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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EVALKITTLE92102QVWTOBO1 EVALKITTLE92102QVWTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC
tariffCode: 84732990
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: TLE92102QVW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+230.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW20835PB1KML1GGF CYW20835PB1KML1GGF INFINEON 3920495.pdf Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC
Zertifikate: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
53+4.45 EUR
56+3.86 EUR
60+3.62 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW20829B0-P4TAI100 CYW20829B0-P4TAI100 INFINEON 4162880.pdf Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -106dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.42 EUR
13+18.56 EUR
14+15.98 EUR
50+15.12 EUR
100+14.01 EUR
250+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 INFINEON 4406525.pdf Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.81 EUR
5+62.56 EUR
10+47.06 EUR
50+46.11 EUR
100+45.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L420R12D3H7FBPSA1 F3L420R12D3H7FBPSA1 INFINEON 4777925.pdf Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 360A
Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+688.84 EUR
5+626.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L420R12D3H7B78BPSA1 F3L420R12D3H7B78BPSA1 INFINEON 4777926.pdf Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: EasyPACK HD3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+834.17 EUR
5+677.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON 2211671.pdf Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
156+1.5 EUR
197+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS21271STRPBF IRS21271STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
57+4.08 EUR
100+3.05 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE62513GXUMA2 TLE62513GXUMA2 INFINEON 2849715.pdf Description: INFINEON - TLE62513GXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
56+4.18 EUR
60+3.62 EUR
61+3.51 EUR
100+3.4 EUR
250+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON INFNS10744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS2103WE6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
245+0.95 EUR
415+0.51 EUR
559+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS70E6327HTSA1 BAS70E6327HTSA1 INFINEON INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.86 EUR
637+0.37 EUR
730+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-222014-EVAL CYBLE-222014-EVAL INFINEON 2148640.pdf Description: INFINEON - CYBLE-222014-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-222014-01, Bluetooth LE-PRoC-Drahtlosmodul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYBLE-222014-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SE8228XKSA1 IPA60R360P7SE8228XKSA1 INFINEON 4768077.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7SE8228XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
88+2.64 EUR
134+1.59 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5BR3995AG1XUMA1 ICE5BR3995AG1XUMA1 INFINEON infineon-gen5-plus-ff-dso12-ice5xrxxxxag-1-ds-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ICE5BR3995AG1XUMA1 - AC/DC-Wandler, Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 9.4-32Vin, 16.5W, 65kHz, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 950V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 16.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
114+2.05 EUR
126+1.71 EUR
142+1.51 EUR
250+1.43 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 INFINEON 4473611.pdf Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 - Evaluationsboard, FS02MR12A8MA2B, SiC-MOSFET-Modul
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS02MR12A8MA2B
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Modul
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: FS02MR12A8MA2B
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+14634.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP083N10N5XKSA1 INFINEON infineon-ipp083n10n5-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP083N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0083 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
69+3.37 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N10S3L-16-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.97 EUR
56+4.2 EUR
100+2.65 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12ME7WBPSA1 FF900R12ME7WBPSA1 INFINEON 4421926.pdf Description: INFINEON - FF900R12ME7WBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 890 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 890A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+396.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12ME7BPSA1 FF900R12ME7BPSA1 INFINEON 4421299.pdf Description: INFINEON - FF900R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+371.23 EUR
5+337.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 INFINEON INFNS19423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.79 EUR
30+7.77 EUR
100+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2213STRPBF IR2213STRPBF INFINEON 2331319.pdf Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.84 EUR
19+12.7 EUR
25+10.84 EUR
50+10.36 EUR
100+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R155CFD7XTMA1 IPT65R155CFD7XTMA1 INFINEON 3968273.pdf Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R155CFD7XTMA1 IPT65R155CFD7XTMA1 INFINEON 3968273.pdf Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
41+5.74 EUR
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R080CFD7XTMA1 IPT65R080CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R080CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d11e89546f Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R080CFD7XTMA1 IPT65R080CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R080CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d11e89546f Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
73+3.2 EUR
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 INFINEON 1926745.pdf Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+110.8 EUR
5+88.52 EUR
10+68.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 295A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+317.75 EUR
5+270.45 EUR
10+226.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ3600R17HP4B2BOSA2 FZ3600R17HP4B2BOSA2 INFINEON 2577545.pdf Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3696.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.56 EUR
1029+0.23 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
1029+0.23 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.65 EUR
51+4.59 EUR
56+3.86 EUR
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1 INFINEON infineon-ipp034n08n5-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP034N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
60+3.93 EUR
100+3.26 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD6150XUMA1 ILD6150XUMA1 INFINEON 2117688.pdf Description: INFINEON - ILD6150XUMA1 - LED-Treiber, Buck, 1MHz, 4.5V bis 60V Versorgung, 1 Ausgang, -40°C bis 150°C, DSO-8
tariffCode: 85423390
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
Bauform - Treiber: DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIRXTMA1 TCIRXTMA1 INFINEON 4758628.pdf Description: INFINEON - TCIRXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe, DSOSP-14
