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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BAS40E6327HTSA1 BAS40E6327HTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS40E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 INFINEON 3629249.pdf Description: INFINEON - IPBE65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
15+15.61 EUR
18+11.94 EUR
50+10.97 EUR
100+9.15 EUR
250+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R050CFD7AATMA1 IPBE65R050CFD7AATMA1 INFINEON Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87 Description: INFINEON - IPBE65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
15+15.61 EUR
18+11.94 EUR
50+10.97 EUR
100+9.15 EUR
250+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 INFINEON INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
79+2.98 EUR
89+2.42 EUR
200+1.92 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 INFINEON INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
200+1.92 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC45N04S6N070HATMA1 IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON 3180277.pdf Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
120+1.95 EUR
157+1.37 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDR7259XXUMA1 2EDR7259XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16 Description: INFINEON - 2EDR7259XXUMA1 - DRIVER IC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
62+3.78 EUR
68+3.17 EUR
100+2.84 EUR
250+2.7 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3038ASXUMA1 1EDI3038ASXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - 1EDI3038ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 15A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.14 EUR
250+4.8 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF INFINEON IRSDS11230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 3416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
250+1.98 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243 Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.172kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+80.72 EUR
5+68.03 EUR
10+56.42 EUR
50+55.29 EUR
100+54.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4025AZI-S413T CY8C4025AZI-S413T INFINEON CYPR-S-A0011119704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413T - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
43+5.43 EUR
47+4.61 EUR
50+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4025AZI-S413T CY8C4025AZI-S413T INFINEON CYPR-S-A0011119704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413T - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
43+5.43 EUR
47+4.61 EUR
50+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.47 EUR
60+3.9 EUR
100+2.49 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.89 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.89 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
123+1.89 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED2104S06FXUMA1 2ED2104S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2104S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766af59b160554 Description: INFINEON - 2ED2104S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 610ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
134+1.74 EUR
152+1.42 EUR
183+1.18 EUR
250+1.11 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL_QDPAK_FB_V2_1 EVAL_QDPAK_FB_V2_1 INFINEON infineon-user-guide-eval-qdpak-fb-v2-1-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - EVAL_QDPAK_FB_V2_1 - Evaluationsboard, AIMDQ75R016M2H, SiC-MOSFET, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AIMDQ75R016M2H
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: AIMDQ75R016M2H
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+752.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
53+4.4 EUR
100+2.83 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 INFINEON 4475005.pdf Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
151+1.55 EUR
199+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38 Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 157W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
48+4.89 EUR
100+3.24 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC021N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e Description: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.77 EUR
500+6 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4409621.pdf Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.33 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN10S7N021ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1 INFINEON 4198675.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.69 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 62431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
115+2.03 EUR
250+1.38 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD717239BFXQXQLA1 CYPD717239BFXQXQLA1 INFINEON Description: INFINEON - CYPD717239BFXQXQLA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: -
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.9 EUR
28+8.43 EUR
30+7.18 EUR
50+6.85 EUR
100+6.51 EUR
250+6.13 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6433HTMA1 BAS16E6433HTMA1 INFINEON INFNS13366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS16E6433HTMA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 80 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.48 EUR
991+0.21 EUR
1229+0.18 EUR
1397+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS3010B03WE6327HTSA1 BAS3010B03WE6327HTSA1 INFINEON INFNS11689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS3010B03WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 1 A, 550 mV, 10 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS301
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.75 EUR
541+0.43 EUR
663+0.32 EUR
870+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT3BB8CEBQ0AESGS CYT3BB8CEBQ0AESGS INFINEON 3216036.pdf Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 4160KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
MCU-Familie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.21 EUR
6+42.84 EUR
10+35.18 EUR
25+34.38 EUR
50+33.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
110+2.12 EUR
143+1.5 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
110+2.12 EUR
143+1.5 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1 IPD60R180CM8XTMA1 INFINEON Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405 Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
107+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTA60R180CM8XTMA1 IPTA60R180CM8XTMA1 INFINEON 4379503.pdf Description: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1 IPD60R180CM8XTMA1 INFINEON Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405 Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
77+3.03 EUR
107+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTA60R180CM8XTMA1 IPTA60R180CM8XTMA1 INFINEON 4379503.pdf Description: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
65+3.57 EUR
