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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS61008PMRXUSA1 GS61008PMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226 Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.54 EUR
13+18.93 EUR
15+14.54 EUR
50+13.15 EUR
100+11.63 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508TMRXUSA1 GS66508TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2 Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1 GS66516BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6 Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+113.7 EUR
5+90.62 EUR
10+69.81 EUR
50+68.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506TTRXUMA1 GS66506TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235 Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+63.9 EUR
5+50.66 EUR
10+39.84 EUR
50+35.75 EUR
100+32.96 EUR
250+32.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BMRXUSA1 GS66504BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231 Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.32 EUR
50+20.82 EUR
100+19.3 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508BTRXUMA1 GS66508BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66508B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161c92653de Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
50+41.07 EUR
100+36.28 EUR
250+35.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502BMRXUSA1 GS66502BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.33 EUR
9+27.57 EUR
10+21.63 EUR
50+19.52 EUR
100+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61004BTRXUMA1 GS61004BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61004B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160deb7521f Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.4 EUR
25+9.56 EUR
100+7.33 EUR
500+6.64 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008PMRXUSA1 GS61008PMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226 Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.54 EUR
13+18.93 EUR
15+14.54 EUR
50+13.15 EUR
100+11.63 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008TTRXUMA1 GS61008TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.97 EUR
13+18.71 EUR
15+14.7 EUR
50+13.23 EUR
100+11.7 EUR
250+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BTRXUMA1 GS66504BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231 Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.89 EUR
7+35.78 EUR
10+28.11 EUR
50+25.32 EUR
100+22.38 EUR
250+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.97 EUR
101+2.32 EUR
135+1.58 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA5342MSXUMA1 MA5342MSXUMA1 INFINEON 4180404.pdf Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.07 EUR
25+9.31 EUR
27+7.95 EUR
50+7.58 EUR
100+7.22 EUR
250+6.94 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA5342MSXUMA1 MA5342MSXUMA1 INFINEON 4180404.pdf Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.07 EUR
25+9.31 EUR
27+7.95 EUR
50+7.58 EUR
100+7.22 EUR
250+6.94 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA5302MSXUMA1 MA5302MSXUMA1 INFINEON 4180403.pdf Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2MR12KM1HHPSA1 FF2MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4018769.pdf Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1018.89 EUR
5+927.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2400R12IP7PBPSA1 FF2400R12IP7PBPSA1 INFINEON 4159880.pdf Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2188.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2400R12IP7BPSA1 FF2400R12IP7BPSA1 INFINEON 4159879.pdf Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1985.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 INFINEON 3671357.pdf Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R033M2HXTMA1 IMBG65R033M2HXTMA1 INFINEON 4470071.pdf Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.37 EUR
13+18.49 EUR
15+14.97 EUR
50+13.92 EUR
100+12.77 EUR
250+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R040M2HXTMA1 IMBG65R040M2HXTMA1 INFINEON infineon-imbg65r040m2h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.04 EUR
17+14.39 EUR
20+11.09 EUR
50+10.22 EUR
100+7.52 EUR
250+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 INFINEON 4159864.pdf Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.86 EUR
12+18.68 EUR
50+16.79 EUR
100+14.89 EUR
250+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R033M2HXTMA1 IMBG65R033M2HXTMA1 INFINEON 4470071.pdf Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.37 EUR
13+18.49 EUR
15+14.97 EUR
50+13.92 EUR
100+12.77 EUR
250+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON 4470072.pdf Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.54 EUR
25+9.5 EUR
100+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 INFINEON 4159864.pdf Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.58 EUR
10+23.86 EUR
12+18.68 EUR
50+16.79 EUR
100+14.89 EUR
250+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R040M2HXTMA1 IMBG65R040M2HXTMA1 INFINEON infineon-imbg65r040m2h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.04 EUR
17+14.39 EUR
20+11.09 EUR
50+10.22 EUR
100+7.52 EUR
250+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R010M2HXTMA1 IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON 4470069.pdf Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+32.45 EUR
50+30.26 EUR
100+28.06 EUR
250+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R050M2HXTMA1 IMBG65R050M2HXTMA1 INFINEON 4159866.pdf Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.09 EUR
19+12.63 EUR
21+10.34 EUR
50+9.37 EUR
100+8.38 EUR
250+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R010M2HXTMA1 IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON 4470069.pdf Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.71 EUR
6+41.11 EUR
10+32.45 EUR
50+30.26 EUR
100+28.06 EUR
250+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 INFINEON 4470070.pdf Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.81 EUR