tariffCode: 90271010
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sensortyp/-technologie: Wärmeleitfähigkeitsdetektor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP-84
Messbereich: -
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Abtastmethode: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Medium: Gas
Ausgangsschnittstelle: I2C
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.99 EUR
10+23.45 EUR
11+20.13 EUR
50+16.98 EUR
100+15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 TCIXTMA1 INFINEON 4536208.pdf Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.67 EUR
11+19.9 EUR
50+18.29 EUR
100+17.67 EUR
250+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON 2354729.pdf Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
149+1.56 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.52 EUR
31+7.62 EUR
50+6.1 EUR
200+5.19 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N040HATMA1 INFINEON 4782327.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N040HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 82 A, 4010 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 82A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4010µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
109+2.14 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
51+4.57 EUR
67+3.21 EUR
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON 1302215.pdf Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
42+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 4045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
43+5.52 EUR
100+4.31 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 INFINEON 3208414.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.02 EUR
5+53.54 EUR
10+43.93 EUR
50+40.97 EUR
100+38 EUR
250+37.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
88+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ120N75EH7XKSA1 IKQ120N75EH7XKSA1 INFINEON 4603901.pdf Description: INFINEON - IKQ120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.26 EUR
14+17.4 EUR
17+13.04 EUR
50+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY120N75EH7XKSA1 IKY120N75EH7XKSA1 INFINEON 4603902.pdf Description: INFINEON - IKY120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 ESD122U1W0201E6327XTSA1 INFINEON 4607655.pdf Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 2.1V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 ESD122U1W0201E6327XTSA1 INFINEON 4607655.pdf Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S407ATMA2 INFINEON Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD520N22KOFXPSA1 TD520N22KOFXPSA1 INFINEON 4760975.pdf Description: INFINEON - TD520N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A If, 250mA Igt, 2.2kV Vr, 2.2Vgt, 5-polig, Panelmontage
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 520A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TD Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+888.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
77+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 S25FL256SAGMFI013 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 S25FL256SAGMFI013 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALKITTLE92102QVWTOBO1
EVALKITTLE92102QVWTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC
tariffCode: 84732990
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: TLE92102QVW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+230.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW20835PB1KML1GGF 3920495.pdf
CYW20835PB1KML1GGF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC
Zertifikate: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.25 EUR
53+4.45 EUR
56+3.86 EUR
60+3.62 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW20829B0-P4TAI100 4162880.pdf
CYW20829B0-P4TAI100
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -106dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.42 EUR
13+18.56 EUR
14+15.98 EUR
50+15.12 EUR
100+14.01 EUR
250+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1 4406525.pdf
IMZA65R007M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+79.81 EUR
5+62.56 EUR
10+47.06 EUR
50+46.11 EUR
100+45.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L420R12D3H7FBPSA1 4777925.pdf
F3L420R12D3H7FBPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 360A
Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+688.84 EUR
5+626.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L420R12D3H7B78BPSA1 4777926.pdf
F3L420R12D3H7B78BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: EasyPACK HD3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+834.17 EUR
5+677.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS25752LTRPBF 2211671.pdf
IRS25752LTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.25 EUR
156+1.5 EUR
197+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS21271STRPBF INFN-S-A0008993337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21271STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7343QTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
57+4.08 EUR
100+3.05 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7343QTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE62513GXUMA2 2849715.pdf
TLE62513GXUMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE62513GXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.07 EUR
56+4.18 EUR
60+3.62 EUR
61+3.51 EUR
100+3.4 EUR
250+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS2103WE6327HTSA1 INFNS10744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS2103WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAS2103WE6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1.44 EUR
245+0.95 EUR
415+0.51 EUR
559+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS70E6327HTSA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.86 EUR
637+0.37 EUR
730+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-222014-EVAL 2148640.pdf
CYBLE-222014-EVAL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-222014-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-222014-01, Bluetooth LE-PRoC-Drahtlosmodul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYBLE-222014-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+42.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SE8228XKSA1 4768077.pdf
IPA60R360P7SE8228XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7SE8228XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.52 EUR
88+2.64 EUR
134+1.59 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5BR3995AG1XUMA1 infineon-gen5-plus-ff-dso12-ice5xrxxxxag-1-ds-datasheet-en.pdf
ICE5BR3995AG1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5BR3995AG1XUMA1 - AC/DC-Wandler, Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 9.4-32Vin, 16.5W, 65kHz, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 950V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 16.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+3.02 EUR
114+2.05 EUR
126+1.71 EUR
142+1.51 EUR
250+1.43 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 4473611.pdf
EVINVHPD2SICFS0212TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 - Evaluationsboard, FS02MR12A8MA2B, SiC-MOSFET-Modul
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS02MR12A8MA2B
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Modul
