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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
XMC1302Q024F0064ABXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - XMC1302Q024F0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 13Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 32MHz euEccn: NLR RAM-Speichergröße: 16KB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYTVII-B-E-100-SO	INFINEON	Description: INFINEON - CYTVII-B-E-100-SO - Evaluationsboard, CYT2B75CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit tariffCode: 84715000 Prozessorkern: CYT2B75CABES productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: Traveo II Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CABES euEccn: NLR Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYTVII-B-E-1M-SK	INFINEON	Description: INFINEON - CYTVII-B-E-1M-SK - Evaluationsboard, CYT2B75CADES, 32 Bit, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+ tariffCode: 85437090 Prozessorkern: CYT2B75CADES productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: Traveo T2G Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CADES euEccn: NLR Prozessorserie: Cortex-M4F, Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYTVII-B-E-176-SO	INFINEON	Description: INFINEON - CYTVII-B-E-176-SO - Evaluationsboard, CYT2B78CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit tariffCode: 84715000 Prozessorkern: CYT2B78CABES productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: Traveo II Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B78CABES euEccn: NLR isCanonical: Y Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYTVII-B-H-176-SO	INFINEON	Description: INFINEON - CYTVII-B-H-176-SO - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F tariffCode: 85437090 Prozessorkern: CYT4BF8C productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: Traveo II Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C euEccn: NLR Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS131IXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99	auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS131IXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1	INFINEON	Description: INFINEON - TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP B2G, Power-Management, Aufwärtsregler tariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLD5099EP Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP B2G euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Unterart Anwendung: Aufwärtsregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB026N06NATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB7259YXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB9259YXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 2443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDR8259XXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDR8258XXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB8259FXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDR6258XXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB8259FXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB7259YXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB8259YXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 2434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1	INFINEON	Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung tariffCode: 85437090 Prozessorkern: TLE9166EQ Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ euEccn: NLR Unterart Anwendung: Türsteuerung hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLS203B0EJVXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.22V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.3V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1EDI3025ASXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: PWM usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66502BMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.6nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66508TMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.1nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008TTRXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008PMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66508TMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66516BMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66506TTRXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66504BMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66508BTRXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66502BMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61004BTRXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008PMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008TTRXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008TMRXUSA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66504BTRXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC0803LSATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MA5342MSXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Lastimpedanz: 8ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MA5342MSXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Lastimpedanz: 8ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MA5302MSXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: 2ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF2MR12KM1HHPSA1	INFINEON	Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF2400R12IP7PBPSA1	INFINEON	Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF2400R12IP7BPSA1	INFINEON	Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R048M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 183W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R033M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R040M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R020M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R033M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R060M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R020M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R040M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R010M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R050M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R010M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R026M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R050M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R026M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R007M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R007M2HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW120R060M1HXKSA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XMC1302Q024F0064ABXTMA1

INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024F0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6000 Stücke:

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