12+21.1 EUR
14+15.96 EUR
50+14.35 EUR
100+12.72 EUR
250+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R050M2HXTMA1 IMBG65R050M2HXTMA1 INFINEON 4159866.pdf Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.09 EUR
19+12.63 EUR
21+10.34 EUR
50+9.37 EUR
100+8.38 EUR
250+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 INFINEON 4470070.pdf Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.81 EUR
12+21.1 EUR
14+15.96 EUR
50+14.35 EUR
100+12.72 EUR
250+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON 4159862.pdf Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+43.54 EUR
50+42.17 EUR
100+40.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON 4159862.pdf Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+69.63 EUR
5+55.93 EUR
10+43.54 EUR
50+42.17 EUR
100+40.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R060M1HXKSA1 IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON 2830775.pdf Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.52 EUR
13+17.01 EUR
50+11.83 EUR
100+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1 INFINEON IMW65R010M2HXKSA1.pdf Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.86 EUR
6+41.03 EUR
10+30.44 EUR
50+29.83 EUR
100+29.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R040M2HXKSA1 IMW65R040M2HXKSA1 INFINEON 4159869.pdf Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.02 EUR
13+18.1 EUR
14+15.37 EUR
50+11.94 EUR
100+10.9 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2HXKSA1 INFINEON IMW65R060M2HXKSA1.pdf Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
15+16.12 EUR
17+13.23 EUR
50+11.97 EUR
100+10.69 EUR
250+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R033M2HXKSA1 IMW65R033M2HXKSA1 INFINEON Infineon-IMW65R033M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501926b64fc70052c Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.74 EUR
13+18.33 EUR
17+12.64 EUR
50+12.19 EUR
100+11.73 EUR
250+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R007M2HXKSA1 IMW65R007M2HXKSA1 INFINEON 4406524.pdf Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+67.95 EUR
5+62.9 EUR
10+57.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMWH170R650M1XKSA1 IMWH170R650M1XKSA1 INFINEON 4198683.pdf Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.82 EUR
23+10.35 EUR
100+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159870.pdf Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 153W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.59 EUR
18+13.32 EUR
23+9.51 EUR
50+8.76 EUR
100+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 INFINEON 4159867.pdf Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.66 EUR
7+38.2 EUR
10+33.93 EUR
50+24.48 EUR
100+22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 TCIXTMA1 INFINEON 4536208.pdf Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sensortyp/-technologie: Gassensor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3.25V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
euEccn: NLR
Messbereich: -
Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.35V
Medium: Gas
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.47 EUR
11+19.94 EUR
50+18.59 EUR
100+17.24 EUR
250+16.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 TCIXTMA1 INFINEON 4536208.pdf Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.47 EUR
11+19.94 EUR
50+18.59 EUR
100+17.24 EUR
250+16.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCSPTOBO1 EB2ED24103D1BCSPTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+228.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCDPTOBO1 EB2ED24103D1BCDPTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006 Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+227.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCDTOBO1 EB2ED24103D1BCDTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006 Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+199.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCSTOBO1 EB2ED24103D1BCSTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+199.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC033N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193916669311276 Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
295+0.79 EUR
378+0.57 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC033N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193916669311276 Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
295+0.79 EUR
378+0.57 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1401Q048F0064AAXTMA1 XMC1401Q048F0064AAXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1401Q048F0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.55 EUR
250+4.22 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1404Q048X0200AAXTMA1 XMC1404Q048X0200AAXTMA1 INFINEON 3757115.pdf Description: INFINEON - XMC1404Q048X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1404Q048X0064AAXTMA1 XMC1404Q048X0064AAXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1404Q048X0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.25 EUR
250+4.87 EUR
500+4.47 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1404Q064X0200AAXTMA1 XMC1404Q064X0200AAXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1100T016F0016ABXUMA1 XMC1100T016F0016ABXUMA1 INFINEON 2580925.pdf Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
236+0.99 EUR
300+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1403Q064X0200AAXTMA1 XMC1403Q064X0200AAXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1403Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
39+6.06 EUR
41+5.3 EUR
50+5.01 EUR
100+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1402Q048X0128AAXTMA1 XMC1402Q048X0128AAXTMA1 INFINEON 3757115.pdf Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
33+7.08 EUR
35+6.15 EUR
50+5.74 EUR
100+5.36 EUR
250+4.97 EUR
500+4.56 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1402Q048X0128AAXTMA1 XMC1402Q048X0128AAXTMA1 INFINEON 3757115.pdf Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.36 EUR
250+4.97 EUR
