Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149721) > Seite 2496 nach 2496

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2496
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf Category: Diode modules
Description: DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+94.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC234L32F200FABKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TC23xL-AURIX_Family-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed76015697b2244d2457 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: TC234L32F200FABKXUMA1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC234L32F200FACKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Power_and_Sensing_Selection_Guide_2019-SG-v00_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd13015621522aa012cb Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: TC234L32F200FACKXUMA1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+15.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 230mA; 360mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 645000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSHBSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: BSHBSS138NH6433XTMA1
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+2.02 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDIxxI12MF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.97 EUR
49+1.47 EUR
59+1.23 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC16; Ch: 2; MOSFET; 2.5A; 1.25W
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: SOIC16
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Maximum output current: 2.5A
Power dissipation: 1.25W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 111nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135WH6327 BCR135WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCV61BE6327 BCV61BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV61BE6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Polarisation: bipolar
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
407+0.18 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1 IPL65R130C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R130C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+94.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC234L32F200FABKXUMA1 Infineon-TC23xL-AURIX_Family-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed76015697b2244d2457
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: TC234L32F200FABKXUMA1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC234L32F200FACKXUMA1 Infineon-Power_and_Sensing_Selection_Guide_2019-SG-v00_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd13015621522aa012cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: TC234L32F200FACKXUMA1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+15.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 230mA; 360mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 645000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSHBSS138NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BSHBSS138NH6433XTMA1
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
36+2.02 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S405ATMA2 Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI20I12MFXUMA1 1EDIxxI12MF.pdf
1EDI20I12MFXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
49+1.47 EUR
59+1.23 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2113STRPBF irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC16; Ch: 2; MOSFET; 2.5A; 1.25W
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: SOIC16
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Maximum output current: 2.5A
Power dissipation: 1.25W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1 Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 111nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135WH6327 bcr135.pdf
BCR135WH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCV61BE6327 BCV61BE6327-DTE.pdf
BCV61BE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Polarisation: bipolar
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
407+0.18 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1 IPL65R130C7-DTE.pdf
IPL65R130C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2496