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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ESD112B102ELE6327XTMA1 ESD112B102ELE6327XTMA1 INFINEON INFNS28129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD112B102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, 29 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), 5.3 V, ESD112-B1-02 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 29V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD112-B1-02 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
368+0.63 EUR
618+0.35 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD110B102ELE6327XTMA1 ESD110B102ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0000149050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD110B102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 44 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), ESD110-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD110-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
393+0.6 EUR
607+0.36 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELSE6327XTSA1 ESD113B102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000321192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD113B102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 20 V, TSSLP-2-4, 2 Pin(s), ESD113-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSSLP-2-4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD113-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD110B102ELE6327XTMA1 ESD110B102ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0000149050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD110B102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 44 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), ESD110-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD110-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
393+0.6 EUR
607+0.36 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELSE6327XTSA1 ESD113B102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000321192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD113B102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 20 V, TSSLP-2-4, 2 Pin(s), ESD113-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSSLP-2-4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD113-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD114U102ELE6327XTMA1 ESD114U102ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0000016051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD114U102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 28 V, TSLP-2-19, 2 Pin(s), ESD114-U1-02
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD114-U1-02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.94 EUR
532+0.44 EUR
695+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1048+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD114U102ELE6327XTMA1 ESD114U102ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0000016051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD114U102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 28 V, TSLP-2-19, 2 Pin(s), ESD114-U1-02
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD114-U1-02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.94 EUR
532+0.44 EUR
695+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1048+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD119B1W01005E6327XTSA1 ESD119B1W01005E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001791943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD119B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 34 V, WLL-2-2, ESD119-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: ESD119-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD119B1W01005E6327XTSA1 ESD119B1W01005E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001791943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD119B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 34 V, WLL-2-2, ESD119-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: ESD119-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD118B1W01005E6327XTSA1 ESD118B1W01005E6327XTSA1 INFINEON 4607653.pdf Description: INFINEON - ESD118B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 11 V, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
1162+0.2 EUR
1469+0.14 EUR
1822+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD118B1W01005E6327XTSA1 ESD118B1W01005E6327XTSA1 INFINEON 4607653.pdf Description: INFINEON - ESD118B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 11 V, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
1162+0.2 EUR
1469+0.14 EUR
1822+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 INFINEON 4406510.pdf Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.15 EUR
22+10.77 EUR
100+7.28 EUR
500+6.99 EUR
1000+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 INFINEON 4758398.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N015GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 165 A, 0.00153 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
90+2.59 EUR
135+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S54LB2ZXKMA1 AMF12S54LB2ZXKMA1 INFINEON 4759665.pdf Description: INFINEON - AMF12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 32 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+46.87 EUR
10+36.44 EUR
50+33.93 EUR
100+31.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S36LB2ZXKMA1 AMF12S36LB2ZXKMA1 INFINEON 4759664.pdf Description: INFINEON - AMF12S36LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+67.93 EUR
5+54.35 EUR
10+42.11 EUR
50+39.25 EUR
100+36.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S18LB2ZXKMA1 AMF12S18LB2ZXKMA1 INFINEON 4759662.pdf Description: INFINEON - AMF12S18LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 83 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+91.96 EUR
5+74.18 EUR
10+58.13 EUR
50+54.43 EUR
100+50.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S25LB2ZXKMA1 AMF12S25LB2ZXKMA1 INFINEON 4759663.pdf Description: INFINEON - AMF12S25LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 241W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+80.37 EUR
5+64.61 EUR
10+50.36 EUR
50+46.76 EUR
100+43.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S62LB2ZXKMA1 AMF12S62LB2ZXKMA1 INFINEON 4759666.pdf Description: INFINEON - AMF12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+54.66 EUR
6+43.92 EUR
10+34.25 EUR
50+32.71 EUR
100+31.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED3141MC12LXUMA1 INFINEON infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED3141MC12LXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 14 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik, PWM
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
61+3.83 EUR
68+3.19 EUR
100+2.89 EUR
250+2.73 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 INFINEON infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
76+3.06 EUR
111+1.94 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 IPD023N03LF2SATMA1 INFINEON 4421044.pdf Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
75+3.13 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 IPD023N03LF2SATMA1 INFINEON 4421044.pdf Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 INFINEON 4421042.pdf Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.84 EUR
29+8.21 EUR
100+6.16 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 INFINEON 4421042.pdf Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.84 EUR
29+8.21 EUR
100+6.16 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON infineon-irfz34npbf-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
198+1.18 EUR
256+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON 3920481.pdf Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
64+3.64 EUR
100+2.81 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON 3920481.pdf Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb014n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.79 EUR
21+11.07 EUR
100+8.2 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
47+5.01 EUR
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.55 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 INFINEON 4406510.pdf Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.15 EUR
22+10.77 EUR
100+7.28 EUR
500+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.57 EUR
52+4.52 EUR
100+3.77 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
62+3.76 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.22 EUR
34+6.91 EUR
100+4.55 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 IRF200B211 INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
62+3.78 EUR
100+2.19 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.25 EUR
18000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
49+4.78 EUR
100+3.81 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1200R45HL4B8BPSA1 INFINEON 4758447.pdf Description: INFINEON - FZ1200R45HL4B8BPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1.2 kA, 2.35 V, 2.65 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2.65kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: IHV-B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.3kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3623.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5406E6327HTSA1 BAT5406E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 51282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
788+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 IPT022N10NF2SATMA1 INFINEON 3812021.pdf Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
27+8.77 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 IPT022N10NF2SATMA1 INFINEON 3812021.pdf Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
33+7.24 EUR
100+4.99 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 INFINEON 3797065.pdf Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STOLLMOSGENERICTOBO1 STOLLMOSGENERICTOBO1 INFINEON 4627588.pdf Description: INFINEON - STOLLMOSGENERICTOBO1 - Evaluationsboard, TLE987x, LIN- und BLDC-MOSFET-Treiber
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE987x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE987x
Prozessorhersteller: Infineon
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+830.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
174+1.33 EUR
195+1.11 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4780BZS1XKLA1 ICE5AR4780BZS1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5AR4780BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4770BZS1XKLA1 ICE5AR4770BZS1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5AR4770BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 14.5W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 14.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
143+1.5 EUR
250+1.34 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5BR4780BZ1XKLA1 ICE5BR4780BZ1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5BR4780BZ1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 65kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
120+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD112B102ELE6327XTMA1 INFNS28129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD112B102ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD112B102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, 29 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), 5.3 V, ESD112-B1-02 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 29V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD112-B1-02 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+1.05 EUR
368+0.63 EUR
618+0.35 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD110B102ELE6327XTMA1 INFN-S-A0000149050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD110B102ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD110B102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 44 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), ESD110-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD110-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
393+0.6 EUR
607+0.36 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0000321192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD113B102ELSE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD113B102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 20 V, TSSLP-2-4, 2 Pin(s), ESD113-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSSLP-2-4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD113-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
333+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD110B102ELE6327XTMA1 INFN-S-A0000149050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD110B102ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD110B102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 44 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), ESD110-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD110-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
393+0.6 EUR
607+0.36 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0000321192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD113B102ELSE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD113B102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 20 V, TSSLP-2-4, 2 Pin(s), ESD113-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSSLP-2-4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD113-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
333+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD114U102ELE6327XTMA1 INFN-S-A0000016051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD114U102ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD114U102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 28 V, TSLP-2-19, 2 Pin(s), ESD114-U1-02
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD114-U1-02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
268+0.94 EUR
532+0.44 EUR
695+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1048+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD114U102ELE6327XTMA1 INFN-S-A0000016051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD114U102ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD114U102ELE6327XTMA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 28 V, TSLP-2-19, 2 Pin(s), ESD114-U1-02
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD114-U1-02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
268+0.94 EUR
532+0.44 EUR
695+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1048+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD119B1W01005E6327XTSA1 INFN-S-A0001791943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD119B1W01005E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD119B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 34 V, WLL-2-2, ESD119-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: ESD119-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD119B1W01005E6327XTSA1 INFN-S-A0001791943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD119B1W01005E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD119B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 34 V, WLL-2-2, ESD119-B1
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: ESD119-B1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD118B1W01005E6327XTSA1 4607653.pdf