500+4.56 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008PMRXUSA1 Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226
GS61008PMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.54 EUR
13+18.93 EUR
15+14.54 EUR
50+13.15 EUR
100+11.63 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508TMRXUSA1 Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2
GS66508TMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516BMRXUSA1 Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6
GS66516BMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+113.7 EUR
5+90.62 EUR
10+69.81 EUR
50+68.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506TTRXUMA1 Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235
GS66506TTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+63.9 EUR
5+50.66 EUR
10+39.84 EUR
50+35.75 EUR
100+32.96 EUR
250+32.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BMRXUSA1 Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231
GS66504BMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.32 EUR
50+20.82 EUR
100+19.3 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508BTRXUMA1 Infineon-GS66508B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161c92653de
GS66508BTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
50+41.07 EUR
100+36.28 EUR
250+35.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502BMRXUSA1 Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d
GS66502BMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+35.33 EUR
9+27.57 EUR
10+21.63 EUR
50+19.52 EUR
100+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61004BTRXUMA1 Infineon-GS61004B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160deb7521f
GS61004BTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.4 EUR
25+9.56 EUR
100+7.33 EUR
500+6.64 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008PMRXUSA1 Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226
GS61008PMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.54 EUR
13+18.93 EUR
15+14.54 EUR
50+13.15 EUR
100+11.63 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008TTRXUMA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.97 EUR
13+18.71 EUR
15+14.7 EUR
50+13.23 EUR
100+11.7 EUR
250+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS61008TMRXUSA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BTRXUMA1 Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231
GS66504BTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+45.89 EUR
7+35.78 EUR
10+28.11 EUR
50+25.32 EUR
100+22.38 EUR
250+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.97 EUR
101+2.32 EUR
135+1.58 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA5342MSXUMA1 4180404.pdf
MA5342MSXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.07 EUR
25+9.31 EUR
27+7.95 EUR
50+7.58 EUR
100+7.22 EUR
250+6.94 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA5342MSXUMA1 4180404.pdf
MA5342MSXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.07 EUR
25+9.31 EUR
27+7.95 EUR
50+7.58 EUR
100+7.22 EUR
250+6.94 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA5302MSXUMA1 4180403.pdf
MA5302MSXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2MR12KM1HHPSA1 4018769.pdf
FF2MR12KM1HHPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1018.89 EUR
5+927.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2400R12IP7PBPSA1 4159880.pdf
FF2400R12IP7PBPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2188.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2400R12IP7BPSA1 4159879.pdf
FF2400R12IP7BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1985.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R048M1HXTMA1 3671357.pdf
IMBG65R048M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R033M2HXTMA1 4470071.pdf
IMBG65R033M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.37 EUR
13+18.49 EUR
15+14.97 EUR
50+13.92 EUR
100+12.77 EUR
250+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R040M2HXTMA1 infineon-imbg65r040m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R040M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.04 EUR
17+14.39 EUR
20+11.09 EUR
50+10.22 EUR
100+7.52 EUR
250+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R020M2HXTMA1 4159864.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.86 EUR
12+18.68 EUR
50+16.79 EUR
100+14.89 EUR
250+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R033M2HXTMA1 4470071.pdf
IMBG65R033M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.37 EUR
13+18.49 EUR
15+14.97 EUR
50+13.92 EUR
100+12.77 EUR
250+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R060M2HXTMA1 4470072.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.54 EUR
25+9.5 EUR
100+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R020M2HXTMA1 4159864.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.58 EUR
10+23.86 EUR
12+18.68 EUR
50+16.79 EUR
100+14.89 EUR
250+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R040M2HXTMA1 infineon-imbg65r040m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R040M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.04 EUR
17+14.39 EUR
20+11.09 EUR
50+10.22 EUR
100+7.52 EUR
250+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R010M2HXTMA1 4470069.pdf
IMBG65R010M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+32.45 EUR
50+30.26 EUR
100+28.06 EUR
250+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R050M2HXTMA1 4159866.pdf
IMBG65R050M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.09 EUR
19+12.63 EUR
21+10.34 EUR
50+9.37 EUR
100+8.38 EUR
250+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R010M2HXTMA1 4470069.pdf
IMBG65R010M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+50.71 EUR
6+41.11 EUR
10+32.45 EUR
50+30.26 EUR
100+28.06 EUR
250+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R026M2HXTMA1 4470070.pdf
IMBG65R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.81 EUR
12+21.1 EUR
14+15.96 EUR
50+14.35 EUR
100+12.72 EUR
250+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R050M2HXTMA1 4159866.pdf
