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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 INFINEON 2706835.pdf Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+77.27 EUR
5+68.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 INFINEON INFNS16357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 391W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.67 EUR
16+15.07 EUR
19+11.78 EUR
50+9.98 EUR
100+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R450P7XKSA1 IPAN80R450P7XKSA1 INFINEON 2327418.pdf Description: INFINEON - IPAN80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 29
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP716NH6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP716N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341c1e4a10141da580f3529e9 Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP716NH6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 INFINEON INFNS27845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP196WNH6327XTSA1 BFP196WNH6327XTSA1 INFINEON 3164788.pdf Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 7.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW30C65D1XKSA1 IDW30C65D1XKSA1 INFINEON Infineon-IDW30C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a5281df525232 Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 120A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.18 EUR
60+3.9 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP15E65D1XKSA1 IDP15E65D1XKSA1 INFINEON INFNS30168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDP15E65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.35 V, 71 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.35V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBF IRF7855PBF INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010NPBF IRF1010NPBF INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF INFINEON 1718465.pdf description Description: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
147+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBF IRF7343PBF INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 INFINEON INFNS30117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.33 EUR
261+0.89 EUR
317+0.68 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
71+3.27 EUR
106+2.03 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
86+2.71 EUR
116+1.86 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
116+1.86 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
65+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 3829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
132+1.77 EUR
177+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120ZPBF IRFR120ZPBF INFINEON 700169.pdf Description: INFINEON - IRFR120ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
auf Bestellung 25992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
96+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP450H6327XTSA1 BFP450H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP450H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 170mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 24GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF INFINEON 2064151.pdf Description: INFINEON - IRS44273LTRPBF - MOSFET-Treiber, Low-Side, 20V feste Versorgungsspannung, 1.5Aout, 50ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: µHVIC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
216+1.07 EUR
275+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12KE4BOSA1 FF600R12KE4BOSA1 INFINEON 2371097.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+336.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12KE4PBOSA1 FF600R12KE4PBOSA1 INFINEON 3154629.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+397 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 INFINEON Infineon-FF600R12IP4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011feb94350f3eb9 Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
Verlustleistung: 3.35kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+664.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12KE4EBOSA1 FF600R12KE4EBOSA1 INFINEON 2371097.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+468.74 EUR
5+380.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PC30UDPBF IRG4PC30UDPBF INFINEON 34689.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
DC-Kollektorstrom: 23
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 INFINEON 3208403.pdf Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
152+1.54 EUR
183+1.17 EUR
247+0.87 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 INFINEON 3208403.pdf Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
152+1.54 EUR
183+1.17 EUR
247+0.87 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 12518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
99+2.37 EUR
118+1.82 EUR
200+1.45 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 12518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
118+1.82 EUR
200+1.45 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON 2354578.pdf Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.82 EUR
71+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
47+4.99 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1 INFINEON 1926814.pdf Description: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C5868LTI-LP039 CY8C5868LTI-LP039 INFINEON 2087452.pdf Description: INFINEON - CY8C5868LTI-LP039 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C58xx
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+68.72 EUR
5+57.64 EUR
10+47.49 EUR
25+44.64 EUR
50+43.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI020 S29AL016J70TFI020 INFINEON 2148643.pdf Description: INFINEON - S29AL016J70TFI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.4 EUR
32+7.4 EUR
34+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI010 S29AL016J70TFI010 INFINEON 2148643.pdf Description: INFINEON - S29AL016J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.43 EUR
36+6.45 EUR
38+5.78 EUR
50+5.52 EUR
100+5.4 EUR
250+5.19 EUR
500+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI023 S29AL016J70TFI023 INFINEON 2148643.pdf Description: INFINEON - S29AL016J70TFI023 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
38+6.26 EUR
39+5.62 EUR
50+5.49 EUR
100+5.38 EUR
250+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF INFINEON IRSDS09563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
183+1.27 EUR
234+0.92 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
144+1.62 EUR
250+0.98 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS442E2BKSA1 BTS442E2BKSA1 INFINEON 1836338.pdf Description: INFINEON - BTS442E2BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 6V, 95A, TO-220-5
Durchlasswiderstand: 0.015
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 95
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 13814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
