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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TLE493DP3B6A2HTSA1 TLE493DP3B6A2HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A0HTSA1 TLE493DP3B6A0HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW3B6B1HTSA1 TLE493DW3B6B1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: INFINEON - TLE493DW3B6B1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
250+2.44 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A1HTSA1 TLE493DP3B6A1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A1HTSA1 TLE493DP3B6A1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
69+3.37 EUR
73+2.95 EUR
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
484+0.48 EUR
658+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1 IPT009N06NM5ATMA1 INFINEON 4000742.pdf Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 INFINEON Infineon-CY8C41x5_CY8C41x6_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817712a75d7a Description: INFINEON - CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 - ARM-MCU, PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4100
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: HVMS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 41I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.97 EUR
13+18.75 EUR
25+16.49 EUR
50+15.4 EUR
100+14.3 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N045TATMA1 IAUCN08S7N045TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4 Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
57+4.08 EUR
100+2.62 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 INFINEON infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+410.45 EUR
5+378.75 EUR
10+347.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 INFINEON infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+509.77 EUR
5+431.73 EUR
10+360.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE95633QXXUMA1 TLE95633QXXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9563-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca35bade3876 Description: INFINEON - TLE95633QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
auf Bestellung 3011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.31 EUR
250+4.12 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 INFINEON INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 INFINEON INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS1000R08A7P3BHPSA1 FS1000R08A7P3BHPSA1 INFINEON 4590045.pdf Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+920.29 EUR
5+837.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R12KT4B16BOSA1 FP75R12KT4B16BOSA1 INFINEON 4626549.pdf Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+230.11 EUR
5+207.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R06KE3BOSA1 FP100R06KE3BOSA1 INFINEON 2255567.pdf Description: INFINEON - FP100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+235.93 EUR
5+200.66 EUR
10+168.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 8938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
104+2.24 EUR
143+1.51 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12IE4BOSA1 FF900R12IE4BOSA1 INFINEON Infineon-FF900R12IE4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011febc3dd603eec Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
Verlustleistung: 5.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1459.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+1.27 EUR
443+0.52 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 23205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
354+0.65 EUR
511+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+1.27 EUR
443+0.52 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 INFINEON Infineon-AURIX-TC4Dx_A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197acf008b77e49 Description: INFINEON - TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 500 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 20MB
Versorgungsspannung, min.: 943mV
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
MCU-Familie: AURIX
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 10.8MB
MCU-Baureihe: TC4Dx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: -
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 1.128V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, FlexRay, I2C, PCIe, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+200.07 EUR
5+177.19 EUR
10+155.66 EUR
25+147.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON 3974510.pdf Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.34 EUR
50+20.5 EUR
100+18.66 EUR
250+18.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON 3974510.pdf Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.67 EUR
10+26.88 EUR
50+24.63 EUR
100+22.38 EUR
250+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON 4520232.pdf Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
23+9.62 EUR
50+8.84 EUR
100+7.09 EUR
250+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R060M2HXUMA1 IMT65R060M2HXUMA1 INFINEON 4503013.pdf Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.45 EUR
24+9.79 EUR
100+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON 4520232.pdf Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 INFINEON 4503010.pdf Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.44 EUR
12+19.74 EUR
15+14.63 EUR
50+13.52 EUR
100+12.4 EUR
250+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 INFINEON 4503009.pdf Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 365W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.11 EUR
12+19.68 EUR
15+14.78 EUR
50+13.47 EUR
100+12.15 EUR
250+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.61 EUR
16+15.22 EUR
20+11.27 EUR
50+10.02 EUR
100+8.76 EUR
250+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 INFINEON 4503012.pdf Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.82 EUR
23+10.35 EUR
100+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.32 EUR
26+8.94 EUR
100+5.94 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R015M2HXTMA2 IMT44R015M2HXTMA2 INFINEON 4609068.pdf Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.39 EUR
11+22.37 EUR
13+16.97 EUR
50+15.53 EUR
100+14.09 EUR
250+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+47.73 EUR
7+38.13 EUR
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON 4609067.pdf Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.78 EUR
8+29.17 EUR
10+22.3 EUR
50+20.72 EUR
100+19.12 EUR
250+18.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.52 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
120+1.95 EUR
250+1.3 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 INFINEON Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3 Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+360.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS35R12W1T4BOMA1 FS35R12W1T4BOMA1 INFINEON 2079074.pdf Description: INFINEON - FS35R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 65 A, 1.85 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 225W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.77 EUR
5+52.61 EUR
10+41.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 - Demoboard, TLE9252VSK, CAN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9252VSK
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9252VSK
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+217.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7XKSA1 IPA60R360P7XKSA1 INFINEON 2718756.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
75+3.11 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON 3154645.pdf Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-333047-02 CYBT-333047-02 INFINEON Infineon-CYBT-3330xx-02_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7e45970cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYBT-333047-02 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 1/2, 4Mbit/s, -96.5dBm, 2.3-3.6V, -30-85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -96.5dBm
Übertragungsrate: 4Mbps
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -96.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.44 EUR
11+20 EUR
50+18.18 EUR
100+16.34 EUR
250+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 INFINEON 4473611.pdf Description: INFINEON - EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 - Evaluationskit, FS520R12A8P1LB, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: 3A225
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS520R12A8P1LB, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: FS520R12A8P1LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A225
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+8596.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD609812BEVALTOBO1 TLD609812BEVALTOBO1 INFINEON infineon-infineon-z8f80416293-tld6098-1-2b-eval-ug-en.pdf-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - TLD609812BEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLD6098-1EP, 8V bis 27Vin, 50Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD6098-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 48.6V
Core-Chip: TLD6098-1EP
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 27V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: Boost
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+269.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON 4384402.pdf Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
65+3.62 EUR
103+2.09 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.11 EUR
29+8.14 EUR
100+5.74 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.34 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON 4421043.pdf Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
102+2.12 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON 4146085.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.92 EUR
25+9.28 EUR
100+6.21 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A2HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A2HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A0HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A0HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW3B6B1HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B1HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW3B6B1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
250+2.44 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A1HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A1HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DP3B6A1HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A1HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.55 EUR
69+3.37 EUR
73+2.95 EUR
100+2.81 EUR
250+2.65 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
317+0.79 EUR
484+0.48 EUR
658+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1 4000742.pdf
IPT009N06NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 Infineon-CY8C41x5_CY8C41x6_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817712a75d7a
CY8C4146LWEHVS015XXQLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 - ARM-MCU, PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4100
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: HVMS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 41I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.97 EUR
13+18.75 EUR
25+16.49 EUR
50+15.4 EUR
100+14.3 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1 INFN-S-A0003614536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB024N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4
IAUCN08S7N045TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.79 EUR
57+4.08 EUR
100+2.62 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+410.45 EUR
5+378.75 EUR
10+347.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+509.77 EUR
5+431.73 EUR
10+360.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE95633QXXUMA1 Infineon-TLE9563-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca35bade3876
TLE95633QXXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE95633QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
auf Bestellung 3011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.31 EUR
250+4.12 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDL02G65C5XUMA2 INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDL02G65C5XUMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDL02G65C5XUMA2 INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDL02G65C5XUMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS1000R08A7P3BHPSA1 4590045.pdf
FS1000R08A7P3BHPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+920.29 EUR
5+837.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R12KT4B16BOSA1 4626549.pdf
FP75R12KT4B16BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+230.11 EUR
5+207.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R06KE3BOSA1 2255567.pdf
FP100R06KE3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+235.93 EUR
5+200.66 EUR
10+168.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 8938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.84 EUR
104+2.24 EUR
143+1.51 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12IE4BOSA1 Infineon-FF900R12IE4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011febc3dd603eec
FF900R12IE4BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
Verlustleistung: 5.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1459.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6346TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+1.27 EUR
443+0.52 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9301TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 23205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
202+1.24 EUR
354+0.65 EUR
511+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6346TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+1.27 EUR
443+0.52 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 Infineon-AURIX-TC4Dx_A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197acf008b77e49
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 500 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 20MB
Versorgungsspannung, min.: 943mV
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
MCU-Familie: AURIX
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 10.8MB
MCU-Baureihe: TC4Dx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: -
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 1.128V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, FlexRay, I2C, PCIe, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+200.07 EUR
5+177.19 EUR
10+155.66 EUR
25+147.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R022M1HXUMA1 3974510.pdf
IMT65R022M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.34 EUR
50+20.5 EUR
100+18.66 EUR
250+18.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R022M1HXUMA1 3974510.pdf
IMT65R022M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+33.67 EUR
10+26.88 EUR
50+24.63 EUR
100+22.38 EUR
250+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1 4520232.pdf
IMTA65R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 4265861.pdf
IMTA65R040M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
23+9.62 EUR
50+8.84 EUR
100+7.09 EUR
250+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R060M2HXUMA1 4503013.pdf
IMT65R060M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.45 EUR
24+9.79 EUR
100+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1 4520232.pdf
IMTA65R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
IMTA65R033M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R033M2HXUMA1 4503010.pdf
IMT65R033M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.44 EUR
12+19.74 EUR
15+14.63 EUR
50+13.52 EUR
100+12.4 EUR
250+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R026M2HXUMA1 4503009.pdf
IMT65R026M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 365W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.11 EUR
12+19.68 EUR
15+14.78 EUR
50+13.47 EUR
100+12.15 EUR
250+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
IMT65R010M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
IMTA65R033M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R040M2HXUMA1 4503011.pdf
IMT65R040M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.61 EUR
16+15.22 EUR
20+11.27 EUR
50+10.02 EUR
100+8.76 EUR
250+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R050M2HXUMA1 4503012.pdf
IMT65R050M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.82 EUR
23+10.35 EUR
100+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
IMT65R107M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.32 EUR
26+8.94 EUR
100+5.94 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R015M2HXTMA2 4609068.pdf
IMT44R015M2HXTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+28.39 EUR
11+22.37 EUR
13+16.97 EUR
50+15.53 EUR
100+14.09 EUR
250+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
IMT65R010M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+47.73 EUR
7+38.13 EUR
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R011M2HXTMA2 4609067.pdf
IMT44R011M2HXTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.78 EUR
8+29.17 EUR
10+22.3 EUR
50+20.72 EUR
100+19.12 EUR
250+18.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
IPF036N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.52 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
120+1.95 EUR
250+1.3 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+360.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS35R12W1T4BOMA1 2079074.pdf
FS35R12W1T4BOMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 65 A, 1.85 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 225W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+64.77 EUR
5+52.61 EUR
10+41.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 - Demoboard, TLE9252VSK, CAN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9252VSK
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9252VSK
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+217.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7XKSA1 2718756.pdf
IPA60R360P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
75+3.11 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
IAUC24N10S5L300ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 3154645.pdf
IAUC24N10S5L300ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-333047-02 Infineon-CYBT-3330xx-02_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7e45970cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYBT-333047-02
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-333047-02 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 1/2, 4Mbit/s, -96.5dBm, 2.3-3.6V, -30-85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -96.5dBm
Übertragungsrate: 4Mbps
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -96.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.44 EUR
11+20 EUR
50+18.18 EUR
100+16.34 EUR
250+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 4473611.pdf
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 - Evaluationskit, FS520R12A8P1LB, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: 3A225
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS520R12A8P1LB, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: FS520R12A8P1LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A225
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8596.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.68 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD609812BEVALTOBO1 infineon-infineon-z8f80416293-tld6098-1-2b-eval-ug-en.pdf-usermanual-en.pdf
TLD609812BEVALTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLD609812BEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLD6098-1EP, 8V bis 27Vin, 50Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD6098-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 48.6V
Core-Chip: TLD6098-1EP
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 27V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: Boost
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+269.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 4384402.pdf
IPP020N03LF2SAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
65+3.62 EUR
103+2.09 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 4015300.pdf
IQD020N10NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.11 EUR
29+8.14 EUR
100+5.74 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 4409638.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.34 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD020N03LF2SATMA1 4421043.pdf
IPD020N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.37 EUR
102+2.12 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N020ATMA1 4146085.pdf
IAUCN04S7N020ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.92 EUR
25+9.28 EUR
100+6.21 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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