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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON 4520232.pdf Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 INFINEON 4503010.pdf Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.44 EUR
12+19.74 EUR
15+14.63 EUR
50+13.52 EUR
100+12.4 EUR
250+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 INFINEON 4503009.pdf Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 365W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.11 EUR
12+19.68 EUR
15+14.78 EUR
50+13.47 EUR
100+12.15 EUR
250+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.61 EUR
16+15.22 EUR
20+11.27 EUR
50+10.02 EUR
100+8.76 EUR
250+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 INFINEON 4503012.pdf Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.82 EUR
23+10.35 EUR
100+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.32 EUR
26+8.94 EUR
100+5.94 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R015M2HXTMA2 IMT44R015M2HXTMA2 INFINEON 4609068.pdf Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.39 EUR
11+22.37 EUR
13+16.97 EUR
50+15.53 EUR
100+14.09 EUR
250+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+47.73 EUR
7+38.13 EUR
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON 4609067.pdf Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.78 EUR
8+29.17 EUR
10+22.3 EUR
50+20.72 EUR
100+19.12 EUR
250+18.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.2 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
120+1.95 EUR
250+1.3 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 INFINEON Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3 Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+360.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS35R12W1T4BOMA1 FS35R12W1T4BOMA1 INFINEON 2079074.pdf Description: INFINEON - FS35R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 65 A, 1.85 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 225W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.77 EUR
5+52.61 EUR
10+41.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 - Demoboard, TLE9252VSK, CAN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9252VSK
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9252VSK
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+217.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7XKSA1 IPA60R360P7XKSA1 INFINEON 2718756.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
75+3.11 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON 3154645.pdf Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-333047-02 CYBT-333047-02 INFINEON Infineon-CYBT-3330xx-02_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7e45970cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYBT-333047-02 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 1/2, 4Mbit/s, -96.5dBm, 2.3-3.6V, -30-85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -96.5dBm
Übertragungsrate: 4Mbps
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -96.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.44 EUR
13+18.61 EUR
14+15.96 EUR
50+15.12 EUR
100+13.97 EUR
250+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 INFINEON infineon-ev-inv-hpd2-si-fs520-12-user-manuel-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 - Evaluationskit, FS520R12A8P1LB, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: 3A225
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS520R12A8P1LB, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: FS520R12A8P1LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A225
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7969.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD609812BEVALTOBO1 TLD609812BEVALTOBO1 INFINEON infineon-infineon-z8f80416293-tld6098-1-2b-eval-ug-en.pdf-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - TLD609812BEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLD6098-1EP, 8V bis 27Vin, 50Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD6098-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 48.6V
Core-Chip: TLD6098-1EP
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 27V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: Boost
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+269.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON 4384402.pdf Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
154+1.39 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
30+7.96 EUR
100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.81 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON 4421043.pdf Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON 4146085.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
128+1.69 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.51 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.51 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.42 EUR
23+10.09 EUR
100+6.81 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N03LF2SATMA1 IPB020N03LF2SATMA1 INFINEON infineon-ipb020n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
58+4.03 EUR
100+2.57 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 INFINEON 2576637.pdf Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
70+3.34 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 INFINEON 2576637.pdf Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1ED2147S65FXUMA1 1ED2147S65FXUMA1 INFINEON Infineon-1ED21x7x-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01948416048c0e61 Description: INFINEON - 1ED2147S65FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, Si-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -4A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 6.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
99+2.37 EUR
109+1.96 EUR
123+1.75 EUR
250+1.64 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REFAUDIOGANB750WTOBO1 REFAUDIOGANB750WTOBO1 INFINEON infineon-ref-audio-ganb-750w-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - REFAUDIOGANB750WTOBO1 - Evaluationsboard, IRS20957SPBF, Class D-Audiotreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS20957SPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS20957SPBF
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Class D-Audiotreiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+631.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N03LF2SAKSA1 IPP018N03LF2SAKSA1 INFINEON 4384401.pdf Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
144+1.5 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB018N03LF2SATMA1 IPB018N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB018N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.51 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N75EH7 IKZA50N75EH7 INFINEON 4603896.pdf Description: INFINEON - IKZA50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.24 EUR
24+9.97 EUR
100+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N75EH7 IKWH50N75EH7 INFINEON 4603895.pdf Description: INFINEON - IKWH50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.32 EUR
24+10.02 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3021ASXUMA1 1EDI3021ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.84 EUR
34+6.94 EUR
37+5.89 EUR
50+5.41 EUR
100+4.9 EUR
250+4.66 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3021ASXUMA1 1EDI3021ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.84 EUR
34+6.94 EUR
37+5.89 EUR
50+5.41 EUR
100+4.9 EUR
250+4.66 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3020ASXUMA1 1EDI3020ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.07 EUR
33+7.1 EUR
36+5.95 EUR
50+5.49 EUR
100+5.03 EUR
250+4.8 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3020ASXUMA1 1EDI3020ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.07 EUR
33+7.1 EUR
36+5.95 EUR
50+5.49 EUR
100+5.03 EUR
250+4.8 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L2R6ATMA1 IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON 2849745.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S5L2R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
101+2.3 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW955913EVK-01 CYW955913EVK-01 INFINEON Description: INFINEON - CYW955913EVK-01 - Evaluationskit, CYW55913 1x1 WiFi 6E und Bluetooth Low Energy 5.4
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
IC-Funktion: Connected Microcontroller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55913
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYW55913
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+310.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON 59953.pdf description Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
105+2.05 EUR
122+1.77 EUR
250+1.71 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N045TATMA1 IAUCN08S7N045TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4 Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG48VSWITCHKITTOBO1 DG48VSWITCHKITTOBO1 INFINEON Infineon-Dual_Gate_48V_switch_board_quick_introduction-Presentations-v02_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2029a416004e Description: INFINEON - DG48VSWITCHKITTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Schalter-Evaluationsboard 2ED4820-EM
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+632.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REFWATERPUMP150WTOBO1 REFWATERPUMP150WTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - REFWATERPUMP150WTOBO1 - Referenzdesign-Board, TLE9954EQW40, 32 Bit, ARM Cortex-M23, 150W-Hilfswasserpumpe
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Wärme-Management-System
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board TLE9954EQW40
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M23
Unterart Anwendung: Hilfswasserpumpe
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: TLE995x
euEccn: NLR
Prozessorkern: TLE9954EQW40
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1485.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF45W1ZVS184EMTOBO2 REF45W1ZVS184EMTOBO2 INFINEON 4546507.pdf Description: INFINEON - REF45W1ZVS184EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE184EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+248.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF45W1ZVS184LMTOBO2 REF45W1ZVS184LMTOBO2 INFINEON 4546508.pdf Description: INFINEON - REF45W1ZVS184LMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184LM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184LM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE184LM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+227.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF60W1ZVS186EMTOBO2 REF60W1ZVS186EMTOBO2 INFINEON 4546509.pdf Description: INFINEON - REF60W1ZVS186EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE186EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE186EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE186EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+284.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1049GN30-10ZSXI CY7C1049GN30-10ZSXI INFINEON 2629516.pdf Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.72 EUR
20+11.88 EUR
25+10.65 EUR
50+10.31 EUR
100+10.12 EUR
250+10.01 EUR
500+9.81 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62126EV30LL-45ZSXIT CY62126EV30LL-45ZSXIT INFINEON INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
48+4.88 EUR
50+4.28 EUR
100+4.18 EUR
250+4.02 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDWD50G120C5XKSA1 IDWD50G120C5XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD50G120C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195473528d41ab4 Description: INFINEON - IDWD50G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 223 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 223nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.26 EUR
9+27.17 EUR
12+19.09 EUR
50+18.85 EUR
100+18.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4267GATMA1 TLE4267GATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4267GATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 40V, 300mV Dropout, 5Vout, 400mAout, TO-263-7
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
250+3.43 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1 4520232.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R033M2HXUMA1 4503010.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.44 EUR
12+19.74 EUR
15+14.63 EUR
50+13.52 EUR
100+12.4 EUR
250+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R026M2HXUMA1 4503009.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 365W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.11 EUR
12+19.68 EUR
15+14.78 EUR
50+13.47 EUR
100+12.15 EUR
250+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R040M2HXUMA1 4503011.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.61 EUR
16+15.22 EUR
20+11.27 EUR
50+10.02 EUR
100+8.76 EUR
250+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R050M2HXUMA1 4503012.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.82 EUR
23+10.35 EUR
100+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.32 EUR
26+8.94 EUR
100+5.94 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R015M2HXTMA2 4609068.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+28.39 EUR
11+22.37 EUR
13+16.97 EUR
50+15.53 EUR
100+14.09 EUR
250+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+47.73 EUR
7+38.13 EUR
10+29.45 EUR
50+28.96 EUR
100+28.46 EUR
250+27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT44R011M2HXTMA2 4609067.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.78 EUR
8+29.17 EUR
10+22.3 EUR
50+20.72 EUR
100+19.12 EUR
250+18.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.2 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
120+1.95 EUR
250+1.3 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+360.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS35R12W1T4BOMA1 2079074.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 65 A, 1.85 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 225W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+64.77 EUR
5+52.61 EUR
10+41.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 - Demoboard, TLE9252VSK, CAN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9252VSK
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9252VSK
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+217.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPA60R360P7XKSA1 2718756.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
75+3.11 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 3154645.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
auf Bestellung 7910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
127+1.83 EUR
187+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-333047-02 Infineon-CYBT-3330xx-02_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7e45970cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-333047-02 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 1/2, 4Mbit/s, -96.5dBm, 2.3-3.6V, -30-85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -96.5dBm
Übertragungsrate: 4Mbps
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -96.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.44 EUR
13+18.61 EUR
14+15.96 EUR
50+15.12 EUR
100+13.97 EUR
250+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 infineon-ev-inv-hpd2-si-fs520-12-user-manuel-usermanual-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 - Evaluationskit, FS520R12A8P1LB, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: 3A225
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS520R12A8P1LB, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: FS520R12A8P1LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A225
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7969.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.68 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD609812BEVALTOBO1 infineon-infineon-z8f80416293-tld6098-1-2b-eval-ug-en.pdf-usermanual-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLD609812BEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLD6098-1EP, 8V bis 27Vin, 50Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD6098-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 48.6V