IMBG65R050M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.09 EUR
19+12.63 EUR
21+10.34 EUR
50+9.37 EUR
100+8.38 EUR
250+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R026M2HXTMA1 4470070.pdf
IMBG65R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.81 EUR
12+21.1 EUR
14+15.96 EUR
50+14.35 EUR
100+12.72 EUR
250+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R007M2HXTMA1 4159862.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+43.54 EUR
50+42.17 EUR
100+40.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R007M2HXTMA1 4159862.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+69.63 EUR
5+55.93 EUR
10+43.54 EUR
50+42.17 EUR
100+40.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R060M1HXKSA1 2830775.pdf
IMW120R060M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.52 EUR
13+17.01 EUR
50+11.83 EUR
100+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1.pdf
IMW65R010M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+52.86 EUR
6+41.03 EUR
10+30.44 EUR
50+29.83 EUR
100+29.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R040M2HXKSA1 4159869.pdf
IMW65R040M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.02 EUR
13+18.1 EUR
14+15.37 EUR
50+11.94 EUR
100+10.9 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2HXKSA1.pdf
IMW65R060M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
15+16.12 EUR
17+13.23 EUR
50+11.97 EUR
100+10.69 EUR
250+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R033M2HXKSA1 Infineon-IMW65R033M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501926b64fc70052c
IMW65R033M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.74 EUR
13+18.33 EUR
17+12.64 EUR
50+12.19 EUR
100+11.73 EUR
250+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R007M2HXKSA1 4406524.pdf
IMW65R007M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+67.95 EUR
5+62.9 EUR
10+57.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMWH170R650M1XKSA1 4198683.pdf
IMWH170R650M1XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.82 EUR
23+10.35 EUR
100+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 4159870.pdf
IMW65R050M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 153W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.59 EUR
18+13.32 EUR
23+9.51 EUR
50+8.76 EUR
100+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R015M2HXKSA1 4159867.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+42.66 EUR
7+38.2 EUR
10+33.93 EUR
50+24.48 EUR
100+22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 4536208.pdf
TCIXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sensortyp/-technologie: Gassensor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3.25V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
euEccn: NLR
Messbereich: -
Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.35V
Medium: Gas
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.47 EUR
11+19.94 EUR
50+18.59 EUR
100+17.24 EUR
250+16.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 4536208.pdf
TCIXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.47 EUR
11+19.94 EUR
50+18.59 EUR
100+17.24 EUR
250+16.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCSPTOBO1
EB2ED24103D1BCSPTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+228.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCDPTOBO1 Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006
EB2ED24103D1BCDPTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+227.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCDTOBO1 Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006
EB2ED24103D1BCDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+199.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EB2ED24103D1BCSTOBO1
EB2ED24103D1BCSTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+199.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC033N03LF2SATMA1 Infineon-ISC033N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193916669311276
ISC033N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+1.2 EUR
295+0.79 EUR
378+0.57 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC033N03LF2SATMA1 Infineon-ISC033N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193916669311276
ISC033N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+1.2 EUR
295+0.79 EUR
378+0.57 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1401Q048F0064AAXTMA1 INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1401Q048F0064AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1401Q048F0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.55 EUR
250+4.22 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1404Q048X0200AAXTMA1 3757115.pdf
XMC1404Q048X0200AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1404Q048X0064AAXTMA1 INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1404Q048X0064AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.25 EUR
250+4.87 EUR
500+4.47 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1404Q064X0200AAXTMA1 INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1404Q064X0200AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1100T016F0016ABXUMA1 2580925.pdf
XMC1100T016F0016ABXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.5 EUR
236+0.99 EUR
300+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1403Q064X0200AAXTMA1 INFN-S-A0003031669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1403Q064X0200AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1403Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+6.95 EUR
39+6.06 EUR
41+5.3 EUR
50+5.01 EUR
100+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1402Q048X0128AAXTMA1 3757115.pdf
XMC1402Q048X0128AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.5 EUR
33+7.08 EUR
35+6.15 EUR
50+5.74 EUR
100+5.36 EUR
250+4.97 EUR
500+4.56 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1402Q048X0128AAXTMA1 3757115.pdf
XMC1402Q048X0128AAXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.36 EUR
250+4.97 EUR
500+4.56 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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