622+0.37 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12KE3GBPSA1 FP15R12KE3GBPSA1 INFINEON 2354606.pdf Description: INFINEON - FP15R12KE3GBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+270.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12KE3GBOSA1 FP15R12KE3GBOSA1 INFINEON 2354606.pdf Description: INFINEON - FP15R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 105
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM 2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+170 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.3 EUR
98+2.39 EUR
250+1.62 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2TRPBF INFINEON 107932.pdf Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KE3BOSA1 FS150R12KE3BOSA1 INFINEON INFNS28528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 700W
Verlustleistung: 700W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+312.83 EUR
5+267.3 EUR
10+225.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2125SPBF IR2125SPBF INFINEON INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2125SPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 0V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
39+6.06 EUR
45+4.82 EUR
50+4.58 EUR
100+4.28 EUR
250+4.13 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-212023-10 CYBLE-212023-10 INFINEON CYPR-S-A0004001908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5V
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Zertifikate: -
Empfängerempfindlichkeit: -87dBm
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2S
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.77 EUR
14+16.95 EUR
15+14.54 EUR
50+13.55 EUR
100+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH50KDPBF IRG4PH50KDPBF INFINEON 34696.pdf Description: INFINEON - IRG4PH50KDPBF - IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.77
DC-Kollektorstrom: 45
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF INFINEON 34694.pdf Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH50SPBF IRG4PH50SPBF INFINEON 140392.pdf Description: INFINEON - IRG4PH50SPBF - IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.47
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 57
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PF50WDPBF IRG4PF50WDPBF INFINEON 34693.pdf Description: INFINEON - IRG4PF50WDPBF - IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH40UPBF IRG4PH40UPBF INFINEON 140384.pdf description Description: INFINEON - IRG4PH40UPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 41
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSC71UDPBF IRG4PSC71UDPBF INFINEON 3387.pdf Description: INFINEON - IRG4PSC71UDPBF - IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
DC-Kollektorstrom: 85
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PC30KDPBF IRG4PC30KDPBF INFINEON 91436.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 28
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH50UPBF IRG4PH50UPBF INFINEON 140399.pdf description Description: INFINEON - IRG4PH50UPBF - IGBT, 45 A, 3.2 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON 140366.pdf Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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IPZ60R017C7XKSA1 2706835.pdf
IPZ60R017C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+77.27 EUR
5+68.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPW60R070C6FKSA1 INFNS16357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R070C6FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 391W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.67 EUR
16+15.07 EUR
19+11.78 EUR
50+9.98 EUR
100+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPAN80R450P7XKSA1 2327418.pdf
IPAN80R450P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 29
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP716NH6327XTSA1 Infineon-BSP716N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341c1e4a10141da580f3529e9
BSP716NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP716NH6327XTSA1 INFNS27845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP716NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BFP196WNH6327XTSA1 3164788.pdf
BFP196WNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 7.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IDW30C65D1XKSA1 Infineon-IDW30C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a5281df525232
IDW30C65D1XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 120A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.18 EUR
60+3.9 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IDP15E65D1XKSA1 INFNS30168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDP15E65D1XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDP15E65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.35 V, 71 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.35V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBF IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7855PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1010NPBF description INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ZPBF description 1718465.pdf
IRF1010ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBF description INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7201TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7343TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
147+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBF INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7343PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFQ19SH6327XTSA1 INFNS30117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFQ19SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.33 EUR
261+0.89 EUR
317+0.68 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3636TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.77 EUR
71+3.27 EUR
106+2.03 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.9 EUR
86+2.71 EUR
116+1.86 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
116+1.86 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRLPBF INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.95 EUR
65+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 3829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.95 EUR
132+1.77 EUR
177+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120ZPBF 700169.pdf
IRFR120ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
auf Bestellung 25992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.93 EUR
96+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP450H6327XTSA1 INFN-S-A0009651611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP450H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP450H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 170mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 24GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
207+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS44273LTRPBF 2064151.pdf
IRS44273LTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS44273LTRPBF - MOSFET-Treiber, Low-Side, 20V feste Versorgungsspannung, 1.5Aout, 50ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: µHVIC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.65 EUR
216+1.07 EUR
275+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12KE4BOSA1 2371097.pdf