Core-Chip: TLD6098-1EP
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 27V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: Boost
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+269.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 4384402.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
154+1.39 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 4015300.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.7 EUR
30+7.96 EUR
100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 4409638.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.81 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD020N03LF2SATMA1 4421043.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N020ATMA1 4146085.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
128+1.69 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.51 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.51 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 4015300.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 4409638.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.42 EUR
23+10.09 EUR
100+6.81 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N03LF2SATMA1 infineon-ipb020n03lf2s-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.68 EUR
58+4.03 EUR
100+2.57 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R285P7AUMA1 2576637.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.09 EUR
70+3.34 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R285P7AUMA1 2576637.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1ED2147S65FXUMA1 Infineon-1ED21x7x-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01948416048c0e61
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED2147S65FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, Si-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -4A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 6.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
99+2.37 EUR
109+1.96 EUR
123+1.75 EUR
250+1.64 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REFAUDIOGANB750WTOBO1 infineon-ref-audio-ganb-750w-usermanual-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REFAUDIOGANB750WTOBO1 - Evaluationsboard, IRS20957SPBF, Class D-Audiotreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS20957SPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS20957SPBF
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Class D-Audiotreiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+631.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N03LF2SAKSA1 4384401.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
144+1.5 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB018N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.51 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N75EH7 4603896.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.24 EUR
24+9.97 EUR
100+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N75EH7 4603895.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.32 EUR
24+10.02 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3021ASXUMA1 3517978.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.84 EUR
34+6.94 EUR
37+5.89 EUR
50+5.41 EUR
100+4.9 EUR
250+4.66 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3021ASXUMA1 3517978.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.84 EUR
34+6.94 EUR
37+5.89 EUR
50+5.41 EUR
100+4.9 EUR
250+4.66 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3020ASXUMA1 3517978.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.07 EUR
33+7.1 EUR
36+5.95 EUR
50+5.49 EUR
100+5.03 EUR
250+4.8 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDI3020ASXUMA1 3517978.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.07 EUR
33+7.1 EUR
36+5.95 EUR
50+5.49 EUR
100+5.03 EUR
250+4.8 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L2R6ATMA1 2849745.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L2R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+4 EUR
101+2.3 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L08ATMA2 INFN-S-A0003258162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW955913EVK-01
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW955913EVK-01 - Evaluationskit, CYW55913 1x1 WiFi 6E und Bluetooth Low Energy 5.4
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
IC-Funktion: Connected Microcontroller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55913
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYW55913
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+310.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2101STRPBF description 59953.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.46 EUR
105+2.05 EUR
122+1.77 EUR
250+1.71 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG48VSWITCHKITTOBO1 Infineon-Dual_Gate_48V_switch_board_quick_introduction-Presentations-v02_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2029a416004e
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DG48VSWITCHKITTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Schalter-Evaluationsboard 2ED4820-EM
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+632.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REFWATERPUMP150WTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REFWATERPUMP150WTOBO1 - Referenzdesign-Board, TLE9954EQW40, 32 Bit, ARM Cortex-M23, 150W-Hilfswasserpumpe
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Wärme-Management-System
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board TLE9954EQW40
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M23
Unterart Anwendung: Hilfswasserpumpe
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: TLE995x
euEccn: NLR
Prozessorkern: TLE9954EQW40
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1485.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF45W1ZVS184EMTOBO2 4546507.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF45W1ZVS184EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE184EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+248.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF45W1ZVS184LMTOBO2 4546508.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF45W1ZVS184LMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184LM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184LM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE184LM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+227.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF60W1ZVS186EMTOBO2 4546509.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF60W1ZVS186EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE186EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE186EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE186EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+284.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1049GN30-10ZSXI 2629516.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.72 EUR
20+11.88 EUR
25+10.65 EUR
50+10.31 EUR
100+10.12 EUR
250+10.01 EUR
500+9.81 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62126EV30LL-45ZSXIT INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.62 EUR
48+4.88 EUR
50+4.28 EUR
100+4.18 EUR
250+4.02 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDWD50G120C5XKSA1 Infineon-IDWD50G120C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195473528d41ab4
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD50G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 223 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 223nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.26 EUR
9+27.17 EUR
12+19.09 EUR
50+18.85 EUR
100+18.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4267GATMA1 INFN-S-A0006155620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4267GATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 40V, 300mV Dropout, 5Vout, 400mAout, TO-263-7
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.59 EUR
250+3.43 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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