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: FS02MR12A8MA2B
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14634.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP083N10N5XKSA1 infineon-ipp083n10n5-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP083N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0083 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.27 EUR
69+3.37 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N10S3L16ATMA2 Infineon-IPD50N10S3L-16-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e
IPD50N10S3L16ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+6.97 EUR
56+4.2 EUR
100+2.65 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12ME7WBPSA1 4421926.pdf
FF900R12ME7WBPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7WBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 890 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 890A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+396.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12ME7BPSA1 4421299.pdf
FF900R12ME7BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+371.23 EUR
5+337.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3FKSA1 INFNS19423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW20N60C3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.79 EUR
30+7.77 EUR
100+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2213STRPBF 2331319.pdf
IR2213STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2213STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 12-20V Versorgungsspannung, 2Aout, 225ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 225ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.84 EUR
19+12.7 EUR
25+10.84 EUR
50+10.36 EUR
100+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R155CFD7XTMA1 3968273.pdf
IPT65R155CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R155CFD7XTMA1 3968273.pdf
IPT65R155CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+8 EUR
41+5.74 EUR
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R080CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d11e89546f
IPT65R080CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R080CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d11e89546f
IPT65R080CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed
IPD046N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.52 EUR
73+3.2 EUR
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12W2T4B11BOMA1 1926745.pdf
FP25R12W2T4B11BOMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+110.8 EUR
5+88.52 EUR
10+68.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 INFNS28353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 295A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+317.75 EUR
5+270.45 EUR
10+226.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ3600R17HP4B2BOSA2 2577545.pdf
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3696.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e
BSS84IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.56 EUR
1029+0.23 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e
BSS84IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
447+0.56 EUR
1029+0.23 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.65 EUR
51+4.59 EUR
56+3.86 EUR
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1 infineon-ipp034n08n5-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP034N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.32 EUR
60+3.93 EUR
100+3.26 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD6150XUMA1 2117688.pdf
ILD6150XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ILD6150XUMA1 - LED-Treiber, Buck, 1MHz, 4.5V bis 60V Versorgung, 1 Ausgang, -40°C bis 150°C, DSO-8
tariffCode: 85423390
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
Bauform - Treiber: DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIRXTMA1 4758628.pdf
TCIRXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIRXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe, DSOSP-14
tariffCode: 90271010
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sensortyp/-technologie: Wärmeleitfähigkeitsdetektor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP-84
Messbereich: -
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Abtastmethode: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Medium: Gas
Ausgangsschnittstelle: I2C
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.99 EUR
10+23.45 EUR
11+20.13 EUR
50+16.98 EUR
100+15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 4536208.pdf
TCIXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.67 EUR
11+19.9 EUR
50+18.29 EUR
100+17.67 EUR
250+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed
IPD046N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 2354729.pdf
IRF40R207
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
149+1.56 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae
IPB110P06LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.52 EUR
31+7.62 EUR
50+6.1 EUR
200+5.19 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N040HATMA1 4782327.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N040HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 82 A, 4010 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 82A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4010µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.77 EUR
109+2.14 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.62 EUR
51+4.57 EUR
67+3.21 EUR
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBF 1302215.pdf
IRF1405ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.47 EUR
42+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4110GPBF INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI4110GPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 4045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.7 EUR
43+5.52 EUR
100+4.31 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1 3208414.pdf
IPDQ60R010S7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+64.02 EUR
5+53.54 EUR
10+43.93 EUR
50+40.97 EUR
100+38 EUR
250+37.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.55 EUR
88+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ120N75EH7XKSA1 4603901.pdf
IKQ120N75EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.26 EUR
14+17.4 EUR
17+13.04 EUR
50+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY120N75EH7XKSA1 4603902.pdf
IKY120N75EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 4607655.pdf
ESD122U1W0201E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 2.1V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 4607655.pdf
ESD122U1W0201E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S407ATMA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD520N22KOFXPSA1 4760975.pdf
TD520N22KOFXPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TD520N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A If, 250mA Igt, 2.2kV Vr, 2.2Vgt, 5-polig, Panelmontage
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 520A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TD Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+888.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.07 EUR
77+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGMFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGMFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH