |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 392A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 392A
Gate charge: 25nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 392A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 392A
Gate charge: 25nC
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPW60R160P6FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPA60R160P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTS723GWXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPZ40N04S5L-2R8 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC070N10NS5SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC070N10NS5 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC060N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC060N10NS3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
auf Bestellung 4143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC070N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC070N10LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPD50P04P4L-11 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Case: DPAK
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Case: DPAK
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP040N06N |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: -20...20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Version: ESD
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: -20...20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TC333LP32F300FAAKXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: SMD
Mounting: SMD
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: SMD
Mounting: SMD
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ISA170170N04LMDSXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ISZ330N12LM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPA80R450P7 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPDQ65R018CM8XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 625W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 127A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 625W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 127A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRS21811STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF1324PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IKW50N120CH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 86A; 398W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 86A; 398W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKQ50N120CH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 71A; 398W; TO247-3; 1.1mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 71A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Turn-off switching energy: 1.1mJ
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 71A; 398W; TO247-3; 1.1mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 71A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Turn-off switching energy: 1.1mJ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPA086N10N3GXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 37.5W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 37.5W
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPI086N10N3GXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 125W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 125W
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ESD110B102ELE6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BGA855N6E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S29AL008J70BFN010 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S29AL008J70BFN020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1690 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S29AL016J70BFN010 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S29AL016J70BFN020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ISC060N10NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CYT2CL7BAAQ0AZSGS |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| D2450N06TXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF8734TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS139 H6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
auf Bestellung 10940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPW65R080CFDA |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPW65R080CFDFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R019C7FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R065C7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R029CFD7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R041CFDFKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R018CFD7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW65R037C6FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH














