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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
CY7C68013A-100AXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: USB interfaces - integrated circuits Description: I2C,USB 2.0; TQFP100 Interface: I2C; USB 2.0 Case: TQFP100 Mounting: SMD Number of inputs/outputs: 40 Data transfer rate: 12Mbps Number of channels: 1	auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 720 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS6133DAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKW75N65EH5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 90A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Technology: Trench	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP752T	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.15Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 52V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS3011TEATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPI076N12N3GAKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3 Mounting: THT Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO262-3 On-state resistance: 7.6mΩ	auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R160P6	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 34W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 68A Gate charge: 44nC	auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP50R06W2E3B11BOMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A Type of semiconductor module: IGBT Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Collector current: 50A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 175W Technology: EasyPIM™ 2B Case: AG-EASY2B-2 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP50R06W2E3BOMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 65A Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 175W Technology: Field Stop; Trench	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7451TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD80R1K4P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD	auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.5A Power dissipation: 22.7W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 2477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD95R450P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 8.6A Power dissipation: 104W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Gate charge: 35nC Version: ESD	auf Bestellung 1291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD80R1K2P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Version: ESD	auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD80R2K0P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 24W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 9nC Version: ESD	auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW20N65R5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Pulsed collector current: 60A Turn-off time: 257ns Gate charge: 97nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKW20N65ET7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPA20N65C3XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
T1620N65TOFXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Button thyristors Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA Case: DO200AE Mounting: Press-Pack Kind of package: in-tray Max. off-state voltage: 6.5kV Body dimensions: Ø111/Ø75mm Load current: 2.29kA Max. load current: 2.53kA Type of thyristor: hockey-puck Max. forward impulse current: 36kA Gate current: 350mA	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKWH20N65WR6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKY120N65EH7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 498W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Pulsed collector current: 480A Turn-off switching energy: 1.5mJ Turn-on switching energy: 1.7mJ Gate charge: 244nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB020N10N5LFATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPC020N10L3X1SA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 69830 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPT020N10N3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: HSOF-8 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor	auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIR3242STRXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB600N25N3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD600N25N3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Case: DPAK On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC	auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG039N15NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG044N15NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG054N15NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG063N15NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR6215TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPI80N06S407AKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 79W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2	auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S209ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S2H5ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S2L06ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S2L11ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S407ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S4L07ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BC847CE6433HTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD70R600P7SAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG017N12NM6ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG007N06NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG014N10NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG018N10NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG020N13NM6ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG025N08NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPTG025N10NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGT60UTR11AIPXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: RF modules Description: IC: RF power detector Type of integrated circuit: RF power detector	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB107N20N3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 300W Case: D2PAK-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor	auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC040N10NS5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 100A Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Gate charge: 58nC Application: automotive industry	auf Bestellung 4635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ440N10NS3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 29W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Application: automotive industry	auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 112 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IGB10N60TATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Collector-emitter voltage: 600V	auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKB10N60TATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Kind of package: reel; tape Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 30A	auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IGP10N60TXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V	auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKA10N60TXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 30W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 67nC Turn-on time: 20ns Kind of package: tube Turn-off time: 250ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 7.2A Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 30A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE3RBR4765JGXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE3PCS01GXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Motor and PWM drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE3RBR0665JGXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE3BR0680JZXKLA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY7C68013A-100AXI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: I2C,USB 2.0; TQFP100
Interface: I2C; USB 2.0
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 40
Data transfer rate: 12Mbps
Number of channels: 1

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 720 Stücke

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BTS6133DAUMA1

Infineon-BTS6133D-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3e3286f102a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKW75N65EH5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Trench

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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BSP752T

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS3011TEATMA1

Infineon-BTS3011TE-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164f55355be563e

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 7.6mΩ

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R160P6

Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP50R06W2E3B11BOMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: EasyPIM™ 2B
Case: AG-EASY2B-2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP50R06W2E3BOMA1

Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7451TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R1K4P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R450P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD

auf Bestellung 1291 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R1K2P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R2K0P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IHW20N65R5XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
Gate charge: 97nC

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPA20N65C3XKSA1

Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

T1620N65TOFXPSA1

Infineon-T1620N65TOF%20PR-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304331f858f401320548b00b0682

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA
Case: DO200AE
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 6.5kV
Body dimensions: Ø111/Ø75mm
Load current: 2.29kA
Max. load current: 2.53kA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 36kA
Gate current: 350mA

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKWH20N65WR6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKY120N65EH7XKSA1

Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 498W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-off switching energy: 1.5mJ
Turn-on switching energy: 1.7mJ
Gate charge: 244nC

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB020N10N5LFATMA1

Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPC020N10L3X1SA1

DS_IPC020N10L3_2_5.pdf?fileId=5546d4614755559a01477c39579c626c

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 69830 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPT020N10N3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIR3242STRXUMA1

Infineon-AUIR3242STR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169a1169a066f37

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB600N25N3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3 G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG044N15NM5ATMA1

Infineon-IPTG044N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2c620445a46

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG054N15NM5ATMA1

Infineon-IPTG054N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d36b00225f6f

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG063N15NM5ATMA1

Infineon-IPTG063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d89143913ebf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR6215TRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2

auf Bestellung 248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S209ATMA2

INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S2H5ATMA2

Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S2L06ATMA2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S2L11ATMA2

Infineon-IPP_B_I80N06S2L_11-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6&ack=t

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S407ATMA2

Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S4L07ATMA2

Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BC847CE6433HTMA1

bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG017N12NM6ATMA1

Infineon-IPTG017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf171f50114f

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon-IPTG007N06NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3630457d4e

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon-IPTG014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f74d57d58

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

Infineon-IPTG018N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759bc221150

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N08NM5ATMA1

Infineon-IPTG025N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759b20e114d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N10NM5ATMA1

Infineon-IPTG025N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179137ca9b12ee3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGT60UTR11AIPXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RF modules
Description: IC: RF power detector
Type of integrated circuit: RF power detector

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB107N20N3 G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC040N10NS5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 100A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 58nC
Application: automotive industry

auf Bestellung 4635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ440N10NS3 G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry

auf Bestellung 7700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IGB10N60TATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V

auf Bestellung 75 Stücke:

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IKB10N60TATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A

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IGP10N60TXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V

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IKA10N60TXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Turn-on time: 20ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7.2A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A

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ICE3RBR4765JGXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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ICE3PCS01GXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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ICE3RBR0665JGXUMA1

Infineon-ICE3RBR0665JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf5c8c7514

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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ICE3BR0680JZXKLA1

Infineon-ICE3BR0680JZ-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129e8b5bf735b64

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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