FF600R12KE4BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+336.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12KE4PBOSA1 3154629.pdf
FF600R12KE4PBOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+397 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12IP4BOSA1 Infineon-FF600R12IP4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011feb94350f3eb9
FF600R12IP4BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
Verlustleistung: 3.35kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+664.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R12KE4EBOSA1 2371097.pdf
FF600R12KE4EBOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+468.74 EUR
5+380.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PC30UDPBF 34689.pdf
IRG4PC30UDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
DC-Kollektorstrom: 23
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1 3208403.pdf
BSP135IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.33 EUR
152+1.54 EUR
183+1.17 EUR
247+0.87 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1 3208403.pdf
BSP135IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.33 EUR
152+1.54 EUR
183+1.17 EUR
247+0.87 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 12518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
99+2.37 EUR
118+1.82 EUR
200+1.45 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 12518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
118+1.82 EUR
200+1.45 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N65R5XKSA1 2354578.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.82 EUR
71+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N135R5XKSA1 INFN-S-A0001300633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW20N135R5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.54 EUR
47+4.99 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N120R3FKSA1 1926814.pdf
IHW20N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C5868LTI-LP039 2087452.pdf
CY8C5868LTI-LP039
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5868LTI-LP039 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C58xx
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+68.72 EUR
5+57.64 EUR
10+47.49 EUR
25+44.64 EUR
50+43.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI020 2148643.pdf
S29AL016J70TFI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.4 EUR
32+7.4 EUR
34+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI010 2148643.pdf
S29AL016J70TFI010
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.43 EUR
36+6.45 EUR
38+5.78 EUR
50+5.52 EUR
100+5.4 EUR
250+5.19 EUR
500+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI023 2148643.pdf
S29AL016J70TFI023
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI023 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.22 EUR
38+6.26 EUR
39+5.62 EUR
50+5.49 EUR
100+5.38 EUR
250+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBF IRSDS09563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8915TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
183+1.27 EUR
234+0.92 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBF INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8734TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
144+1.62 EUR
250+0.98 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS442E2BKSA1 1836338.pdf
BTS442E2BKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS442E2BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 6V, 95A, TO-220-5
Durchlasswiderstand: 0.015
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 95
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR133E6327HTSA1 SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 13814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.96 EUR
622+0.37 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12KE3GBPSA1 2354606.pdf
FP15R12KE3GBPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+270.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12KE3GBOSA1 2354606.pdf
FP15R12KE3GBOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 105
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM 2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+170 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6645TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.3 EUR
98+2.39 EUR
250+1.62 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF 107932.pdf
IRF5803D2TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KE3BOSA1 INFNS28528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS150R12KE3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 700W
Verlustleistung: 700W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+312.83 EUR
5+267.3 EUR
10+225.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2125SPBF INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2125SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125SPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 0V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.62 EUR
39+6.06 EUR
45+4.82 EUR
50+4.58 EUR
100+4.28 EUR
250+4.13 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-212023-10 CYPR-S-A0004001908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBLE-212023-10
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5V
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Zertifikate: -
Empfängerempfindlichkeit: -87dBm
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2S
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.77 EUR
14+16.95 EUR
15+14.54 EUR
50+13.55 EUR
100+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH50KDPBF 34696.pdf
IRG4PH50KDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH50KDPBF - IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.77
DC-Kollektorstrom: 45
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PF50WPBF 34694.pdf
IRG4PF50WPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH50SPBF 140392.pdf
IRG4PH50SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH50SPBF - IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.47
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 57
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PF50WDPBF 34693.pdf
IRG4PF50WDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PF50WDPBF - IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH40UPBF description 140384.pdf
IRG4PH40UPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH40UPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 41
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSC71UDPBF 3387.pdf
IRG4PSC71UDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PSC71UDPBF - IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
DC-Kollektorstrom: 85
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PC30KDPBF 91436.pdf
IRG4PC30KDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 28
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH50UPBF description 140399.pdf
IRG4PH50UPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH50UPBF - IGBT, 45 A, 3.2 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KDPBF 140366.pdf
IRG4PH20KDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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