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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 1EDI60H12AH | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; 1200V Type of integrated circuit: driver Voltage class: 1.2kV Turn-on time: 0.12µs Mounting: SMD |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SMBTA92E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 50MHz |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD052N10NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| FP75R12KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; screw; 355W; NPT Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-3 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 355W Technology: NPT |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1062G30-10BGXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 10ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 84 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1480BV33-250BZI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 72Mb SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Case: FBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 250MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1041G30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1051H30-10BVXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1051H30-10BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1460KV33-167AXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 1Mx36bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 167MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 144 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C199D-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: SOJ28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 300mils |
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Mindestbestellmenge: 1350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1041G-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1041GN30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1061G30-10ZXE | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 10ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1071DV33-12BAXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 12ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 12ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 420 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1041G30-10BVXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1041GN-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1041GN-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1062GE30-10BGXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 10ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 168 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1069GN30-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 10ns; TSOP54 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 2Mx8bit Access time: 10ns Case: TSOP54 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 540 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1372KV33-167AXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 167MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1372KV33-200AXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 200MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 144 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C1441KV33-133AXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 1Mx36bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 133MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray |
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY7C199D-10VXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 10ns; SOJ28; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPD055N08NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S51R7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S51R9ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S52R8ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPC100N04S5L2R6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IAUC100N04S6N015ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IR1167ASTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BTS142DATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SIDC50D65C8X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching Type of diode: switching |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IHW20N120R5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 40A; 288W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 288W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Gate charge: 170nC Turn-off time: 260ns |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPT059N15N3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 155A; 375W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 150V Drain current: 155A Power dissipation: 375W Case: HSOF-8 On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPL65R130C7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 75A Gate charge: 35nC |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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TT520N22KOFHPSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Thyristor modulesDescription: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 520A; BG-PB60AT-1; screw Type of semiconductor module: thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 520A Case: BG-PB60AT-1 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 18kA Gate current: 250mA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R072M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 96W Case: TO247 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMW65R007M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R015M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R020M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R030M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R039M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R040M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R057M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMW65R083M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IMW65R048M1H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Case: TO247 Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMZA65R048M1H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Case: TO247 On-state resistance: 64mΩ Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IAUS165N08S5N029ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 167W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF7493TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 9.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FM24VN10-G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 1Mb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 128kx8bit Supply voltage: 2...3.6V DC Clock frequency: 3.4MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PVI5013RSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Optocouplers - othersDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8 Mounting: SMD Manufacturer series: PVI5013RPbF Kind of output: photodiode Insulation voltage: 3.75kV Type of optocoupler: optocoupler Turn-on time: 5ms Case: Gull wing 8 Turn-off time: 25µs Number of channels: 2 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TLS805B1SJVXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPS70R600P7SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8.5A Power dissipation: 43.1W Case: IPAK; TO251 On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10.5nC |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1EDI60H12AH |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; 1200V
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 0.12µs
Mounting: SMD
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; 1200V
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 0.12µs
Mounting: SMD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMBTA92E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPD052N10NF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FP75R12KE3BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; screw; 355W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 355W
Technology: NPT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; screw; 355W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 355W
Technology: NPT
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1062G30-10BGXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1480BV33-250BZI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1041G30-10ZSXIT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1051H30-10BVXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1051H30-10BVXIT |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1460KV33-167AXI |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C199D-10VXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 300mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 300mils
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1041G-10ZSXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1041GN30-10ZSXIT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1061G30-10ZXE |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1071DV33-12BAXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 12ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 12ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 12ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 12ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1041G30-10BVXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1041GN-10ZSXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1041GN-10ZSXIT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1062GE30-10BGXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1069GN30-10ZSXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 10ns; TSOP54 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP54 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 10ns; TSOP54 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP54 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1372KV33-167AXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1372KV33-200AXC |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1441KV33-133AXC |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 133MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 133MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C199D-10VXIT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 10ns; SOJ28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 10ns; SOJ28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPD055N08NF2SATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC105N15LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S51R2ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S51R7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S51R9ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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| IPC100N04S52R8ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPC100N04S5L2R6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUC100N04S6N015ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IR1167ASTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| BTS142DATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SIDC50D65C8X1SA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IHW20N120R5 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 40A; 288W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 288W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Turn-off time: 260ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 40A; 288W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 288W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Turn-off time: 260ns
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPT059N15N3 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 155A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 155A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 155A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 155A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPL65R130C7 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 35nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 35nC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TT520N22KOFHPSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 520A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 520A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 18kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 520A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 520A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 18kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
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| IMW65R072M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMW65R048M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R007M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R015M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R020M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R030M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R039M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R040M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R057M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R083M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMW65R048M1H |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMZA65R048M1H |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IAUS165N08S5N029ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7493TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FM24VN10-G |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PVI5013RSPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5013RPbF
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 5ms
Case: Gull wing 8
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 2
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5013RPbF
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 5ms
Case: Gull wing 8
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 2
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TLS805B1SJVXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPS70R600P7SAKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 43.1W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 43.1W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH









