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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2ED3141MC12LXUMA1 INFINEON infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED3141MC12LXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 14 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik, PWM
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
61+3.83 EUR
68+3.19 EUR
100+2.89 EUR
250+2.73 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 INFINEON infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
59+3.96 EUR
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 IPD023N03LF2SATMA1 INFINEON 4421044.pdf Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
71+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 IPD023N03LF2SATMA1 INFINEON 4421044.pdf Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 INFINEON 4421042.pdf Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 INFINEON 4421042.pdf Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
30+7.98 EUR
100+6 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON 140096.pdf Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 3689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
169+1.37 EUR
191+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON 3920481.pdf Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
102+2.11 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON 3920481.pdf Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
102+2.11 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb014n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.79 EUR
21+11.07 EUR
100+8.2 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
47+5.01 EUR
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.55 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 INFINEON 4406510.pdf Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.15 EUR
22+10.77 EUR
100+7.28 EUR
500+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.7 EUR
44+5.32 EUR
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
63+3.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
38+6.26 EUR
100+4.13 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 IRF200B211 INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
62+3.78 EUR
100+2.19 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.23 EUR
18000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
49+4.78 EUR
100+3.81 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1200R45HL4B8BPSA1 INFINEON 4758447.pdf Description: INFINEON - FZ1200R45HL4B8BPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1.2 kA, 2.35 V, 2.65 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2.65kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: IHV-B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.3kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3623.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5406E6327HTSA1 BAT5406E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 52607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
788+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 IPT022N10NF2SATMA1 INFINEON 3812021.pdf Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
27+8.77 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 IPT022N10NF2SATMA1 INFINEON 3812021.pdf Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
33+7.24 EUR
100+4.99 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 INFINEON 3797065.pdf Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STOLLMOSGENERICTOBO1 STOLLMOSGENERICTOBO1 INFINEON 4627588.pdf Description: INFINEON - STOLLMOSGENERICTOBO1 - Evaluationsboard, TLE987x, LIN- und BLDC-MOSFET-Treiber
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE987x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE987x
Prozessorhersteller: Infineon
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+830.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
174+1.33 EUR
195+1.11 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4780BZS1XKLA1 ICE5AR4780BZS1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5AR4780BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4770BZS1XKLA1 ICE5AR4770BZS1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5AR4770BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 14.5W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 14.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
143+1.5 EUR
250+1.34 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5BR4780BZ1XKLA1 ICE5BR4780BZ1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5BR4780BZ1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 65kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
107+2.01 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.68 EUR
50+4.64 EUR
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.68 EUR
50+4.64 EUR
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL064LABMFI013 S25FL064LABMFI013 INFINEON infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
250+2.89 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGATMA1 IQE031N08LM6CGATMA1 INFINEON 4607649.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
52+4.55 EUR
100+3.27 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 INFINEON 4607648.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGATMA1 IQE031N08LM6CGATMA1 INFINEON 4607649.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 INFINEON 4607648.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
auf Bestellung 9283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.09 EUR
43+5.52 EUR
100+3.7 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGSCATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.97 EUR
49+4.83 EUR
100+3.15 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.19 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGSCATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.04 EUR
43+5.47 EUR
100+3.69 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.2 EUR
47+4.94 EUR
100+3.19 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409622.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409622.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.47 EUR
34+6.99 EUR
100+4.82 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED3141MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED3141MC12LXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 14 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik, PWM
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
61+3.83 EUR
68+3.19 EUR
100+2.89 EUR
250+2.73 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.57 EUR
59+3.96 EUR
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 4421044.pdf
IPD023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.57 EUR
71+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD023N03LF2SATMA1 4421044.pdf
IPD023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 4421042.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUTN08S5N012LATMA1 4421042.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.42 EUR
30+7.98 EUR
100+6 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF 140096.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 3689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.2 EUR
169+1.37 EUR
191+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 3920481.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
102+2.11 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06NF2SATMA1 3920481.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.57 EUR
102+2.11 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1 infineon-ipb014n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.79 EUR
21+11.07 EUR
100+8.2 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
47+5.01 EUR
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf
IPB021N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.55 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N15NM6ATMA1 4406510.pdf
IPB029N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.15 EUR
22+10.77 EUR
100+7.28 EUR
500+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB0401NM5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.26 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
IPB051N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.7 EUR
44+5.32 EUR
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
IPB051N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.45 EUR
63+3.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.46 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.17 EUR
38+6.26 EUR
100+4.13 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF200B211
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.88 EUR
62+3.78 EUR
100+2.19 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
IPD047N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
IPD047N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.84 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.23 EUR
18000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.59 EUR
49+4.78 EUR
100+3.81 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1200R45HL4B8BPSA1 4758447.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ1200R45HL4B8BPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1.2 kA, 2.35 V, 2.65 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2.65kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: IHV-B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.3kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3623.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5406E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 52607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
329+0.76 EUR
788+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 4098635.pdf
IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 3812021.pdf
IPT022N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.45 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1 4098635.pdf
IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.09 EUR
27+8.77 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1 3812021.pdf
IPT022N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.92 EUR
33+7.24 EUR
100+4.99 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1 3797065.pdf
IPT014N08NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1 infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STOLLMOSGENERICTOBO1 4627588.pdf
STOLLMOSGENERICTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - STOLLMOSGENERICTOBO1 - Evaluationsboard, TLE987x, LIN- und BLDC-MOSFET-Treiber
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE987x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE987x
Prozessorhersteller: Infineon
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+830.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
IPU95R3K7P7AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.25 EUR
174+1.33 EUR
195+1.11 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4780BZS1XKLA1 4470058.pdf
ICE5AR4780BZS1XKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4780BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5AR4770BZS1XKLA1 4470058.pdf
ICE5AR4770BZS1XKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4770BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 14.5W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 14.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.5 EUR
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
143+1.5 EUR
250+1.34 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5BR4780BZ1XKLA1 4470058.pdf
ICE5BR4780BZ1XKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5BR4780BZ1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 65kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
112+2.07 EUR
142+1.51 EUR
160+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
107+2.01 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6ATMA1 infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6CGATMA1 infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.68 EUR
50+4.64 EUR
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6ATMA1 infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.68 EUR
50+4.64 EUR
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE018N06NM6CGATMA1 infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL064LABMFI013 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
S25FL064LABMFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
250+2.89 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGATMA1 4607649.pdf
IQE031N08LM6CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.29 EUR
52+4.55 EUR
100+3.27 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGSCATMA1 4607648.pdf
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGATMA1 4607649.pdf
IQE031N08LM6CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE031N08LM6CGSCATMA1 4607648.pdf
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
auf Bestellung 9283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.09 EUR
43+5.52 EUR
100+3.7 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGSCATMA1 infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.69 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6ATMA1 infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+7.97 EUR
49+4.83 EUR
100+3.15 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGATMA1 infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.19 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGSCATMA1 infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.04 EUR
43+5.47 EUR
100+3.69 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6ATMA1 infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE036N08NM6CGATMA1 infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.2 EUR
47+4.94 EUR
100+3.19 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 4409622.pdf
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.82 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 4409622.pdf
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.47 EUR
34+6.99 EUR
100+4.82 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH