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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC Type of integrated circuit: microcontroller 8051 Clock frequency: 24MHz Interface: CAN x2; SPI; UART x2 Supply voltage: 3...5V DC Case: PG-TQFP-48 Mounting: SMD Number of 16bit timers: 4 Number of PWM channels: 4 Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Number of 10bit A/D converters: 8 Number of output compare channels: 1 Number of input capture channels: 1 Kind of core: 8-bit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC014N04LSI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 96W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 55nC	auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC010N04LS	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 139W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 42 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD04N50C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 4.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 560V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS127 H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.65nC Version: ESD Application: automotive industry	auf Bestellung 16420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 226 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
XMC4402F64F256ABXQMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC Type of integrated circuit: ARM microcontroller Case: PG-LQFP-64 Supply voltage: 3.3V DC Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH Number of 16bit timers: 26 Family: XMC4400 Kind of core: 32-bit Operating temperature: -40...85°C Kind of architecture: Cortex M4 Number of A/D channels: 9 Number of inputs/outputs: 31	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP297H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 0.66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPA07N60C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP07N60C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD07N60C3ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP07N60C3XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE824523SAAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE824533SAAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AIKQ120N75CP2XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCR129E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCR129WH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFP4568	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Power dissipation: 517W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 684A Application: automotive industry	auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFP4568-E	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Power dissipation: 517W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
D1030N26TXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
D1031SH45TXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR3711TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 100A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY7C1415KV18-250BZXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 1Mx36bit Case: FBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...1.9V DC Frequency: 250MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 136 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH7545TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AIKQ200N75CP2XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01 Case: PG-TO247-3-U01 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 750V Power dissipation: 535W Gate charge: 1260nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 600A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 202ns Kind of package: tube Turn-off time: 344ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A	auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC360N15NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC160N15NS5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC160N15NS5SCATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
EUTBSC360N15NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Transistors - Unclassified Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC160N15NS5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 224A Gate charge: 19nC Drain current: 56A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IGQ100N120S7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 188A Power dissipation: 824W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Turn-off time: 200ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY5302VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape Case: SC79 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 6V Load current: 20mA Semiconductor structure: single diode Type of diode: varicap	auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BB439E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape Case: SOD323 Capacitance: 5.1...53pF Type of diode: varicap Mounting: SMD Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 28V Load current: 20mA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2µA	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BB837E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY5602VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY5702VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY6502VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY6602VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape Case: SC79 Type of diode: varicap Mounting: SMD Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 12V Load current: 50mA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS215P H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23-3 Power dissipation: 0.5W Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V	auf Bestellung 8912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 421 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP181E7764HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYPD3172-24LQXQ	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: USB interfaces - integrated circuits Description: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP30R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 125W Technology: EconoPIM™ 2 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP50R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 60A Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 190W Technology: Field Stop; Trench Case: AG-ECONO2C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP75R06KE3BOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 95A Case: AG-ECONO3-3 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 250W Technology: Field Stop; Trench	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS50R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 70A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 190W Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Application: Inverter	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS75R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 250W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF300R06KE3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 940W Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 0.6kV	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFR4615TRL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R4K5P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6W Gate charge: 4nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD	auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R1K4P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of package: reel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R2K4P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.3W Gate charge: 8nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R1K2P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.8W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R750P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 7.2W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R3K3P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.1W Gate charge: 6nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R600P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 7.4W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1405STRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 131A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP842ESDH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 840ESD H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SOT343 Frequency: 80GHz Collector current: 35mA	auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 189 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 840FESD H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; 35mA Mounting: SMD Type of transistor: NPN Frequency: 85GHz Collector current: 35mA	auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFI4321PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C4014LQI-421	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH Supply voltage: 1.71...5.5V DC Mounting: SMD Case: QFN16 Interface: GPIO; I2C Number of inputs/outputs: 13 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: CapSense Clock frequency: 16MHz Kind of core: 32-bit Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XC886C6FFI3V3ACFXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit

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BSC014N04LSI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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BSC010N04LS

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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SPD04N50C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS127 H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.65nC
Version: ESD
Application: automotive industry

auf Bestellung 16420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 226 Stücke

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XMC4402F64F256ABXQMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31

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Mindestbestellmenge: 360 Stücke

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BSP297H6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V

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SPA07N60C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPP07N60C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPD07N60C3ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPP07N60C3XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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TLE824523SAAUMA1

Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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TLE824533SAAUMA1

Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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AIKQ120N75CP2XKSA1

Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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BCR129E6327HTSA1

bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BCR129WH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFP4568

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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AUIRFP4568-E

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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D1030N26TXPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying

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Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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D1031SH45TXPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IRFR3711TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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CY7C1415KV18-250BZXI

Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz

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Mindestbestellmenge: 136 Stücke

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IRFH7545TRPBF

irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AIKQ200N75CP2XKSA1

Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0656853314e6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSC360N15NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EUTBSC360N15NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IGQ100N120S7XKSA1

Infineon-IGQ100N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a2439786d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 188A
Power dissipation: 824W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Turn-off time: 200ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY5302VH6327XTSA1

INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: varicap

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BB439E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Case: SOD323
Capacitance: 5.1...53pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 28V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BB837E6327HTSA1

bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY5602VH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 9000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY5702VH6327XTSA1

bby57series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113de4dfd070341

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 9000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY6502VH6327XTSA1

bby65series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb0006e03f6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY6602VH6327XTSA1

bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS215P H6327

INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V

auf Bestellung 8912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 421 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP181E7764HTSA1

bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CYPD3172-24LQXQ

Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4900 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP30R06KE3BPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP50R06KE3BPSA1

Infineon-FP50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4332c9b5a83

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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FP75R06KE3BOSA1

Infineon-FP75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43330245a87

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 95A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench

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FS50R06KE3BPSA1

Infineon-FS50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432ea305a10

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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FS75R06KE3BPSA1

Infineon-FS75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432edc65a14

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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FF300R06KE3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV

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Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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AUIRFR4615TRL

IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPN80R4K5P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN80R1K4P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel

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IPN80R2K4P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R1K2P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD

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IPN80R750P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R3K3P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD

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IPN80R600P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD

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IRF1405STRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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BFP842ESDH6327XTSA1

Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BFP 840ESD H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 80GHz
Collector current: 35mA

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

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BFP 840FESD H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 35mA
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Frequency: 85GHz
Collector current: 35mA

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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IRFI4321PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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CY8C4014LQI-421

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: GPIO; I2C
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH

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