100+2.25 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD320N16SOFHPSA1 TD320N16SOFHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003370694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TD320N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 520A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
RMS-Durchlassstrom: 520A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+244.22 EUR
5+202.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQFH55N04NM6ATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1 INFINEON 4327858.pdf Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD100N16SHPSA1 DD100N16SHPSA1 INFINEON Infineon-DD100N16S-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46148a8bbb90148d043251d2df4 Description: INFINEON - DD100N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 134 A, 1.6 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 134A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.74 EUR
10+46.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL127SABNFB100 S25FL127SABNFB100 INFINEON CYPR-S-A0011121127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL127SABNFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.95 EUR
21+11.21 EUR
25+10.02 EUR
50+9.94 EUR
100+9.88 EUR
250+9.79 EUR
500+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2111STRPBF IR2111STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
115+2.02 EUR
127+1.69 EUR
156+1.38 EUR
250+1.3 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11682STRPBF IR11682STRPBF INFINEON 1904417.pdf Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -25°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 8.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7L046ATMA1 IAUZN04S7L046ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7L046ATMA1 IAUZN04S7L046ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
186+1.25 EUR
195+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
128+1.82 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ30N06S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f471819e61b6 Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
176+1.32 EUR
239+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
128+1.82 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON 4398288.pdf Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON 4398288.pdf Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
45+5.25 EUR
100+3.38 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
50+4.64 EUR
100+3.47 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
105+2.21 EUR
157+1.37 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS40E6327HTSA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAS40E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R050CFD7AATMA1 3629249.pdf
IPBE65R050CFD7AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPBE65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.69 EUR
15+15.61 EUR
18+11.94 EUR
50+10.97 EUR
100+9.15 EUR
250+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon-IPBE65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32a651b7c87
IPBE65R050CFD7AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPBE65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.69 EUR
15+15.61 EUR
18+11.94 EUR
50+10.97 EUR
100+9.15 EUR
250+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB057N06NATMA1 INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB057N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.02 EUR
79+2.98 EUR
89+2.42 EUR
200+1.92 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB057N06NATMA1 INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB057N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
200+1.92 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC45N04S6N070HATMA1 3180277.pdf
IAUC45N04S6N070HATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.09 EUR
120+1.95 EUR
157+1.37 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDR7259XXUMA1 Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16
2EDR7259XXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR7259XXUMA1 - DRIVER IC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.45 EUR
62+3.78 EUR
68+3.17 EUR
100+2.84 EUR
250+2.7 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3038ASXUMA1
1EDI3038ASXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3038ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 15A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.14 EUR
250+4.8 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1010ZTRPBF IRSDS11230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1010ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 3416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
250+1.98 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243
IMCQ120R007M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.172kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+80.72 EUR
5+68.03 EUR
10+56.42 EUR
50+55.29 EUR
100+54.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4025AZI-S413T CYPR-S-A0011119704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025AZI-S413T
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413T - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.79 EUR
43+5.43 EUR
47+4.61 EUR
50+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4025AZI-S413T CYPR-S-A0011119704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025AZI-S413T
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413T - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.79 EUR
43+5.43 EUR
47+4.61 EUR
50+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFN-S-A0001300207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.47 EUR
60+3.9 EUR
100+2.49 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.89 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ017NE2LS5IATMA1 INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ017NE2LS5IATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ017NE2LS5IATMA1 INFN-S-A0001300258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ017NE2LS5IATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFN-S-A0001300207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.89 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
123+1.89 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED2104S06FXUMA1 Infineon-2ED2104S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766af59b160554
2ED2104S06FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2104S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 610ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
134+1.74 EUR
152+1.42 EUR
183+1.18 EUR
250+1.11 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL_QDPAK_FB_V2_1 infineon-user-guide-eval-qdpak-fb-v2-1-usermanual-en.pdf
EVAL_QDPAK_FB_V2_1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL_QDPAK_FB_V2_1 - Evaluationsboard, AIMDQ75R016M2H, SiC-MOSFET, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AIMDQ75R016M2H
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: AIMDQ75R016M2H
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+752.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.34 EUR
53+4.4 EUR
100+2.83 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC023N03LF2SATMA1 4475005.pdf
ISC023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.44 EUR
151+1.55 EUR
199+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N024T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d73f4822d38
IAUCN08S7N024TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 157W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.07 EUR
48+4.89 EUR
100+3.24 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon-BSC021N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e
BSC021N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.77 EUR
500+6 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1 4409621.pdf
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.33 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN10S7N021ATMA1 4198675.pdf
IAUCN10S7N021ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.69 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF 2333691.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7319TRPBF description INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7319TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 62431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.32 EUR
115+2.03 EUR
250+1.38 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
ISZ056N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
ISZ056N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD717239BFXQXQLA1
CYPD717239BFXQXQLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD717239BFXQXQLA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: -
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.9 EUR
28+8.43 EUR
30+7.18 EUR
50+6.85 EUR
100+6.51 EUR
250+6.13 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6433HTMA1 INFNS13366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS16E6433HTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAS16E6433HTMA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 80 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.48 EUR
991+0.21 EUR
1229+0.18 EUR
1397+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS3010B03WE6327HTSA1 INFNS11689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS3010B03WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAS3010B03WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 1 A, 550 mV, 10 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS301
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.75 EUR
541+0.43 EUR
663+0.32 EUR
870+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT3BB8CEBQ0AESGS 3216036.pdf
CYT3BB8CEBQ0AESGS
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 4160KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
MCU-Familie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+51.21 EUR
6+42.84 EUR
10+35.18 EUR
25+34.38 EUR
50+33.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
ISC009N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
110+2.12 EUR
143+1.5 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
ISC009N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.82 EUR
110+2.12 EUR
143+1.5 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1 Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405
IPD60R180CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.03 EUR
107+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTA60R180CM8XTMA1 4379503.pdf
IPTA60R180CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1 Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405
IPD60R180CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.84 EUR
77+3.03 EUR
107+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTA60R180CM8XTMA1 4379503.pdf
IPTA60R180CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6 EUR
65+3.57 EUR
100+2.25 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD320N16SOFHPSA1 INFN-S-A0003370694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TD320N16SOFHPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TD320N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 520A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
RMS-Durchlassstrom: 520A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+244.22 EUR
5+202.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQFH55N04NM6ATMA1 4327858.pdf
IQFH55N04NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.82 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD100N16SHPSA1 Infineon-DD100N16S-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46148a8bbb90148d043251d2df4
DD100N16SHPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DD100N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 134 A, 1.6 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 134A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+51.74 EUR
10+46.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL127SABNFB100 CYPR-S-A0011121127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL127SABNFB100
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABNFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.95 EUR
21+11.21 EUR
25+10.02 EUR
50+9.94 EUR
100+9.88 EUR
250+9.79 EUR
500+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2111STRPBF description INFN-S-A0008964807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2111STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
115+2.02 EUR
127+1.69 EUR
156+1.38 EUR
250+1.3 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11682STRPBF 1904417.pdf
IR11682STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -25°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 8.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd
IAUZN04S7L046ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd
IAUZN04S7L046ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+1.39 EUR
186+1.25 EUR
195+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
IAUC41N06S5L100ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.12 EUR
128+1.82 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZ30N06S5L140ATMA1 Infineon-IAUZ30N06S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f471819e61b6
IAUZ30N06S5L140ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
176+1.32 EUR
239+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
IAUC41N06S5L100ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.12 EUR
128+1.82 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.62 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.62 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5N074ATMA1 4398288.pdf
IAUC60N06S5N074ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5N074ATMA1 4398288.pdf
IAUC60N06S5N074ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c
IAUC120N06S5N011ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.59 EUR
45+5.25 EUR
100+3.38 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c
IAUC120N06S5N011ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4
IAUC120N06S5L015ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.5 EUR
50+4.64 EUR
100+3.47 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4
IAUC120N06S5L015ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.47 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.77 EUR
105+2.21 EUR
157+1.37 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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