ESD118B1W01005E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD118B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 11 V, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
503+0.5 EUR
1162+0.2 EUR
1469+0.14 EUR
1822+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD118B1W01005E6327XTSA1 4607653.pdf
ESD118B1W01005E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD118B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 11 V, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
503+0.5 EUR
1162+0.2 EUR
1469+0.14 EUR
1822+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N15NM6ATMA1 4406510.pdf
IPB029N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.15 EUR
22+10.77 EUR
100+7.28 EUR
500+6.99 EUR
1000+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N015GATMA1 4758398.pdf
IAUCN04S7N015GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N015GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 165 A, 0.00153 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.47 EUR
90+2.59 EUR
135+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S54LB2ZXKMA1 4759665.pdf
AMF12S54LB2ZXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 32 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+46.87 EUR
10+36.44 EUR
50+33.93 EUR
100+31.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S36LB2ZXKMA1 4759664.pdf
AMF12S36LB2ZXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S36LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+67.93 EUR
5+54.35 EUR
10+42.11 EUR
50+39.25 EUR
100+36.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S18LB2ZXKMA1 4759662.pdf
AMF12S18LB2ZXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S18LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 83 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+91.96 EUR
5+74.18 EUR
10+58.13 EUR
50+54.43 EUR
100+50.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S25LB2ZXKMA1 4759663.pdf
AMF12S25LB2ZXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S25LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 241W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+80.37 EUR
5+64.61 EUR
10+50.36 EUR
50+46.76 EUR
100+43.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMF12S62LB2ZXKMA1 4759666.pdf
AMF12S62LB2ZXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+54.66 EUR
6+43.92 EUR
10+34.25 EUR
50+32.71 EUR
100+31.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED3141MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED3141MC12LXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 14 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik, PWM
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
61+3.83 EUR
68+3.19 EUR
100+2.89 EUR
250+2.73 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.15 EUR
76+3.06 EUR
111+1.94 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 4421044.pdf
IPD023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.27 EUR
75+3.13 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 4421044.pdf
IPD023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.13 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 4421042.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.84 EUR
29+8.21 EUR
100+6.16 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 4421042.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.84 EUR
29+8.21 EUR
100+6.16 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF infineon-irfz34npbf-datasheet-en.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
198+1.18 EUR
256+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 3920481.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.72 EUR
64+3.64 EUR
100+2.81 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 3920481.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1 infineon-ipb014n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.79 EUR
21+11.07 EUR
100+8.2 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
47+5.01 EUR
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf
IPB021N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.55 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N15NM6ATMA1 4406510.pdf
IPB029N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.15 EUR
22+10.77 EUR
100+7.28 EUR
500+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
IPB051N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.57 EUR
52+4.52 EUR
100+3.77 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.5 EUR
62+3.76 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.22 EUR
34+6.91 EUR
100+4.55 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF200B211
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.88 EUR
62+3.78 EUR
100+2.19 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
IPD047N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
IPD047N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.25 EUR
18000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.59 EUR
49+4.78 EUR
100+3.81 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1200R45HL4B8BPSA1 4758447.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ1200R45HL4B8BPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1.2 kA, 2.35 V, 2.65 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2.65kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: IHV-B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.3kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3623.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5406E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 51282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
329+0.76 EUR
788+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 4098635.pdf
IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 3812021.pdf
IPT022N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.45 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 4098635.pdf
IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.09 EUR
27+8.77 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 3812021.pdf
IPT022N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.92 EUR
33+7.24 EUR
100+4.99 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1 3797065.pdf
IPT014N08NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STOLLMOSGENERICTOBO1 4627588.pdf
STOLLMOSGENERICTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - STOLLMOSGENERICTOBO1 - Evaluationsboard, TLE987x, LIN- und BLDC-MOSFET-Treiber
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE987x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE987x
Prozessorhersteller: Infineon
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+830.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
IPU95R3K7P7AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.25 EUR
174+1.33 EUR
195+1.11 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4780BZS1XKLA1 4470058.pdf
ICE5AR4780BZS1XKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4780BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4770BZS1XKLA1 4470058.pdf
ICE5AR4770BZS1XKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4770BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 14.5W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 14.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.5 EUR
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
143+1.5 EUR
250+1.34 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5BR4780BZ1XKLA1 4470058.pdf
ICE5BR4780BZ1XKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5BR4780BZ1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 65kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
120+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH