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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BTS452RATMA1 BTS452RATMA1 INFINEON 1651317.pdf Description: INFINEON - BTS452RATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 6.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 52V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 19750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
250+2.57 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.38 EUR
2500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON 2331320.pdf Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 51085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.7 EUR
650+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 INFINEON INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMDQ75R016M2HXTMA1 AIMDQ75R016M2HXTMA1 INFINEON Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650 Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+41.6 EUR
8+33.07 EUR
10+25.38 EUR
50+23.91 EUR
100+22.43 EUR
250+21.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1 IPT60R024CM8XTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.72 EUR
11+22 EUR
13+16.84 EUR
50+15.21 EUR
100+13.55 EUR
250+13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1 IPT60R024CM8XTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.72 EUR
11+22 EUR
13+16.84 EUR
50+15.21 EUR
100+13.55 EUR
250+13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M2HXTMA1 IMDQ75R016M2HXTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.69 EUR
8+29.92 EUR
10+22.9 EUR
50+21.63 EUR
100+20.35 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LTRXUMA1 GS0650046LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.57 EUR
41+5.74 EUR
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LMRXUSA1 GS0650111LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.57 EUR
33+7.18 EUR
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1 GS0650116LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.45 EUR
30+7.91 EUR
100+6.45 EUR
500+5.51 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LTRXUMA1 GS0650146LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
24+9.96 EUR
100+8.12 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRTRXUMA1 GS0650306LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.81 EUR
12+19.66 EUR
16+13.86 EUR
50+12.96 EUR
100+12.05 EUR
250+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.83 EUR
12+20.3 EUR
14+15.32 EUR
50+14.09 EUR
100+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRTRXUMA1 GS0650146LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
23+10.35 EUR
100+8.25 EUR
500+7.18 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRTRXUMA1 GS0650186LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
16+14.6 EUR
19+11.65 EUR
50+10.15 EUR
100+8.46 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650086LMRXUSA1 GS0650086LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.34 EUR
41+5.71 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1 GS0650111LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.07 EUR
24+9.96 EUR
100+7.95 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1 GS0650112LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.65 EUR
23+10.42 EUR
100+8.31 EUR
500+7.26 EUR
1000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1 GS0650116LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LTRXUMA1 GS0650302LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+20.37 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.27 EUR
20+11.88 EUR
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50+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LMRXUSA1 GS0650046LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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48+4.89 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LMRXUSA1 GS0650146LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1 GS0650112LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LTRXUMA1 GS0650146LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650086LMRXUSA1 GS0650086LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LMRXUSA1 GS0650046LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LTRXUMA1 GS0650302LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRTRXUMA1 GS0650186LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1 GS0650116LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
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100+6.45 EUR
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1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRTRXUMA1 GS0650306LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.81 EUR
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16+13.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LTRXUMA1 GS0650046LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.09 EUR
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1000+3.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1 GS0650116LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1 GS0650116LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.51 EUR
500+5.65 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1 GS0650112LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.31 EUR
500+7.26 EUR
1000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1 GS0650111LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.95 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.87 EUR
12+20.33 EUR
14+15.34 EUR
50+13.52 EUR
100+11.67 EUR
250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LMRXUSA1 GS0650111LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRTRXUMA1 GS0650146LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.25 EUR
500+7.18 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650086LTRXUMA1 GS0650086LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.05 EUR
500+5.27 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW9RPI55513EVKTOBO1 INFINEON infineon-cyw9rpi55513-evk-evaluation-kit-user-guide-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+788.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
144+1.62 EUR
187+1.15 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
144+1.62 EUR
187+1.15 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2461SXUMA1 IRS2461SXUMA1 INFINEON 4626039.pdf Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.84 EUR
34+6.94 EUR
37+5.91 EUR
50+5.63 EUR
100+5.33 EUR
250+5.08 EUR
500+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+197.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9009DQUXUMA1 TLE9009DQUXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69 Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
22+11.02 EUR
25+9.27 EUR
50+8.94 EUR
100+8.59 EUR
250+8.29 EUR
500+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9009DQUXUMA1 TLE9009DQUXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69 Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
22+11.02 EUR
25+9.27 EUR
50+8.94 EUR
100+8.59 EUR
250+8.29 EUR
500+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F43L100R07W2S5B40BPSA1 INFINEON Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+129.92 EUR
5+111.78 EUR
10+94.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.3 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.61 EUR
31+7.7 EUR
100+5.3 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R025CM8XKSA1 IPW65R025CM8XKSA1 INFINEON Infineon-IPW65R025CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d8f4f0608b Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.42 EUR
12+19.61 EUR
16+13.55 EUR
50+13.17 EUR
100+12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDC20I12AHXUMA1 1EDC20I12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.7 EUR
50+4.66 EUR
55+3.94 EUR
57+3.77 EUR
100+3.58 EUR
250+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS452RATMA1 1651317.pdf
BTS452RATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS452RATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 6.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 52V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 19750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
250+2.57 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.38 EUR
2500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAV70E6327HTSA1 2331320.pdf
BAV70E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 51085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.7 EUR
650+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P405ATMA2 INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P04P405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650
AIMDQ75R016M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+41.6 EUR
8+33.07 EUR
10+25.38 EUR
50+23.91 EUR
100+22.43 EUR
250+21.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1
IPT60R024CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.72 EUR
11+22 EUR
13+16.84 EUR
50+15.21 EUR
100+13.55 EUR
250+13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1
IPT60R024CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.72 EUR
11+22 EUR
13+16.84 EUR
50+15.21 EUR
100+13.55 EUR
250+13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.69 EUR
8+29.92 EUR
10+22.9 EUR
50+21.63 EUR
100+20.35 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LTRXUMA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.57 EUR
41+5.74 EUR
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.57 EUR
33+7.18 EUR
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.45 EUR
30+7.91 EUR
100+6.45 EUR
500+5.51 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.92 EUR
24+9.96 EUR
100+8.12 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+27.81 EUR
12+19.66 EUR
16+13.86 EUR
50+12.96 EUR
100+12.05 EUR
250+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.83 EUR
12+20.3 EUR
14+15.32 EUR
50+14.09 EUR
100+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.59 EUR
23+10.35 EUR
100+8.25 EUR
500+7.18 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.72 EUR
16+14.6 EUR
19+11.65 EUR
50+10.15 EUR
100+8.46 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650086LMRXUSA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.34 EUR
41+5.71 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 11A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.07 EUR
24+9.96 EUR
100+7.95 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 11A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.65 EUR
23+10.42 EUR
100+8.31 EUR
500+7.26 EUR
1000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.95 EUR
29+8.16 EUR
100+6.51 EUR
500+5.65 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.87 EUR
12+20.33 EUR
14+15.34 EUR
50+13.52 EUR
100+11.67 EUR
250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 30A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.5 EUR
11+21.27 EUR
50+20.82 EUR
100+20.37 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.27 EUR
20+11.88 EUR
25+8.84 EUR
50+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LMRXUSA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.07 EUR
48+4.89 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+8.12 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650086LMRXUSA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LMRXUSA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.83 EUR
12+20.3 EUR
14+15.32 EUR
50+14.09 EUR
100+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.5 EUR
11+21.27 EUR
50+20.82 EUR
100+20.37 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.27 EUR
20+11.88 EUR
25+8.84 EUR
50+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.72 EUR
16+14.6 EUR
19+11.65 EUR
50+10.15 EUR
100+8.46 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.45 EUR
500+5.51 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.81 EUR
12+19.66 EUR
16+13.86 EUR
50+12.96 EUR
100+12.05 EUR
250+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650046LTRXUMA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.09 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.51 EUR
500+5.65 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+8.31 EUR
500+7.26 EUR
1000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.95 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.87 EUR
12+20.33 EUR
14+15.34 EUR
50+13.52 EUR
100+11.67 EUR
250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+8.25 EUR
500+7.18 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650086LTRXUMA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LTRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.05 EUR
500+5.27 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW9RPI55513EVKTOBO1 infineon-cyw9rpi55513-evk-evaluation-kit-user-guide-usermanual-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+788.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
144+1.62 EUR
187+1.15 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
144+1.62 EUR
187+1.15 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2461SXUMA1 4626039.pdf
IRS2461SXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.84 EUR
34+6.94 EUR
37+5.91 EUR
50+5.63 EUR
100+5.33 EUR
250+5.08 EUR
500+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+197.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9009DQUXUMA1 Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69
TLE9009DQUXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.42 EUR
22+11.02 EUR
25+9.27 EUR
50+8.94 EUR
100+8.59 EUR
250+8.29 EUR
500+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9009DQUXUMA1 Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69
TLE9009DQUXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.42 EUR
22+11.02 EUR
25+9.27 EUR
50+8.94 EUR
100+8.59 EUR
250+8.29 EUR
500+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 2619562.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F43L100R07W2S5B40BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+129.92 EUR
5+111.78 EUR
10+94.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH45N04LM6SCATMA1 4409633.pdf
IQDH45N04LM6SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.3 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH45N04LM6SCATMA1 4409633.pdf
IQDH45N04LM6SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.61 EUR
31+7.7 EUR
100+5.3 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R025CM8XKSA1 Infineon-IPW65R025CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d8f4f0608b
IPW65R025CM8XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.42 EUR
12+19.61 EUR
16+13.55 EUR
50+13.17 EUR
100+12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDC20I12AHXUMA1 2718597.pdf
1EDC20I12AHXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.7 EUR
50+4.66 EUR
55+3.94 EUR
57+3.77 EUR
100+3.58 EUR
250+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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