| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GS0650046LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 0.8nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650111LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650116LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650146LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650306LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650302LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650146LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650186LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650086LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.6nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650111LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650112LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650116LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650306LRMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650302LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650186LRMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.2nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650046LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 0.8nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650146LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650112LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650146LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650086LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS0650046LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650302LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650302LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650116LRMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650186LRMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650186LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650116LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650306LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650046LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS0650116LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS0650116LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650112LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650111LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650306LRMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650111LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650146LRTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650146LRMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS0650086LTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CYW9RPI55513EVKTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4 tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch euEccn: NLR IC-Funktion: Bluetooth and WiFi isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC012N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC012N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT067N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT067N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRS2461SXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: - Versorgungsspannung: 10V bis 15V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: - Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber tariffCode: 84733080 Prozessorkern: 1ED3012MC12I Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TLE9009DQUXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Anzahl der Zellen: 9Cells IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 60V Schnittstellen: Iso UART, UART Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TLE9009DQUXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB50N65S5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F43L100R07W2S5B40BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 80A Produktpalette: EasyPACK 2B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQDH45N04LM6SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 611A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQDH45N04LM6SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 611A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R025CM8XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDC20I12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 300ns Ausgabeverzögerung: 300ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDC20I12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 300ns Ausgabeverzögerung: 300ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAT5404WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT5404WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ICE2PCS03GXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 104kHz Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: 90kHz usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 100kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10.4V euEccn: NLR Frequenzmodus: Fest PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 25V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ICE2PCS03GXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 104kHz Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: 90kHz usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 100kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10.4V euEccn: NLR Frequenzmodus: Fest PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 25V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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FS01MR08A8MA2CHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 - Evaluationsboard, FS02MR12A8MA2B, SiC-MOSFET-ModultariffCode: 85437090 Prozessorkern: FS02MR12A8MA2B Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS02MR12A8MA2B euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Modul hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TT285N16KOFHPSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TT285N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, 285mA, 1.6kV, Phasensteuerung, Schraube, Baureihe TT285NtariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 285A RMS-Durchlassstrom: 520A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Phasenregelung Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TT285N Series Zündstrom, max.: 200mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Schraub Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 130°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GS0650046LTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650111LMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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| GS0650302LMRXUSA1 |
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Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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| GS0650111LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650112LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650116LRTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PDFN
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650306LRMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650302LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650186LRMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650046LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650146LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650112LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650146LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650086LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 130 Stücke:
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| GS0650046LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650302LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 118 Stücke:
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| GS0650302LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650116LRMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650186LRMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
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| GS0650186LRTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650116LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650306LRTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650046LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650116LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650116LRTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650112LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650111LTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650306LRMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650111LMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650146LRTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650146LRMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS0650086LTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CYW9RPI55513EVKTOBO1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ISC012N03LF2SATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ISC012N03LF2SATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPT067N20NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPT067N20NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRS2461SXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TLE9009DQUXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TLE9009DQUXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IGB50N65S5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| F43L100R07W2S5B40BPSA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IQDH45N04LM6SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IQDH45N04LM6SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPW65R025CM8XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDC20I12AHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDC20I12AHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDC20I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 300ns/300ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT5404WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5404WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT5404WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ICE2PCS03GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ICE2PCS03GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ICE2PCS03GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V bis 25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 100kHz, SOIC-8
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 104kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 90kHz
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 100kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FS01MR08A8MA2CHPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 - Evaluationsboard, FS02MR12A8MA2B, SiC-MOSFET-Modul
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: FS02MR12A8MA2B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS02MR12A8MA2B
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Modul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 - Evaluationsboard, FS02MR12A8MA2B, SiC-MOSFET-Modul
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: FS02MR12A8MA2B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS02MR12A8MA2B
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Modul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TT285N16KOFHPSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TT285N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, 285mA, 1.6kV, Phasensteuerung, Schraube, Baureihe TT285N
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 285A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TT285N Series
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TT285N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, 285mA, 1.6kV, Phasensteuerung, Schraube, Baureihe TT285N
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 285A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TT285N Series
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH














