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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R095C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.23 EUR
19+3.93 EUR
50+3.73 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R420CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 120mA; 1.8W; PG-SOT223; SMT
Mounting: SMD
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 30Ω
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
Case: PG-SOT223
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 4.9nC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7-DTE.pdf
IPP65R095C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
19+3.93 EUR
50+3.73 EUR
100+3.36 EUR
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IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R420CFD-DTE.pdf
IPW65R420CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPA60R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 120mA; 1.8W; PG-SOT223; SMT
Mounting: SMD
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 30Ω
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
Case: PG-SOT223
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 4.9nC
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000
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